２点固定熱アクチュエータは、相対する固定部分を有するくぼみ部が形成されたベース素子を含む。ベース素子に、相対する固定端縁において接合されている変形素子は熱膨張率が低い第一の材料の第一の層と、熱膨張率が高い第二の材料の第二の層を含む平坦の積層構造として構成される。変形素子は、固定端縁の付近に固定部分を有し、固定部分の間に中央部分を有し、固定部分の曲げ剛性は中央部分の曲げ剛性より実質的に低い。
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【課題】バイモルフ素子の形状の経時変化を防止する。
【解決手段】バイモルフ素子の製造方法は、犠牲層の上に金属層を形成する金属層形成段階と、金属層形成段階で形成した金属層を焼き鈍しする焼き鈍し段階と、焼き鈍し段階において焼き鈍しされた金属層の上に酸化シリコン層を形成する酸化シリコン層形成段階とを備える。金属層形成段階は、析出硬化型の金属化合物により金属層を形成する。焼き鈍し段階は、金属層を形成する金属の再結晶温度よりも高い温度で金属層を焼き鈍しする。 （もっと読む）

【課題】 ２つの状態の間で移動することができる座屈ビーム・スイッチを提供する。
【解決手段】 非座屈状態の略直線ビームは、調節可能な圧縮器を使用してこのビームが座屈変形されるように圧縮される。調節可能な圧縮器は、力をビームの一端又は両端に加え、ビームを第１の座屈状態及び第２の座屈状態間で移動可能にするためにビーム上にかかる圧縮量を制限する。第１の座屈状態及び第２の座屈状態は、略均等な座屈変形量を有し、非座屈状態から反対方向に座屈変形する動作から構成される。 （もっと読む）

【課題】 バイアス信号を印加することによって交流信号伝達動作をオン／オフ制御し、バイアス信号が印加した後これが途切れても半導体層の内部で電子および正孔の再結合により電荷の蓄積減少およびスティッキング(ｓｔｉｃｋｉｎｇ)現象といった問題を解決できるＭＥＭＳ ＲＦ−スイッチを提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ ＲＦ−スイッチは、外部電源の一端子と接続された第１電極と、第１電極の上部表面に結合され、電源からバイアス信号が印加されると、電位バリアー（ｂａｒｒｉｅｒ）を形成し絶縁性の特性を有するようになる半導体層と、半導体層と一定の距離離間した位置に製造され、電源の他端子と接続され電源からバイアス信号が印加されると半導体層と接触する第２電極とを含む。 （もっと読む）

本発明は、基板上に形成された双安定型のＭＥＭＳマイクロスイッチに関するものであって、少なくとも２つの導電トラック（２，３）の端部（１２，１３）どうしを電気的に接続し得るものであり、基板の表面上に懸架された梁（６）を具備している。梁は、両端部のところにおいて埋設されているとともに、非変形状態においては圧縮応力を受ける。梁（６）は、電気的コンタクト形成手段（７，８）を備え、これら電気的コンタクト形成手段は、基板表面に対して平行に梁が変形した際には、２つの導電トラックの端部に対して側方から接触し得るようにして、配置されている。アクチュエータ（４０，５０）は、梁を、第１安定状態に対応した第１変形位置へと、または、第２安定状態に対応した第２変形位置へと、配置することができる。電気的コンタクト形成手段（７，８）は、梁がいずれかの変形位置とされた際には、２つの導電トラックの端部を確実に接続する。
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【課題】 プレートスプリングの組立公差を最小化して外部の衝撃及び振動によるプレートスプリングの位置変化を最小化し、機器の信頼性を向上し得る欠相保護用熱動型過負荷継電器を提供する。
【解決手段】 過電流又は欠相の発生時にアクチュエータ6の動作をスイッチングメカニズム36に伝達するリリーズレバー32と、リリーズレバー32の揺動中心点に連結されて動作電流設定値の変化に従ってリリーズレバー32の揺動中心点を移動させる調整機構34とを包含して構成され、調整機構34は、使用者が操作する調整ダイヤル37に係合されて前記リリーズレバーのヒンジ軸62に連結される調整リンク34と、調整リンク34に所定弾性力を附与するプレートスプリング39とを包含して構成され、補助カバー41の内側壁面には、プレートスプリング39との隙間を最小化するために突起部45を突き出すように欠相保護用熱動型過負荷継電器を構成する。 （もっと読む）

【課題】 集積化が可能な超小型のラッチ型熱駆動マイクローリレー素子を提供する。
【解決手段】 所定の体積を持ち、その内部の空気を加熱するヒータ１２が設置されている能動貯蔵庫１０と、能動貯蔵庫１０と所定の間隔に離隔されてその内部にヒータ４２が設置されている、同一な体積を持つ受動貯蔵庫４０と、能動貯蔵庫１０と受動貯蔵庫４０の間の空間に延長されて液体金属５０の移動路としての役割を果すチャンネル２０と、互いに離隔されてチャンネル２０の所定の領域で各々チャンネルの内部に一端が挿入され外部に伸びる第１信号電極３０と、第１信号電極３０と一定の間隔に離隔されて同一な形状で形成された第２信号電極３２と、チャンネルの内部に実装されて第１信号電極３０と第２信号電極３２の接点としての役割を果す液体金属５０と、半導体基板１００の上、下側面に接合された上、下部ガラス基板１２０，１３０を含む。 （もっと読む）