【課題】加工物を加工するために使用されるガスクラスターイオンビームを制限するためのビーム制限装置および方法を提供すること。
【解決手段】ビーム制限装置(400、500、600)は、加工物(152)から離れる方向に第1の部材(402)から突出する第2の部材(412)と、第1および第2の部材(402、412)内で画成され、ガスクラスターイオンビームの少なくとも一部分を加工物(152)に送るような形状にされた開口(404)を含む。 （もっと読む）

【課題】複数の電子線の軸上色収差が補正でき、非点収差や偏向収差も低減できる電子線装置及びこれを用いたパターン評価方法を提供すること。
【解決手段】一次電子線を放出する電子銃と、前記一次電子線の一部が通過する複数の開口を有するマルチ開口板と、前記開口を通過する一次電子線を縮小するコンデンサレンズと、縮小された一次電子線を試料の表面に結像させる対物レンズとを備える一次光学系と、前記試料から放出される二次電子線を偏向する偏向器群と、前記偏向器群で偏向された二次電子線を拡大する拡大レンズと、拡大された二次電子線を検出する二次電子線検出器とを備える二次光学系とを備え、前記一次光学系に、前記対物レンズで生じる軸上色収差に対応した軸上色収差を発生させる非分散ウィーンフィルタからなる軸上色収差補正レンズを備えること。 （もっと読む）

【課題】集束レンズの強度を変化させて照射電流を変化させるに際して、集束レンズの強度変化に対して、照射電流の急激な変化を抑えることができる走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】電子ビームを発生させる電子源と、前記電子ビームを集束させるための第１及び第２の集束レンズ６，９と、前記電子ビームを試料上に細く絞るための対物レンズ１４と、前記試料上を二次元的に走査するための偏向系と、前記電子ビームの照射により前記試料から発生した二次電子を検出するための検出系１３を具備した走査電子顕微鏡において、前記第１及び第２の集束レンズ６，９との間に、前記試料１５側に前記電子ビーム５の不要部分を遮断するための第１の絞り板８ａと第２の絞り板８ｂを順次配置したものである。 （もっと読む）

【課題】短時間で容易に、かつ、精度良くアパーチャの中心軸の位置調整が可能な荷電粒子ビーム装置、及び、アパーチャの軸調整方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム装置１は、荷電粒子源９と、アパーチャ１８と、対物レンズ１２と、観察手段３２と、アパーチャ駆動部１９と、制御部３０とを備える。制御部３０は、荷電粒子ビームＩを照射することで、試料Ｎの表面Ｎ１に複数のスポットパターンを形成させるスポットパターン形成手段３３と、スポットパターンのスポット中心の位置、及びハローの幾何学的な中心位置を算出する解析手段３４と、各スポットパターンにおけるスポット中心の位置とハローの中心位置とを結んだ線同士が交差する位置に基づいて調整位置を算出する調整位置決定手段３５とを有し、調整位置にアパーチャ１８の中心軸を移動させることでアパーチャ１８の位置を調整する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子発生源からの出力を容易に変えることを可能にして、荷電粒子発生源のエネルギーの利用効率を高める光学系、その光学系を用いる露光装置、及びその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】荷電ビームを発生する荷電粒子発生源１０１と、コンデンサーレンズ１０２と、複数個の同じ開口を有するアパーチャーアレイ１０３と、コンデンサーレンズ１０２とアパーチャーアレイ１０３との間の少なくとも２段の荷電ビームレンズアレイ１１１ａ，１１３ａとを有する光学系を構成する。各荷電ビームレンズアレイ１１１ａ，１１３ａの間でクロスオーバーを形成し、コンデンサーレンズ１０２に近い側の荷電ビームレンズアレイ１１１ａの開口をアパーチャーアレイ１０３の開口よりも大きい直径にする。 （もっと読む）

ａ）近位側および遠位側を有し、その中を貫通するアパーチャを少なくとも１つ有する第１の電極であって、前記アパーチャの壁面が、該第１の電極の遠位側の前記アパーチャの半径が該電極の前記近位側の前記アパーチャの半径よりも大きくなるように形成されている第１の電極と、ｂ）前記第１の電極の前記遠位側に隣接するがそこから間隔をあけて配置され、その中を貫通するアパーチャを少なくとも１つ有する第２の電極と、ｃ）前記第２の電極に隣接しかつそこから間隔をあけて配置され、その中を貫通するアパーチャを少なくとも１つの有する第３の電極と、を備え、各電極の前記少なくとも１つのアパーチャが、他の電極の対応するアパーチャに対して揃えられているイオンビーム加速装置であって、前記電極は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に電位差が生じ、かつ、前記第２の電極と前記第３の電極との間に電位差が生じるように配置されている、イオンビーム加速装置。
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【課題】 帯電やコンタミネーションの影響を長期間にわたって有効に防止できる荷電粒子線用絞りプレートを供給する。
【解決手段】 集束したイオンビームＩＢを穿孔部１６に照射し、イオンエッチングの作用により絞り基体２ａに絞り孔を形成する。また、絞り孔を形成する前に絞り基体２ａの表面にイオンビームを照射することにより絞り基体の表面を清浄化する処理及び／又は絞り孔を形成した後に絞りプレートの表面にデポジション用ガスの吹き付けとイオンビーム照射行うことによって絞りプレートの表面に導電性薄膜を形成する処理を行う。 （もっと読む）

【課題】荷電ビーム描画用のアパーチャマスクを使用する荷電ビーム描画に関して、アパーチャマスクに打ち込まれた電荷が、アパーチャマスクを通過する後続の荷電ビームの軌道に悪影響を与えるのを防止する。
【解決手段】荷電ビーム描画用のアパーチャマスクであって、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された第２の半導体層とを有し、前記第１の半導体層と前記絶縁膜と前記第２の半導体層とを貫通するアパーチャが形成されているマスク基板と、前記マスク基板の表面と前記マスク基板に形成されている前記アパーチャの側壁面とを被覆する導電層であって、前記アパーチャの側壁面に露出した前記絶縁膜の露出面を被覆する導電層とを備えることを特徴とするアパーチャマスク。 （もっと読む）

【課題】電子光学系の各部品及び差動排気用オリフィスの保守点検が容易に行え、またパイプの芯出しの容易な差動排気走査形電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】差動排気走査形電子顕微鏡は、電子線を発生する電子源を配置する電子銃室１と、試料を配置する試料室２とを、鏡筒部７で連絡し、この鏡筒部７には、内部を電子線が通過するインナーパイプ１４を設けると共に、少なくとも前記電子銃室１からの電子線の収束手段であるコンデンサレンズ８、１３と、試料室２内の試料に収束させる対物レンズ９とを備えている。そして、インナーパイプ１４は、電子銃室１側から試料室２上部までの一体の長さに形成すると共に、試料室２側に位置する先端部に差動排気用オリフィス兼用対物絞りユニット１６を取り付けている。インナーパイプ１４の電子銃室１側内には、コンデンサ絞りユニットとなるライナーチューブ１５を装着する。 （もっと読む）

【課題】 変形が生じにくい遮蔽層を有するステンシルマスクを提供すること。
【解決手段】 ステンシルマスク１０は、処理基板が配置される側に設けられている第１層２２と処理基板が配置される側とは反対側に設けられている第２層２４を有している遮蔽層２０を備えている。第１層２２には、処理基板の所定エリアに対応する形状の開孔３０が形成されている。第２層２４は、第１層２２上に分散して形成されていることを特徴としている。 （もっと読む）