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国際特許分類[H01J1/30]の内容

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【目的】SCE(表面伝導型電子放出素子)型のフラットパネルディスプレイなどに使用され、その構成後に空気中などでの熱処理工程を経ることになる配線構造であって、この熱処理工程によっても表面の酸化や抵抗値の増加が起こらない配線構造を提供する。
【構成】銅で構成された導電母体3と、導電母体3とガラス基板1との間に介在しクロムなどからなる密着層2と、導電母体3の露出部の全体を被覆するクロムなどからなる保護層3とを設ける。この配線構造は、例えば、■密着層および導電母体とをリフトオフ法で形成し、その後、密着層および導電母体の配線パターンよりも幅の広いパターンによって保護層を形成することにより、あるいは■密着層および導電母体とを形成した後、保護層をめっき法によって形成することにより、製造される。 (もっと読む)


【目的】複数の薄膜に通電処理することにより電子放出部を形成するフォーミング処理において、フォーミング条件のばらつきを低減し、画像表示駆動時における輝度のばらつきを抑える。
【構成】マルチ冷陰極電子源を構成する各電子放出素子(本例では表面伝導型電子放出素子、即ちSCE素子201)毎に直列に固有抵抗202を接続している。固有抵抗202の抵抗値は、SCE素子201の電子放出部形成後の抵抗値に近いほどフォーミング時における抵抗値のバラツキの補償範囲を大きくできるが、駆動時の電圧の有効率が50%に近くなる。また、電子放出部形成前の薄膜の抵抗値に近いほど、駆動時の電圧の有効率は100%に近くなるが、素子の抵抗バラツキの補償範囲が狭くなる。 (もっと読む)


【目的】 半導体装置の製造方法に関し、ナノメータサイズのシリコン細線またはナノメータサイズのシリコンドットを容易に形成する手段を提供する。
【構成】 ポリシリコン層3等のシリコン層の表面に選択的にドライエッチングを施すことによって細線状またはドット状にパターニングした後に、アンモニアと過酸化水素水と水の混合溶液(好ましくは、1:2:5の割合、75℃以下)によって等方性ウェットエッチングを施すことによって、ナノメータ幅をもつシリコン細線またはナノメータサイズのシリコンドット31 ,32 ,33 ,34 を形成する。この際、シリコン層の(111)表面にKOHによって深さ方向の異方性エッチングを施すことによってエッチング面が極めて平坦なシリコン細線(ピラー)を形成する。この際SOI基板を用いて独立したシリコン細線等を形成する。この工程によって発光装置、電界電子放出陰極、シングルエレクトロンメモリ等を製造する。 (もっと読む)


【目的】 簡易かつ短いスループットで形成することが可能な、大面積にわたって均一な寸法および形状の電界放出型冷陰極アレイを実現する。
【構成】 隣り合う第1の基板11どうしのスペース(間隙)に、アノード電極層8とエミッタ2の先端部との間隙距離を保持するための基板間隙保持部材5を堆積形成させる。この基板間隙保持部材5を堆積することによって冷陰極アレイ(エミッタ2のアレイ)を大面積化するとともに、基板間隙保持部材5とアノード電極層8との間隔距離を大面積にわたって均一に保持することを、簡易な方法で実現することができる。 (もっと読む)


【目的】 簡単な構成で且つ容易に、多数の表面伝導型電子放出素子からなる電子源を構成し、該電子源の任意の電子放出素子を選択して電子放出せしめ、高い表示品位の画像を形成する画像形成装置を実現する。
【構成】 複数のX方向配線56とY方向配線55とでマトリクスを形成し、両配線の交点において、両配線間に設けた絶縁層58側面を利用して、両配線に接続して導電性膜54を形成し、該導電性膜54に電圧を印加することにより該導電性膜54を一部破壊して電子放出部53a、53bを形成してなる電子源と、該電子源に対向して蛍光体等画像形成部材59を設けてなる画像形成装置。 (もっと読む)


【目的】 コーン形のように特に高精度の製造技術を必要とせず、完成した各素子の破損によるショートの発生も起き難いようにでき、さらに、エッジ形の場合よりも優れた電気的特性並びに電子放出に関する均一性及び安定性を有する電子放出素子を提供する。
【構成】 例えば長方形状に形成された複数の張出し部11aを放射状又は求心状に並べることによって形成されたエミッタ1と、そのエミッタ1の近傍に設けられていてそのエミッタ1に電界を印加するゲート2とを有する電子放出素子及びその製造方法。エミッタ1の各張出し部11aの先端には、3次元的に突出してその先端が鋭く尖った2個の尖端突起10aが形成される。ゲート2とエミッタ1間に電界をかけたとき尖端突起10aから集中的に電子が飛び出る。 (もっと読む)


【目的】 多数の表面伝導形電子放出素子を備える電子源で、入力信号に応じて任意の素子を選択し、その放出電子量を制御し得る簡易な構成で且つ容易に製造できる新規な構成の電子源と画像形成装置を提供することを目的とする。
【構成】 入力信号に応じて電子を放出する電子源において、該電子源は、基板と、該基板上に絶縁層を介して積層されたm本の行方向配線及びn本の列方向配線と、一対の素子電極間に電子放出部を含む薄膜を有する表面伝導形電子放出素子の複数とを有し、該複数の表面伝導形電子放出素子は、該素子電極と該行方向配線および該列方向配線とが結線されて、行列状に配列されており、且つ、該電子源は、該複数の表面伝導形電子放出素子の中から、素子行を選択する選択手段と、該入力信号に応じて変調信号を発生し、該選択手段により選択された該素子行に、該変調信号を印加する変調手段とを有することを特徴とする電子源、及び画像形成装置。 (もっと読む)


【目的】エミッタ基板周辺部での特性を改善しプレート状の素子全面に亘って良好且つ均一な特性を有する電子放射素子を得ることにある。
【構成】貫通孔1aを有するゲート電極1と該貫通孔1aと対向する導電領域21に電子放出用微小突起状のエミッタ電極22を有するエミッタ基板20とを絶縁層2を介して積層したプレート状の電子放射素子であって、該電子放射素子は、前記ゲート電極板1側に曲率中心部Oをもつ所定曲率半径Rの球面状若しくは円柱面状の三次元曲面形状である電子放射素子とその製造方法。 (もっと読む)


【目的】 高精細で鮮明かつ高コントラストの画像が得られる、画像形成装置並びに電子線発生装置の駆動方法を提供することにある。
【構成】 複数の電子放出素子を有する電子源と、該電子源から放出される複数の電子線を情報信号に応じて変調する変調手段とを有する電子線発生装置の駆動方法において、該電子線の変調に際し、該変調手段への情報信号の入力を時間的に分割して行うことを特徴とする電子線発生装置の駆動方法。 (もっと読む)


【目的】 陰極ルミネセンス層103,203に対し遠位に配置された透明なフェースプレート104,204上に配置された透明な導電層105,205上に配置されたダイヤモンド材の層106,206を有する電子エミッタを提供する。
【構成】 外部から付与される適切な信号の入力が、ダイヤモンド材層106,206からの電子の放出を誘発し、陰極ルミネセンス層103,203からの光子放出を実質的に励起する。 (もっと読む)


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