【課題】荷電粒子線の特性の維持に有利な描画装置を提供する。
【解決手段】この荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置は、荷電粒子線源２、４０と、荷電粒子線源２、４０から放射された荷電粒子線の一部を通過させる開口３０が形成された開口部材１１と、開口部材１１に設けられ、開口部材１１の開口３０以外の領域に向かう荷電粒子線が入射する複数の熱電変換素子３２と、開口部材１１に配置されて複数の熱電変換素子３２の出力を検出する検出部３４と、検出部３４の出力に基づいて、荷電粒子線源２、４０から放射された荷電粒子線の特性に関する制御を行う制御部６（３５）とを有する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビームリソグラフィシステム、及びターゲットの荷電粒子ビーム露光のために最適化されたターゲット位置決め装置を使用する動作方法を提供する。
【解決手段】ターゲット３上に荷電粒子ビーム２を投影するための真空チャンバ５０に配置され、荷電粒子ビーム２を偏向方向に偏向させるための偏向手段を有する荷電粒子光学カラム４と、ターゲット３を保持するためのキャリア及び偏向方向とは異なる第１の方向に沿ってキャリアを保持し移動させるためのステージ５２を有するターゲット位置決め装置５と、を具備し、このターゲット位置決め装置５は、荷電粒子光学カラム４に対する第１の方向にステージ５２を移動させるための第１のアクチュエータ５３を有し、キャリアは、ステージ５２に移動可能に配置されており、ターゲット位置決め装置５は、第１の相対位置にステージ５２に対してキャリアを保持するための保持手段を有する。 （もっと読む）

【課題】ＭＣＰを支持する絶縁支持部に紫外線が照射された場合に生じる放電を防止する。
【解決手段】電子線照射装置は、紫外線を出射する紫外線出射部３１、電子を増幅する複数のマイクロチャネルを２次元的に配列して有するＭＣＰ３３、ＭＣＰ３３の外縁部に当接してＭＣＰ３３を支持する絶縁支持部３４、および、紫外線出射部３１とＭＣＰ３３との間における紫外線の経路上に配置されるマスク３５０を支持するマスク支持部３５を有する。マスク支持部３５は、マスク３５０の周囲における紫外線を遮蔽する環状部３５２を有することにより、マスク支持部３５にマスク３５０が非装着の状態において、紫外線出射部３１からの紫外線が照射されるＭＣＰ３３上の照射領域が、絶縁支持部３４に重ならない範囲に制限される。これにより、絶縁支持部３４に紫外線が照射された場合に生じる放電が、マスク３５０の有無にかかわらず防止される。 （もっと読む）

【課題】試料表面とマーク表面との高低差に依存するビーム照射位置のずれを抑え、パターンの描画精度を向上させる。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置１は、ステージ１１上の試料Ｗに対して荷電粒子ビームによる描画を行う描画部２と、ステージ１１上に位置して高さが異なる複数のマークＭ１〜Ｍ４と、マークＭ１〜Ｍ４に対するビームの照射によりマーク表面でのビームの照射位置を検出する照射位置検出器１２と、その照射位置検出器１２により検出された照射位置に応じてマーク表面でのビームのドリフト量を算出するドリフト量算出部３５と、そのドリフト量算出部３５により算出された少なくとも二つのマーク表面でのドリフト量を用いて試料表面でのドリフト量を求めるドリフト量処理部３６と、そのドリフト量処理部３６により求められた試料表面でのドリフト量を用いてビームの照射位置を補正する描画制御部３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】電解めっき法により基板上の複数の領域に異なる或いは同一の膜厚のめっき膜を形成する際の、電解めっきの印加電圧やパターンめっきの為のパターンレイアウトなどに関する制約を少なくした電解めっき方法を提供する。
【解決手段】基板１上の複数の領域１４、１５に所定の膜厚のめっき膜５、６を形成する電解めっき方法である。基板１上の複数の領域１４、１５に夫々めっき電流が流れる経路の少なくとも１つに、オーミック特性を有する抵抗体４を配し、複数の領域１４、１５に同時に電解めっきによりめっき膜５、６を成長させる。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の温度測定中のバッテリ切れをなくすとともに、実際の描画処理と同様の状況下での測定を可能とし、かつ各チャンバ内の温度調整を精度良く行うことが可能な温度調整用マスク及び荷電粒子ビーム描画装置の温度調整方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置１を構成するチャンバ内の温度を測定する温度測定装置１１と、温度測定装置１１を収納する筐体１２と、筐体１２の互いに対向する辺に配置される複数のバッテリ１３，１４と、温度測定装置１１が測定した温度測定データを送出するデータ送出部１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】回転する試料にビームを照射してパターンデータを露光する技術において、偏向による収差なく良好な長い直線が得ること。
【解決手段】円周位置補正信号生成手段（２７）は、直線パターンを形成する単位ドットに必要なドーズ量情報と、回転の線速度情報と、ビーム電流情報と、円周方向偏向感度情報と、ドット数設定情報とを入力情報として、単位ドットあたりの円周方向偏向量、照射時間、全ドット形成周波数を算出設定し、逐次露光するドット先頭が直線幅方向に整列するパターン信号を生成する。半径位置補正信号生成手段（２９）は、ドット数設定情報、半径方向偏向感度情報、単位ドットあたりの照射時間情報を入力情報として、直線パターンの長さ方向或いは幅方向の隣接ドットに任意の重なり率となる半径方向偏向量を算出してパターン信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】複数の電極が互いに間隔を隔てて対向して積層された構造の荷電粒子線レンズにおいて、クーロン引力による電極の変形を効果的に抑制することを可能とする技術を提供する。
【解決手段】静電型の荷電粒子線レンズにおいて、各電極２、４、８内には、荷電粒子線が通過するための複数の貫通孔の組３、５、９が少なくとも一組形成され、各対向電極２、４、８間にはスペーサとして少なくとも１本の線状の絶縁部材１、７が配置されている。線状の絶縁部材１、７は、電極２、４、８の面と平行方向に１回以上屈曲する屈曲部を有し、各電極２、４、８間の間隔を規定する。 （もっと読む）

【課題】描画中に放電箇所を特定することのできる電子ビーム描画装置および電子ビーム描画装置の診断方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム描画装置は、電子ビームを放出する電子銃１００と、電子銃１００に電子の加速電圧を印加する高圧電源１０８と、電子銃１００の内部の圧力変動と、高圧電源１０８の電圧変動とをそれぞれ演算し、圧力変動が所定の圧力変動値以上である時刻と、電圧変動が所定の電圧変動値以上である時刻とをデータ出力する演算部１１１と、演算部１１１から出力されたデータを受け取り、圧力変動が生じた時刻と電圧変動が生じた時刻とが一致している場合にログＡとしてこの時刻を記録し、電圧変動が生じた時刻に対応する圧力変動のデータがない場合にログＢとしてこの時刻を記録する記録部１１２とを有する。電子銃１００の内部の圧力は真空計１１０によって測定する。 （もっと読む）

【課題】ビームを正確に計測するのに有利なビーム計測装置を提供する。
【解決手段】ビーム計測装置は、エッジを有する遮蔽部材２２と、該遮蔽部材２２で遮蔽されなかったビーム２４を検出する検出器とを含む検出部と、エッジをビーム２４が横切るように遮蔽部材２２とビーム２４との間の相対移動を生じさせる相対移動機構と、制御部とを有する。ここで、制御部は、検出部と相対移動機構とを制御して、エッジ上の複数の箇所それぞれに関し、エッジをビーム２４に横切らせて検出器で信号列を得、複数の箇所でそれぞれ得られた複数の信号列から、相対移動における相対位置が対応する信号どうしを加算して、加算信号列を得、加算信号列からビーム２４の強度分布を求める。 （もっと読む）