【課題】半導体チップ製造分野の局所領域ナビゲーション用の改良された高精度ビーム配置法を提供すること。
【解決手段】例えばメモリ・アレイまたは類似の構造内の個々のビット・セルの欠陥を特徴づけまたは補正するために、本発明の好ましい実施形態を使用して、メモリ・アレイまたは類似の構造内の単一のビット・セルへ迅速にナビゲートすることができる。アレイの（Ｘ軸またはＹ軸に沿った）１つのエッジのセルの「ストリップ」を走査するために高解像度走査を使用して、所望のセルを含む列の位置を特定し、続いて、位置が特定された列に沿って（もう一方の方向に）、所望のセル位置に到達するまで同様に高速走査する。これによって、アレイ全体を画像化するのにかかる時間の大きな消費なしに、パターン認識ツールを使用して、所望のセルへナビゲートするのに必要なセルを自動的に「数える」ことが可能になる。 （もっと読む）

【課題】走査型電子顕微鏡で表示された観察画面に設けられた仮想点を中心に試料を回転させるローテーションユーセントリック動作において、回転誤差を補正し、画面上の回転中心の位置変動を低減させるステージ装置を実現する。
【解決手段】試料もしくは試料ホルダもしくは回転テーブルに位置と方向が測定可能なマーカーを設け、所定の動作パターンに従ってステージの回転・並進移動を行いそのときのマーカーの位置と方向とを測定し、その結果から回転テーブルの回転中心を同定し、かつ、回転誤差を補正する回転角補正量と回転中心の位置変動を補正する並進補正量とを求め回転角に対する補正量テーブルを作成し、入力された回転角指令値もしくは実回転角に対応した補正量を補正量テーブルから取得して入力された回転・並進指令値もしくは検出された回転角・並進位置を補正してステージを制御する。 （もっと読む）

【課題】電子顕微鏡による試料の構造や特性を観察する方法において、２次電子信号で得られる試料情報の選択性と画質を向上させる。
【解決手段】電子線を用いて試料の構造観察や材料特性を評価するにあたって、断続的に電子線を照射し、断続的な電子線照射下で得られる２次電子の過渡応答の中で、必要な試料情報を反映した２次電子信号を検出時間により選択することで、不要な情報の重畳を防ぎ、高画質な観察を実現する。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢ装置による試料の自動加工を行うにあたって、加工領域の位置を特定する識別マークを正常に検知出来ずに、加工が失敗する場合がある。識別マークを正常に検知するためには、各種設定値を適宜に調整する必要があるが、この調整作業は加工領域および識別マークにダメージを与えてしまう。
【解決手段】加工対象である試料の表面に、加工領域と、識別マークとに加えて、基準形状を形成する。この基準形状を、識別マークを検出するために必要な設定値群を調整するために用いることで、識別マークや加工領域にダメージを与えることなく設定値群の調整を行うことが出来る。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、異なる種類の複数の検出器を有した走査電子顕微鏡において、任意の観察条件で操作者が所望する観察画像を容易に取得する手段を提供することにある。
【解決手段】前記目的を達成するために、任意の観察条件を連続的に変化させながら画像をリアルタイムに表示させ、操作者はリアルタイムに表示される画像から、最適と感じる画像を選択することで容易に画像を取得することができる。観察条件には、ワーキングディスタンス，真空度，複数に分割された反射電子検出素子の検出信号の加減算操作、低真空二次電子検出器のバイアス電極に印加する電圧、ミキシング画像を表示する際の信号の混合比がある。 （もっと読む）

【課題】欠陥ファイルに登録された欠陥の位置情報を用いてファインアライメントを実行する機能を備えた観察装置において、ファインアライメント補正を正確なものとし、レビューのために要するユーザの工数を低減する。
【解決手段】レビュー装置が検出した欠陥のステージ位置から、そのステージ位置に近い欠陥候補を検査装置が提供する欠陥情報（欠陥種別，欠陥画像，欠陥サイズ）とともに一覧表示し、ファインアライメント補正に使用する欠陥を選択できるようにする。 （もっと読む）

【課題】イメージシフトの際、両立が困難であった、広い偏向領域と高い寸法計測再現性とを両立できる荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子源１０１、偏向手段（１０３、１０４、１０５等）、焦点位置変更手段（１０６、１０８）を制御すると共に検出器１１９により検出された電気信号により画像用データを作成する制御演算部１２１と、撮像条件ごとに登録された補正係数を保存する記録部１２０を有する荷電粒子線装置において、制御演算部は、焦点位置を変えながら複数の画像を取得し、画像内のマークの位置ずれ量と、記録部に登録された補正係数にもとづいて、計測用画像を取得する際に、荷電粒子線のランディング角が垂直となるように光学条件を制御する。 （もっと読む）

【課題】低照射量で取得される画像の品質改善。
【解決手段】当該粒子光学装置は、粒子源101、結像される対象物111を設ける対象物面、対象物面を照射する収束系104、対象物を透過する粒子を結像させ、対象物面の画像を生成する投影系106、及び画像を検出する検出器150を有する。検出器は、画素のアレイを有する半導体センサを有する。画素のアレイは、検出器に入射する粒子に応答して、アレイの各対応する画素から複数の画素信号を供する。当該方法は、複数の画素信号を受信する手順、複数の画素信号のビタビ検出(ViterbiDetection)を用いて再構成された画像を決定する手順を有する。ビタビ検出は、検出器に入射する複数の粒子の分布に対応する複数の異なる状態、及び、少なくとも2つの状態であって、複数の画素信号の単一の画素に入射する粒子のゼロではない同一の多重度に対応する状態を用いる。 （もっと読む）

【課題】試料の表面に生じている電荷分布をミクロンオーダーの高分解能で測定することを可能とする。
【解決手段】表面電荷分布を有する試料を荷電粒子ビームで走査し、試料の表面電荷分布を測定する表面電荷分布測定方法。装置の構成に基づいて試料の表面電荷分布モデルを設定するモデル設定工程と、起点の時点から次点の時点までの時間間隔を設定して荷電粒子ビームの軌道を算出する軌道計算工程と、試料の表面電荷分布の実測値を求める実測工程と、軌道計算工程において算出された電子軌道計算データを、実測工程における実測値と照合する照合工程と、照合工程において電子軌道計算データと実測値との誤差が所定の範囲内であれば表面電荷分布モデルを実際の表面電荷分布として採用する判定工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
多層レイヤにおける下層領域やホールパターンの穴底など，試料から十分な信号量が得られにくい領域に対しても高画質である画像を撮像する。
【解決手段】
荷電粒子顕微鏡装置を用いた試料の画像撮像方法であって，前記荷電粒子顕微鏡装置の検出器のゲインを第一のゲイン値に設定して前記試料に対して荷電粒子ビームの走査を行い，第一の画像を取得する第一画像取得ステップと，前記検出器のゲインを前記第一のゲイン値とは異なる第二のゲイン値に設定して前記試料に対して荷電粒子ビームの走査を行い，第二の画像を取得する第二画像取得ステップと，前記第一のゲイン値と前記第二のゲイン値を用いて，前記第一の画像と前記第二の画像を合成する画像合成ステップと、を有することを特徴とする画像撮像方法である。 （もっと読む）