【課題】本発明の実施形態は、プルイン電圧の低減、あるいはクリープ耐性の確保、あるいはホットスイッチング性の向上を実現できる静電アクチュエータを提供する。
【解決手段】本発明の実施態様によれば、基板と、電極部と、膜体部と、付勢部と、を備えた静電アクチュエータが提供される。前記電極部は、前記基板上に設けられている。前記膜体部は、前記電極部と対向して設けられ導電性を有する。前記付勢部は、前記基板と接続された接続部と、前記接続部と前記膜体部とのあいだに設けられた弾性部と、を有し前記膜体部を支持する。前記電極部と前記膜体部とは、前記電極部に印加される電圧に応じて接触した状態と離隔した状態とが可能とされている。前記弾性部は、前記接続部に接続された一端と、前記膜体部に接続された複数の他端と、のあいだに分岐部を有する。 （もっと読む）

【課題】異方性及び形状復元性を有する複数のＣＮＴからなり、所望の位置に所望の形状で形成することのできる集合体及びそれを備える２端子スイッチを提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ該基板の表面と平行な一方向に配向する複数のカーボンナノチューブを備えるカーボンナノチューブ層を備え、前記カーボンナノチューブ層は、純度；９８質量％以上、本数密度；1.0×10¹²〜4.0×10¹³本/cm²を備え、かつ形状復元性を備えることを特徴とするカーボンナノチューブ集合体。前記カーボンナノチューブ集合体を備える２端子スイッチ。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスとその製造方法において、封止による気密性を高めること。
【解決手段】SOI基板１にカンチレバー（可動部分）４ｘを形成する工程と、カンチレバー４ｘの上方に、隙間gにより互いに分離された複数の電極膜２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃ、２５Ｇ、２５を形成する工程と、電極膜２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃ、２５Ｇ、２５の上に第１の保護膜３１を形成する工程と、第１の保護膜３１の上に、該第１の保護膜３１よりも段差被覆性の良い第２の保護膜３２を形成することにより、第２の保護膜３２で隙間ｇを塞ぐ工程とを有する電子デバイスの製造方法による。 （もっと読む）

【課題】可動部の特性異常をもたらす静電気の影響を緩和するＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】本体部１と本体部１の一面に形成された第一の固定基板とその反対面に形成された第二の固定基板３からなる半導体素子と、半導体素子が収納された表面実装型のパッケージとを備え、半導体素子には可動電極４が設けられ、第一の固定基板３には固定電極５が可動電極４と対向するように設けられ、ねじれ変形する支持ばね１４を中心に揺動することで変形当該両電極間の電気信号を検出する静電容量型ＭＥＭＳデバイスであって、両電極上のそれぞれには両電極が近接した際に互いに接触する接触部６ａ、６ｂが対向して設けられており、接触部６ａ、６ｂの材料は帯電列における正負順序が可動電極４側と固定電極５側とで異なり、前記正負順序の正負の向きは検出電界の正負の向きと逆である。これにより、接触帯電を起こりにくくするという効果がある。 （もっと読む）

【課題】
カンチレバーを利用したマイクロスイッチに新たな構造を採用しようと試みたところ、新たな問題が生じた。
【解決手段】
ＭＥＭＳスイッチは、支持Ｓｉ基板上に活性Ｓｉ層がボンディング酸化膜を介して結合されたＳＯＩ基板と、活性Ｓｉ層を貫通するスリットによって活性Ｓｉ層内に画定されたカンチレバー領域と、カンチレバー領域下方のボンディング酸化膜を除去することにより、カンチレバー領域と支持Ｓｉ基板との間に形成されたキャビティと、カンチレバー領域を取り囲む固定部と、カンチレバー領域から固定部に延在する可動コンタクト電極と、キャビティに隣接し、結合領域を除いて活性Ｓｉ層を貫通するスリットによって取り囲まれ、結合領域を介して、固定部の隣接する領域の活性Ｓｉ層に連続する活性Ｓｉ層の第１領域と、活性Ｓｉ層の第１領域に支持され、可動コンタクト電極上方にオーバーハングする部分を有する固定コンタクト電極と、を有する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ電気機械技術の成膜プロセス方法とその方法で製造された装置を提供する。
【解決手段】基板３０８に、電極３１０とその上に配置された接点３０２とを設けることができる。次に、二酸化ケイ素の層３３０を例えば蒸着によって成膜し、パターン化して電極３１０と接点３０２を包囲する。次いで、薄い接着層３３２、シード層３３４、及び金属層３３６を電気メッキによって成膜することができる次に、フォトレジストの層３３８を設け、パターン化し、その後金属、シード、及び接着層３３６、３３４、３３２をエッチングして梁３０４を形成した後、フォトレジストを除去する。最後に、二酸化ケイ素の層３３０を除去する。スイッチ構造体装置は、保護性のキャップ３４０により封入し気密に封止し得る。 （もっと読む）

【課題】電力供給システムの寿命や信頼性を向上させることができる、静電駆動スイッチ等を提供すること。
【解決手段】受電体２０Ａに電力供給を行うための送電体１０Ａに配置された静電駆動スイッチであり、電源から供給された電力を受電体２０Ａの受電電極に対向配置された送電体１０Ａの送電電極に対して供給するために、電源と送電電極との接続状態を切り替える静電駆動スイッチであって、移動可能なエレクトレット板と、送電電極に接続される静電端子１３ｄと、電源の第１極１１ａに接続された第１電源端子１３ｅ_１と、電源の第２極１１ｂに接続された第２電源端子１３ｅ_２とを備える。 （もっと読む）

【課題】可動電極構造体に安定した状態で接点電極が形成できるようにする。
【解決手段】第２電極１０３の上部の後述する接点部が形成される接点部形成領域において、第２開口部１０５ａを有する密着膜１０５を犠牲膜１０４の上に形成し、次に、第２開口部１０５ａを覆って密着膜１０５の上に接点電極膜１０６を形成する。密着膜１０５は、例えば、チタン、クロム、ジルコニウム、タンタルなどの遷移金属、およびこれらの酸化物から構成することができる。接点電極膜１０６は、例えば、ルテニウム，ロジウム，パラジウム，オスミウム，イリジウム，および白金などの白金属の金属および金などから構成することができる。 （もっと読む）

【課題】クリープによる変形を抑えることができるアクチュエータを提供する。
【解決手段】基板の上に配置された下部電極と、前記下部電極に対向する可動の上部電極と、前記上部電極を基板に対して支持すると共に上部電極よりもクリープ耐性の高い支持体と、前記下部電極と上部電極との間に駆動電圧を供給する駆動部とを備え、前記上下両電極間の電位差の絶対値を増加させたときに上下両電極が接触し始める駆動電圧であるプルイン電圧を印加したときの前記下部電極と上部電極との間の静電容量をプルイン静電容量としたとき、前記電位差の絶対値をプルイン電圧以上に増加させたときにプルイン静電容量に対する静電容量の比率の変化率が急激に変化する第１の領域と、前記電位差の絶対値をさらに増加させたときに前記変化率が前記第１の領域よりも緩やかに変化する第２の領域とが存在し、前記駆動部は前記第２の領域における前記駆動電圧を供給する。 （もっと読む）

【課題】スイッチにおける損失を低減することができるＭＥＭＳスイッチの構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】接点金属薄膜２１は、第２の配線３と対向する部分のみに設けられている。これにより、高い周波数の信号がその接点金属薄膜２１を通過する距離が短くなるので、ＭＥＭＳスイッチにおける損失を低減させることができる。すなわち、いわゆる表皮効果により、高周波信号の周波数が高いほど信号が導体の表面を流れるようになり、その表面が抵抗率の高い材料で覆われている場合には覆われていない場合に比べてスイッチの損失が増大する。しかしながら、上述したように第２の配線３と対向する部分のみに接点金属薄膜２１を設けたので、高い周波数の信号がその接点金属薄膜２１を通過する距離が短くなるので、スイッチの損失が増大するのを防ぐことができる。 （もっと読む）