【目的】光学系の歪み等によるマルチビームの照射位置のずれによるパターン形状或いは寸法の変動を抑制する描画装置を提供する。
【構成】描画装置１００は、複数の穴を有し、複数の穴を電子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材２０３と、アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行うブランキングプレート２０４と、複数の穴のうち互いに異なる穴を通過した複数のビーム同士が試料上で並ぶように描画処理を制御する描画処理制御部１８と、試料上で並ぶ各ビームのショット間隔が場所によって異なる場合に、最大ショット間隔が所定の量子化寸法で或いは所定の量子化寸法から所定の範囲内で規定された制御グリッド間隔以下になるように、ショット間隔を調整するショット間隔調整部１９と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】光学系の歪み等によるマルチビームの照射位置のずれによるパターン寸法の変動を抑制する描画装置を提供する。
【構成】描画装置１００は、ＸＹステージ１０５と、電子銃２０１と、複数の穴を有し、電子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材２０３と、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行うブランキングプレート２０４と、各ビームの試料上のそれぞれの照射位置に、各ビームをまとめて偏向する偏向器２０８と、互いに異なる穴を通過した複数のビーム同士を試料上において所定の制御グリッド間隔で描画処理を進めるように制御する描画処理制御部１８と、描画されるビーム同士の間隔が前記制御グリッド間隔からずれる場合に、ずれ量に応じて、ずれに関与するビームの照射量を可変に制御する照射量制御部１６と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＤＡＣアンプテスターを使用してブランキングタイミングの調整を行うことで、セトリング時間の短縮を図り全描画処理に掛かる時間を短縮しスループットの向上を図るとともに、誰でも簡易、確実にＤＡＣアンプの調整を行うことができ、ＤＡＣアンプ調整時間の短縮までも図ることが可能な荷電粒子ビーム描画装置及びブランキングタイミングの調整方法を提供する。
【解決手段】ブランキングアンプ３３と、ＤＡＣアンプ３４と、偏向制御部３２と、制御計算機３１と、ＤＡＣアンプ３４から出力されるアナログ電圧信号を加算する加算回路を備えるＤＡＣアンプ診断回路３８と、ＤＡＣアンプ３４の評価を行うＤＡＣアンプテスター７と、を備え、ＤＡＣアンプテスター７は、ブランキングアンプ３３からのブランキング信号とＤＡＣアンプ診断回路３８からの加算回路出力信号を基にセトリング時間内におけるブランキングタイミングの調整を行う。 （もっと読む）

【課題】ＤＡＣアンプの異常が検出された際、当該異常の検出を試料上にて行うことが可能な荷電粒子ビーム描画装置及びＤＡＣアンプの評価方法を提供する。
【解決手段】ブランキングアンプ３３と、偏向器４７，５０，５１に電圧を印加するＤＡＣアンプ３４，３５，３６と、偏向制御部３２と、制御計算機３１と、ＤＡＣアンプ３４，３５，３６の評価を行うＤＡＣアンプテスター７と、を備え、ＤＡＣアンプテスター７は、制御計算機３１から試料Ｍに関するインデックス情報を受信するカウンタ７ｊと、偏向制御部３２から荷電粒子ビームＢによる試料Ｍへの照射位置に関する位置情報を受信する表示ユニット７ｇと、ＤＡＣアンプ３４，３５，３６からの異常信号を受信した際に、インデックス情報と位置情報、及び、ブランキングアンプ３３からのショット信号を基に、試料Ｍ上における異常発生箇所を特定するコントロールユニットＣとを備える。 （もっと読む）

【目的】同じパターンレイアウト間で変動しないデータのチェックを容易にできるフォーマットのショットデータ作成方法を提供する。
【構成】ショットデータの作成方法は、３段偏向させて所望の位置にパターンを描画するためのショットデータの作成方法であって、ショットデータは、所定のビット数で構成される複数のワードで共に定義された、第１の偏向器によって偏向される座標データを含む第１のデータ領域と、第２の偏向器によって偏向される座標データを含む第２のデータ領域と、第３の偏向器によって偏向される座標データを含む第３のデータ領域と、備え、第１から第３のデータ領域において、共に、同じレイアウト同士であれば変動しない不変データが定義されるワードと、同じレイアウト同士であっても変動する場合がある可変データが定義されるワードと、を区別したフォーマットでショットデータを作成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本願の目的は、ゲッタポンプを用いて荷電粒子源周辺を排気する構成において、荷電粒子源駆動中の排気性能の低下を抑制する。
【解決手段】 荷電粒子線の成形を行うアパーチャであって、前記アパーチャは表面に非蒸発型ゲッタポンプを有し、前記非蒸発型ゲッタポンプが前記荷電粒子線の照射を受ける位置に設置される。 （もっと読む）

【課題】 所定方向に配列された基板上の複数のショット領域に対して並行して描画を行う描画装置におけるオーバーレイ精度と生産性との両立。
【解決手段】 荷電粒子線のアレイで該描画を行う描画装置は、該基板を保持するステージと、荷電粒子光学系と、該基板上の描画領域を変更するように該ステージと該荷電粒子光学系との間の該所定方向における相対移動を行わせる駆動手段と、制御手段と、を有する。該荷電粒子光学系は、該所定方向にスペースをもって離散的に配列された複数のサブアレイを該基板に入射させ、かつ、複数のサブアレイセットをそれぞれ偏向する複数の偏向器を有する。 該制御手段は、該複数のショット領域の境界をまたぐサブアレイにより該境界の一方の側の領域と該境界の他方の側の領域とが、並行して描画されず、かつ、該ステップ移動を介して順次描画されるように、該荷電粒子光学系と該駆動手段とを制御する。 （もっと読む）

【課題】フォーカスのための基板の正確な位置決めの点で有利なマルチ電子線描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置は、荷電粒子線を基板に対して射出する荷電粒子光学系と、基板を保持し、荷電粒子光学系の光軸の方向と光軸に垂直な方向とにそれぞれ可動なステージ１０３と、基準反射面を含み、光軸の方向におけるステージの位置を計測する干渉計と、荷電粒子線の特性を計測する計測器２０１と、補正情報を用いて干渉計の計測結果を補正する制御部と、を備える。制御部は、光軸に垂直な方向におけるステージの複数の位置それぞれに関して干渉計による計測としての第１計測と計測器による計測としての第２計測とを並行して行わせ、複数の位置それぞれに関して得られた第１計測および第２計測の結果に基づいて、補正情報を求める。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビーム描画方法及び装置に関し、限られた数の円形開口を用いながら広いサイズ範囲にわたる円形パターンを得る。
【解決手段】荷電粒子ビーム源１と、該荷電粒子ビーム源から出射した荷電粒子ビームが照射する第１の矩形開口を有する第１成形スリット４と、開口径が異なる複数の円形開口を有する第２成形スリット７と、該第１成形スリットの開口を通過した荷電粒子ビームを第２成形スリット上に結像させる成形レンズ６と、該第１成形スリットの開口を通過した電子ビームを偏向させて前記第２成形スリット上の所望の円形開口に照射させる偏向器５とを備え、第２成形スリットのいずれかの円形開口を通過した成形円形ビームを描画材料１３上にショットし、円形パターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法において、前記第２成形スリット上の異なった円形開口で形成された成形円形ビームを、描画材料上に中心位置を一致させ重ねてショットする。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で確実にステージ上におけるマスクの微小スリップを検出可能とするとともに、検出されたスリップ量に基づいて荷電粒子ビームの補正を行うことができる荷電粒子ビーム描画装置及びマスクの微小スリップ検出方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームＢの偏向を制御して、かつ自在にステージを制御して任意の原画パターンをマスク上に描画するための描画動作を制御するための制御計算機３１を備える電子ビーム描画装置１であって、電子ビームＢによってパターンが描画されるマスクＭと、マスクＭを３点支持部材６４にて支持するマスク保持機構６２と、マスク保持機構６２及びマスクＭを水平方向に加速移動させるステージ６１と、電子ビームで描画される表面に対するマスク裏面とマスク保持機構６２との間に設置され、マスクＭの微小スリップの有無を検出する原子間力顕微鏡６５とを備える。 （もっと読む）