【目的】 電界強度の増大に伴なう加熱破壊の生じない電子放出素子を得る。
【構成】 ゲート電極１５を２層構造とする。下層は熱膨張係数が８．４×１０^-6のＷＳｉ層１３とし、上層は熱膨張係数が２．２×１０^-6のＳｉＮ層１４とする。このように下層の熱膨張係数が大きいため、フィールドエミッションチップ１７とゲート電極１５との電界強度が増すと加熱が生じるが、ゲート電極１５が上方に弯曲するため、素子破壊が防止できる。 （もっと読む）

【目的】 エミッタの形状再現性や均一性、さらにゲート−エミッタ間の距離の制御性を高め得ると共に、その形成領域を容易に大面積化することができる電界放出型冷陰極の製造方法を提供する。
【構成】 底部を尖らせた凹部１２を有する第１の基板１１に、熱酸化絶縁層１３を形成する。凹部１２内を埋めつつ、熱酸化絶縁層１３上にエミッタ材料層１４を形成する。第１の基板１１と構造基板からなる第２の基板１７とを接合する。第１の基板１１をエッチングにより除去し、熱酸化絶縁層１３を露出させると共に、凹部内に充填されたエミッタ材料に相当する凸部１８を突出させる。露出された熱酸化絶縁層１３上にゲート電極層１９を形成した後、凸部先端部１８ａが露出するように、熱酸化絶縁層１３およびゲート電極層１４の一部を除去して、エミッタ１８を形成する。 （もっと読む）

【目的】 ０．０５ミクロン代の小さな構造サイズを必要とせず、５ｘ１０⁵Ｖ／ｃｍ程導電界のみを用いて、大量の電子を放出させることができる、電子放出電子素子を提供する。
【構成】 ダイヤモンド材料電子放出部（１０１）とアノード（１０２）とが双方とも支持基板（１０３）上に配置されており、それらの間に相互電極領域（１３０）を規定するようにした、電子素子。相互電極領域（１３０）を横切る電子の搬送は、ダイヤモンド材料電子放出部（１０１）の放出面（１２０）において、開始される。代替実施例では、実質的に対称的で、電子放出部（３０１）について軸方向にずれており、かつ相互電極領域（３３０）内にあるゲート電極（３４０）を用いて、変調能力を設けている。 （もっと読む）