【課題】 電界放出チップを用いて、高電流密度で広い範囲の電子ビームの照射ができる、構造の単純化及び小型化を確保できる電子ビーム照射装置の提供
【解決手段】 周りの一側に長さ方向に電子ビーム照射窓が形成された真空チャンバーと、真空チャンバーの内部中心の長さ方向に位置され、その周りの一側に電子ビーム照射窓に対応される電界放出チップが形成された陰極と、チャンバーの一端に位置され、前記陰極側に高電圧を印加させる高電圧印加部と、を含む電子ビーム照射装置。 （もっと読む）

【課題】電子を安定して高効率で放出できる低コストの電界放射型電子源を提供する。
【解決手段】導電性基板たるｎ形シリコン基板１の表面側に急速熱酸化された多孔質ポリシリコン層６が形成され、急速熱酸化された多孔質ポリシリコン層６上に金属薄膜たる金薄膜７が形成されている。ｎ形シリコン基板１の裏面にはオーミック電極２が形成されている。金薄膜７をｎ形シリコン基板１に対して正極として金薄膜７とオーミック電極２との間に電圧を印加することにより、ｎ形シリコン基板１から急速熱酸化された多孔質ポリシリコン層６に注入された電子が金薄膜７を通して放出される。 （もっと読む）

【課題】電子を安定して高効率で放出できる低コストの電界放射型電子源を提供する。
【解決手段】導電性基板から強電界ドリフト層たる急速熱酸化された多孔質ポリシリコン層６に注入された電子は、多孔質ポリシリコン層６内を表面に向かってドリフトし多孔質ポリシリコン層６上に形成された金属薄膜をトンネルして放出される。多孔質ポリシリコン層６は、少なくとも、柱状の半導体結晶であるポリシリコン６１と、ポリシリコン６１の表面に形成された薄いシリコン酸化膜６２と、柱状のポリシリコン６１間に介在するナノメータオーダの半導体微結晶である微結晶シリコン層６３と、微結晶シリコン層６３の表面に形成され当該微結晶シリコン層６３の結晶粒径よりも小さな膜厚の絶縁膜であるシリコン酸化膜６４とから構成され、電子はシリコン酸化膜６４にかかる強電界により加速される。 （もっと読む）

【課題】 ＥＬ，ＰＬ発光の安定な電子放出効率の高い電子放出素子を提供する。
【解決手段】 電子を供給する半導体層、半導体層上に形成された多孔質半導体層及び多孔質半導体層上に形成され真空空間に面する金属薄膜電極からなり、半導体層及び金属薄膜電極間に電界を印加し電子を放出する電子放出素子であって、多孔質半導体層及び金属薄膜電極間に酸化珪素又は窒化珪素からなる絶縁体層を有する、或いは（及び）多孔質半導体層の骨格を酸化若しくは窒化してある。 （もっと読む）

【課題】 電子放出効率の高い電子放出素子を提供する。
【解決手段】 電子を供給する半導体層、半導体層上に形成された多孔質半導体層及び多孔質半導体層上に形成され真空空間に面する金属薄膜電極からなり、半導体層及び金属薄膜電極間に電界を印加し電子を放出する電子放出素子であって、多孔質半導体層はその膜厚方向において互いに異なる多孔度を有する少なくとも２以上の多孔質層を有する。 （もっと読む）

【課題】電界放出特性が均一で且つ低電圧駆動が可能で電界放出効率も高い電界放出型冷陰極装置を提供する。
【解決手段】電界放出型冷陰極装置は、支持基板１２と、支持基板１２上に配設された電子を放出するための複数のエミッタ１４とを有する。エミッタ１４の夫々は、基本的に炭素の６員環の連なりから構成される複数のカーボンチューブ１６から形成される。全カーボンチューブ１６の７０％以上は３０ｎｍ以下の直径を有する。エミッタ１４を形成するカーボンチューブ１６の底部直径に対する高さの比を表すアスペクト比は、３以上で１×１０⁶ 以下で、望ましくは、３以上で１×１０³ 以下に設定される。カーボンチューブ１６における炭素の６員環の周期は０．４２６ｎｍまたは０．７３８ｎｍの倍数である。 （もっと読む）

【課題】 画面の出画時間及びホワイトバランスの安定化時間が短く、製造が簡単で、生産性を向上させられる陰極構造体及びこれを用いたカラー陰極線間用の電子銃を提供する。
【解決手段】 外部ケース３１と、前記外部ケース３１内に充填された絶縁部材３２と、前記絶縁部材３２に没入固定され、その端部３３ａが前記絶縁部材３２の上面に突出された複数個のピン３３と、前記絶縁部材３２上に取付けられる電界放出素子ユニット４０と、前記電界放出素子ユニット４０と前記ピン３３の端部３３ａとを電気的に連結するワイヤ３４とを具備する陰極構造体３２０と前記陰極構造体３２０を採用した陰極線管用の電子銃３００により、画面の出画時間及びホワイトバランスの安定化時間が縮められ、生産性が向上される。 （もっと読む）