【課題】偏向器の電極対の温度上昇を抑制し、かつ、スループットの向上に有利な偏向器アレイを提供する。
【解決手段】偏向器アレイ１３は、荷電粒子線３０を偏向する偏向器３１を複数備える。ここで、偏向器３１を構成する、荷電粒子線３０が通過する開口部３２に対して設置される電極対３３、および該電極対３３に電圧を印加する制御回路３４は、第１層４０および第２層４１の少なくとも２つの層からなる積層構造体に形成され、層の少なくとも１つ（第１層４０）は、電極対３３と制御回路３４との間に、断熱部４２を有する。 （もっと読む）

【課題】従来よりもさらに偏向精度を向上させることが可能な描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は描画対象となる基板の高さ方向分布を測定するＺ測定部５０と、基板の描画位置に依存して生じるパターンの位置誤差を高さ方向の値に換算した位置依存高さ方向分布を基板の高さ方向分布に加算して、補正するＺマップ補正部５４と、補正されたＺマップを用いて描画されるパターンの位置ずれ量を演算するＺ補正部６０と、得られた偏向ずれ量が補正された位置に電子ビームを偏向するための偏向量を演算する偏向量演算部６２と、得られた偏向量で荷電粒子ビームを偏向して、基板にパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】レジストヒーティングによる影響を抑制することを目的とする。
【構成】描画装置１００は、レジストが塗布された描画対象となる試料の描画領域が仮想分割された複数の小領域のそれぞれの小領域内に配置される複数の図形パターンの各パターンデータであって、図形パターン毎に、当該図形パターンが所属する小領域内でさらに複数のグループの１つに振り分けられるための振り分け識別子が定義された各パターンデータを記憶する記憶装置１４０と、グループ毎に描画順序が並ぶように、各小領域に当該小領域に配置される各パターンデータを割り当てるＳＦ割当部５６と、電子ビームを用いて、グループ毎に、各小領域に当該小領域に配置される各図形パターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レジストの厚膜化を必要とせず、スループットの低下を最小限にして、ラフネスを向上させることのできる荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】パターンの面積密度と、電子ビームの照射量と、パターンのエッジラフネスとの関係を求め、所定の領域におけるパターンの面積密度と電子ビームの照射量とから、上記関係を用いて、このパターンのエッジラフネスが許容値以下であるか否かを判定する。エッジラフネスが許容値を超える場合には、パターンの面積密度を小さくするリサイズ量を計算し、このリサイズ量に基づきリサイズされたパターンについて、上記領域におけるこのパターンの面積密度と電子ビームの照射量とを求め、上記関係を用いてこのパターンのエッジラフネスが許容値以下であるか否かを判定する工程をエッジラフネスが許容値以下となるまで繰り返す。 （もっと読む）

【課題】試料交換回数を減らし装置の稼動率を向上することで、試料作製の経済性を向上したイオンビームエッチング装置を実現する。
【解決手段】試料テーブル１００は、試料１０４を取りつける受容機構１０６とマスク１０５及び、少なくとも１つの位置決めユニット１０１、１０２、１０３を備えている。試料１０４はマスク１０５に対して相対的に位置決め可能である。試料テーブル１００は、１つの試料１０４がイオンビームにさらされている間、残りの位置決めユニット１０１、１０２、１０３がイオンビームから回避される様に配置し、回転機構により試料１０４を順次エッチング加工する事ができる。 （もっと読む）

【目的】並列処理する処理装置の一部で処理エラーが生じた場合でも効率よく描画データを処理する描画データ処理制御装置等を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画処理ユニット１１０は、ＨＤＤ１２４に記憶されている所定の描画領域毎に区切られた複数の描画データの処理を、互いに並列処理する複数の並列演算ユニット１３０のいずれかに順次割当てる割当て部１１６と、割当てられた並列演算ユニット１３０で処理エラーが生じた場合に、処理エラーが生じた並列演算ユニット１３０を次回以降の描画データ処理の割当て対象から切り離す切り離し部１１４と、を備え、割当て部１１６は、処理エラーが生じた描画データの処理を別の並列演算ユニット１３０に割当て直すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】例えば、偏向器に与えられる電位の安定化に有利な描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置は、偏向器を有し、該偏向器で偏向された荷電粒子線で基板に描画を行う。ここで、偏向器１９は、荷電粒子線を偏向する電界を生成する電極対を構成し、かつ、線を介して電位を与えられる電極ｄ（ｄ１〜ｄ４）と、電極ｄに一端が接続され、かつ、他端が接地されたコンデンサ５０とを含む。 （もっと読む）

【課題】主偏向アンプの安定性を正確に評価することのできる方法を提供する。また、主偏向アンプの安定性を正確に評価することにより、高い精度で描画可能な荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】主偏向器の偏向幅で定められる主偏向領域２００の所定位置に電子ビームを照射し、所定時間後に、主偏向領域２００を構成する下地材料とは反射率の異なる材料からなる評価用マーク１００に対し、下地と評価用マーク１００の両方にかかる位置に電子ビームを照射して反射電子を電流値として検出し、電流値の変動量を基に主偏向アンプを評価する。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの照射を受けて遮蔽板が高温度となって遮蔽板の支持部材に熱膨張が発生して遮蔽板が移動しても、良好な断面試料を作製する試料作製装置を提供する。
【解決手段】遮蔽板を試料の一部が露出しその他が遮蔽されるように配置し、遮蔽板と試料６の露出部分に跨るようにイオンビームを試料６に照射することにより、試料６の露出部分をエッチングして試料断面を作製する試料作製装置であって、遮蔽板ステージ９と、前記遮蔽板ステージ９により基端部を支持され、先端側が自由端となされた支持部材と、前記支持部材の先端側に支持された遮蔽板とを備え、前記支持部材は、前記遮蔽板の前記支持部材の基端側に向かう一側縁が前記イオンビームの照射位置となるように該遮蔽板を保持し、この遮蔽板により前記イオンビームが遮蔽される位置に設置された前記試料の該遮蔽板の一側縁から露出した箇所への前記イオンビームによる加工を行わせるようにした。 （もっと読む）

【課題】装置の動作時においてダウンタイムを短縮できる荷電粒子銃および荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子銃である電子銃１０は、荷電粒子源である電子源を備えて電子ビームを放出するカソード１３を複数備えて回転自在に配設された回転体バレル１２と、加熱機構２１とを有する。バレル１２はチャンバ１１内に収容されており、かつ動力部１４に接続された回転軸１５と、支持部１６によって支持される。そして、上部に設けられた加熱機構２１からの放射により加熱が可能とされる。電子ビーム描画装置は電子銃１０を用いて構成され、加熱機構２１によるバレル１２の加熱によってバレル１２の素早い加熱が可能とされ、カソード１３の素早い安定化が可能とされている。 （もっと読む）