【課題】光学鏡筒に対する磁場遮蔽とフットプリントとの両立に有利な描画装置を提供する。
【解決手段】この描画装置１は、荷電粒子線で基板５に描画を行う描画装置であり、基板５に対して荷電粒子線を射出する光学鏡筒３と、基板５を保持し、光学鏡筒３の軸に対して少なくとも垂直な方向に可動とするステージ６と、検出器１３と、ステージ６の側面に対向するように検出器１３を支持する支持部１４とを含み、ステージ６の位置を計測するための検出部と、ステージ６に設けられ、ステージ６の上面に対向する光学鏡筒３の開口を磁場から遮蔽する磁気遮蔽部１２とを備える。ここで、磁気遮蔽部１２は、軸の方向にて検出部とは重ならないような配置でステージ６に備えられている。 （もっと読む）

【課題】データ処理の待ちによる描画時間の延長を抑止する。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置１は、試料Ｗにパターンを描画するための描画データにより定義される描画領域を複数のストライプ領域に分割し、ストライプ領域毎にストライプ領域をデータ量の第１の規定値に応じて複数の分散処理領域に分割又は一つの分散処理領域とみなし、分散処理領域毎に描画データを並列に処理する描画データ処理部３２と、その描画データ処理部３２により生成された分散処理領域毎のデータに基づいて、ストライプ領域又は分散処理領域毎に試料Ｗに対して荷電粒子ビームによる描画を行う描画部２とを備える。描画データ処理部３２は、複数のストライプ領域の中で描き始めのストライプ領域又は描き終わりのストライプ領域を、データ量が第１の規定値より小さい第２の規定値以下である複数の分散処理領域に細分化する。 （もっと読む）

【課題】帰還抵抗に対して予め当該帰還抵抗が設けられているＤＡＣアンプに対して設定される最大値の電圧を印加しその発熱状態を標準状態とすることで、出力電圧の変化が生じても電子ビームに対する影響を最小限に抑え高精度な描画処理を行うことができる荷電粒子ビーム描画装置及びＤＡＣアンプの安定化方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームＢを用いて移動可能なステージ上に載置される試料にパターンを描画する描画部２と、荷電粒子ビームＢの光路に沿って配置される偏向器に電圧を印加するＤＡＣアンプ３４，３５と、ＤＡＣアンプ３４，３５に対する制御を行うＤＡＣアンプ制御部３１ｊを備える制御計算機３１と、から構成される制御部３と、を備え、ＤＡＣアンプ制御部３１ｊは、ＤＡＣアンプ３４，３５に印加する電圧を当該ＤＡＣアンプ３４，３５に対して設定される最大値で継続して印加する。 （もっと読む）

【課題】 真空室内のデバイスに高速かつ大量に信号を伝送するにあたり、該デバイスへの熱の流入の少なさの点で有利な技術を提供する。
【解決手段】 複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置は、減圧室に配置され、前記複数の荷電粒子線をそれぞれブランキングするブランキング偏向器と、前記減圧室より気圧の高い外部室に配置され、前記ブランキング偏向器を制御するためのデバイスと、第１基板と、を備える。前記第１基板は、前記減圧室と前記外部室とを仕切る隔壁を構成し、かつ、該隔壁となる領域に形成された貫通孔に充填された電極を含む。前記デバイスは、前記電極を介して前記ブランキング偏向器と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】良好なスループットで、かつＣＤリニアリティ精度の高い描画が可能な荷電粒子線描画装置を提供する
【解決手段】荷電粒子線描画装置は、単位領域ごとに、１ショットあたりの荷電粒子線の照射量を設定する照射量設定部３８２と、照射量設定部３８２によって設定された照射量に基づいて、荷電粒子線の最大ショットサイズを設定する最大ショットサイズ設定部３８４と、単位領域において荷電粒子線のショットサイズが最大ショットサイズ設定部３８４で設定された最大ショットサイズ以下になるようにパターンを分割して、荷電粒子線のショットサイズを設定するパターン分割部３８６と、照射量設定部３８２によって設定された照射量およびパターン分割部３８６によって設定されたショットサイズに基づいて、荷電粒子線をショットする描画部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線露光装置内の静電型の荷電粒子線レンズは、電極を支持する支持体からのナトリウム析出により，被照射物であるシリコンウエハーが汚染され、製造したデバイスの動作不良となる場合があった。
【解決手段】 少なくとも１つの開口を有する第１の電極と、１つの開口を有する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に、前記第１の電極と、前記第２の電極と、を電気的に分離して支持する支持体と、を含む荷電粒子線レンズにおいて、
前記支持体は無アルカリガラス又は低アルカリガラスからなることを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】荷電粒子ビームの偏向位置でのドリフト量を、短時間で評価する荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【構成】ステージ上に固定される複数の基準マークに荷電粒子ビームを照射し、基準マーク各々の基準位置情報を取得する基準位置情報取得工程と、ステージに載置される試料に荷電粒子ビームを照射し、試料にパターンを描画する第１の描画工程と、ステージを静止した状態で荷電粒子ビームを偏向させることにより、基準マークに順次荷電粒子ビームを照射し、基準マーク各々の評価位置情報を取得する評価位置情報取得工程と、評価位置情報と基準位置情報とを比較する比較工程と、比較工程の結果から荷電粒子ビームの偏向状態でのビーム位置のドリフト量を算出するドリフト量算出工程と、試料に荷電粒子ビームを照射し、試料にパターンを描画する第２の描画工程と、を有する荷電粒子ビーム描画方法。 （もっと読む）

【目的】パターン分割領域まで分割領域を設定しない場合でも、誤ったサイズでショット分割されず、かつ微小図形の発生を抑制する描画装置を提供する。
【構成】描画装置１００は、チップデータ内の各図形パターンデータを入力し、図形パターン毎に、ショット図形に分割された際の、分割後の各ショット図形のサイズおよび図形パターン内での配列位置が識別可能なショット分割イメージ情報を生成するショット分割処理部１２と、メッシュ領域毎に、当該メッシュ領域内に配置される分割後の各ショット図形を割り当てる割当処理部１４と、メッシュ領域毎に、割り当てられたショット図形数から当該メッシュ領域内を描画する際のショット数を演算するショット数演算部１６と、各メッシュ領域のショット数に基づいて、当該チップを描画するための描画時間を予測する描画時間予測部２４と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 複数の荷電粒子線の間の不均一性の補償に有利な描画装置を提供すること。
【解決手段】 照射系（１４０）と、アパーチャアレイ（１１７）と、複数のクロスオーバーを形成するレンズアレイ（１１９）と、複数の開口を備えた素子（１２２）と複数の投影ユニットとを含む投影系（１７０）と、を有する。レンズアレイ（１１９）は、上記複数のクロスオーバーのそれぞれの位置が上記素子における対応する開口に整合するように、該開口に対して偏心している集束レンズを含む補正レンズアレイ（１６２）と、上記複数のクロスオーバーを形成するように、補正レンズアレイにより形成された複数のクロスオーバーをそれぞれ拡大して結像する拡大レンズアレイ（１６３）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電気的絶縁性を保持しつつ、高い真空度で配管などを接続可能な真空接続装置を提供する。
【解決手段】対向するフランジ３、４は、これらの間に絶縁スペーサ１２を挟み、ボルト９とナット１０で締結することにより真空シールされる。座金７は絶縁性の樹脂からなり、ボルト９は絶縁性の樹脂１１で被覆されている。フランジ３、４の各対向面には、エッジ１３、１４が設けられており、エッジ１３、１４からフランジ３、４の各外周部に向かってテーパ部１５、１６が形成されている。テーパ部１５、１６によって挟まれた空間には、樹脂ガスケット５が介装されている。樹脂ガスケット５は、エッジ１３、１４より外周部側の空間内に留まっているようにする。樹脂ガスケット５は、テフロン（登録商標）からなることが好ましい。 （もっと読む）