【課題】断面試料作製時に、ボイド、異種物質由来の凹凸の発生を抑え、観察／分析に好適な試料断面を作製する。
【解決手段】イオンビーム２の光軸（Ｚ軸）に対し試料３をチルト振動させて、試料３の加工面３ａが傾斜軸方向（Ｙ軸方向）に向いた面状態と、その面状態から加工面３ａの試料台側部分が加工面３ａのマスク側部分よりも傾斜軸方向（Ｙ軸方向）に突出したチルト面状態との間での、試料３の加工面３ａの傾斜及び傾斜回復を繰り返すことにより、加工面３ａにイオンビーム２が低角度照射し、ボイド６１、異種物質６２由来の凹凸６３を抑える。 （もっと読む）

【課題】ストライプ間でドリフト補正量のばらつきをより少なくすることが可能な描画可能な装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、描画領域が短冊状に分割された複数のストライプ領域について、ストライプ領域毎に当該ストライプ領域を描画する描画時間を予測するストライプ描画時間予測部５２と、描画される前のストライプ領域に対し、当該ストライプ領域の予測された描画時間の中間時刻を用いて、当該ストライプ領域を描画する際の荷電粒子ビームのドリフトを補正する補正量を算出するドリフト補正量算出部５４と、当該ストライプ領域を描画する際に、当該ストライプ領域の描画開始位置から、算出された補正量で補正された描画位置に所望のパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ブランキング偏向器アレイの欠陥検査時間の短さの点で有利な描画装置を提供する。
【解決手段】この描画装置は、被処理基板に対して複数の電子ビームによりパターンを描画する装置である。ここで、制御部は、移動体５を移動させながら、切り替え部により電流検出部１７ａに対して最初に入射する第１電子ビームＢ_１の照射をＯＮとしたときの信号出力を検出し、次に、第１電子ビームＢ_１の照射をＯＦＦとし、第１電子ビームＢ_１の隣に位置し、第１電子ビームＢ_１の次に入射する第２電子ビームＢ_２の照射をＯＮとしたときの信号出力を検出する処理を繰り返す信号検出部と、信号検出部が検出した信号出力に基づいて、切り替え部における欠陥の状態を判定する欠陥判定部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】異常停止が起こる前にハードディスク装置等の記憶装置の異常を検出する描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、ハードディスク装置１４２と、ハードディスク装置１４２のデータ読み出し処理を行う読み出し処理部１２と、データ読み出し処理におけるデータ読み出し時間を演算する読み出し時間演算部１４と、データ読み出し時間が閾値以上か否かを判定する判定部１６と、判定の結果、データ読み出し時間が閾値以上の場合にハードディスク装置１４２が異常であることを示す情報を出力する出力部１８と、判定の結果、閾値以上の場合にハードディスク装置１４２を別のハードディスク装置と交換した上で別のハードディスク装置を用いて、描画データのデータ処理を行う描画データ処理部１０と、データ処理された結果に基づいて、荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ゲインよるショットサイズの追加補正を行なっても、ショット位置にずれが生じず、パターンサイズと位置を精度良く補正できる方法および装置を提供することを目的とし、上記方法および装置を用いることにより、高精度のフォトマスクを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のパターン描画補正方法は、ショットサイズの追加補正を加えると共に、この追加補正量に基づいて、ショット位置を補正することで、パターンサイズと位置を精度良く補正することが可能となる （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線の本数が増加すると、ブランキング偏向器アレイの製造における歩留まりが悪くなってしまう。
【解決手段】 偏向器アレイは、複数の開口が形成されたベース基板と、複数の開口が形成され、前記複数の開口のうち少なくとも一部の開口の両側に設けられた複数の電極対を有する複数の偏向器チップと、を備える。
さらにベース基板の複数の開口に対応する位置に偏向器チップの複数の開口が配置されるように、１枚のベース基板に対して複数の偏向器チップが固定される。 （もっと読む）

【課題】
試料へのダメージが少なく加工効率に優れたイオンミリング装置、更には平面加工および断面加工にも柔軟に対応できる処理能力の高い装置を提供する。
【解決手段】
個別に制御可能な複数のイオン銃3を一つ試料室5に設け、このイオン銃3に対応して複数の試料1を試料ステージ8に設置する。複数のイオン銃3および試料ステージ8は制御装置９によって個別に制御可能であり、複数のイオン銃3を同時に作動させ、試料ステージ8をスイング又は傾斜・回転するすることで、複数の試料を同時に平面加工もしくは断面加工する。 （もっと読む）

【課題】反射電子ビームリソグラフィ装置のパターン生成器の画素素子の革新的なレイアウトを提供する。
【解決手段】一実施形態は、対象基板上にパターンを書き込むための装置に関する。この装置は、画素素子の複数の配列を含み、各配列は、互いにオフセットされている。加えて、この装置は、複数の配列上に合焦させる入射ビームを生成するための発生源１２０２およびレンズと、パターン化ビームを形成するために、画素部分が入射ビームを選択的に反射するように各配列の画素素子を制御するための回路と、を含む。さらに、この装置は、対象基板上にパターン化ビームを投射するための投射器１２１４を含む。また、他の特徴、態様および実施形態も開示される。 （もっと読む）

【課題】従来のシリコンの水素化物やハロゲン化物を原料ガスとして用いたデポジションに比べ、高速な半導体膜デポジションが可能な荷電粒子ビーム装置を提供すること。
【解決手段】荷電粒子源１と、集束レンズ電極２と、ブランキング電極３と、走査電極４と、試料９を載置するための試料台１０と、荷電粒子ビーム照射により試料９から発生する二次荷電粒子７を検出する二次荷電粒子検出器８と、シクロペンタシランを原料ガスとして収容するリザーバ１４と、原料ガスを試料９に供給するガス銃１１と、を備える荷電粒子ビーム装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】カソードの寿命を向上させることのできる電子銃およびその電子銃を使用した電子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】電子を放出するエミッタ１０を有する電子銃において、エミッタ１０を、電子放射特性を有する第１の材料からなる第１の部材１１と、第１の材料より仕事関数が大きい第２の材料からなる、第１の部材１１を被覆する第２の部材１２とを有するように構成し、さらに、第１の部材１１と第２の部材１２との間に溝１５を設ける。溝の長さ（Ｈ＋Ｗ）は５０μｍ以上であることが好ましい。 （もっと読む）