【課題】改善されたイオンビームにより基板を加工するための方法、及び基板を加工するためのイオンビーム装置を提供する。
【解決手段】本発明は、イオンビーム装置(1) のイオンビーム源(1.1) によって発生し、基板(2) を加工するために基板(2) の表面(2.1) を向いたイオンビーム(I) により基板(2) を加工するための方法に関する。イオンビーム(I) は、炭素含有材料から少なくとも部分的に形成されたオリフィス板(1.3) によって導かれる。本発明によれば、炭素と反応する遊離体(E) が、イオンビーム(I) によってオリフィス板(1.3) から放出された炭素が酸化するように方向性のある流れでオリフィス板(1.3) と基板(2) との間に導かれる。 （もっと読む）

【課題】変形が生じる部材からの所定方向の応力の静電偏向器の電極支持部などへの伝達を抑制し、複数の荷電粒子ビームの偏向ばらつき等を低減することができる荷電粒子光学系を提供する。
【解決手段】荷電粒子光学系は、熱による変形が生じる可能性がある第１の部材１１２と、第１の部材を通過した荷電粒子ビーム１を偏向する静電偏向器１１３と、を含む。静電偏向器は、第１の部材に固定された固定部７を介して第１の部材と組み立てられ、静電偏向器は、電極支持部５と、電極支持部に支持される第一の電極と２第二の電極３を有する。第一及び第二の電極間には、第１の部材を通過した荷電粒子ビーム１を偏向するための電界を発生させるギャップ１１が形成されている。電極支持部５は、第１の部材１１２からの電界方向の変形応力の固定部７を介する電極支持部５への伝達が低減されるように、固定部７に取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線の軌道の安定化に有利な荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】この荷電粒子線装置は、荷電粒子線を被処理体に導く電子光学系の少なくとも一部を収容する第１の筐体１０と、被処理体を保持して移動可能な基板保持部を収容する第２の筐体１１と、第１の筐体１０と第２の筐体１１との接続部分に設けられ、第２の筐体１１から第１の筐体１０に流れる電流を低減する絶縁体３１と、第１および第２の筐体１０、１１を通じた閉磁路を形成し、かつ、接続部分を介して第１および第２の筐体１０、１１の外部から内部に向かう電磁波を低減する機構２０、３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】表面が任意の初期形状の被加工物でも表面を平坦に加工できるイオンミリング装置を提供する。
【解決手段】イオンビーム源１０として第１イオンガン１１と、第２イオンガン１２と、を備え、第１イオンガン１１を制御する第１制御部２９ａと、第２イオンガン１２を制御する第２制御部２９ｂと、イオンビームが照射される位置に基板１４を搭載し回転する基板ホルダー３５と、を備え第１イオンガン１１は、第１イオンガン１１の中心軸Ｃ１が基板ホルダー３５の中心を通る位置に配置され、第２イオンガン１２は、第１イオンガン１１と同じ方向にイオンビームが出射され、かつ第２イオンガン１２の中心軸Ｃ２が基板ホルダー３５の中心から偏心した位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】電子ビームリソグラフィーシステム内の収差を補正する。
【解決手段】
一実施形態は、電子ビームリソグラフィーシステム内の収差を補正する装置に関する。内部電極は、パターン生成装置を取り囲み、その内部電極の周りには、少なくとも１つの外部電極がある。内部電極及び外部電極の各々は、パターン生成装置の平面内に、平坦な表面を有する。回路は、内部電圧レベルを内部電極に印加し、少なくとも１つの外部電圧レベルを少なくとも１つの外部電極に印加するように構成されている。電圧レベルは、電子ビームリソグラフィーシステム内の像面の反りを補正するように設定され得る。別の実施形態は、電子ビーム検査システム又は再検査システム又は計量システム等の電子ビーム基盤型システム内で利用される収差を補正する装置に関する。他の実施形態、態様及び特徴も開示される。 （もっと読む）

【課題】マルチビーム配列が完全正方行列でなく、一定の走査速度で各ビームのＯＮ／ＯＦＦ信号を独立のタイミングで制御する必要があり、制御データ量が膨大であった。走査方向と非走査方向でパターンのエッジのシャープネスが異なり、高精度なパターン描画が困難であった。
【解決手段】電子銃１からの電子ビームをビームサイズの整数倍の間隔の２次元平面内の正方格子行列ビーム群を形成する。描画すべきデバイスのメッシュの個別ブランカ１３をビットマップ信号によりＯＮ／ＯＦＦし、所望のビームを得る。また、偏向装置１７，１８によりビームを必要位置に偏向し、ビーム状態が静定した後、全体ブランカ１６を開としてビーム照射することにより、高精度かつ高速の描画パターンを得る。 （もっと読む）

【目的】マルチビーム形成アパーチャによって散乱した荷電粒子によるブランキング偏向器アレイへの帯電とコンタミ成長を抑制する装置を提供することを目的とする。
【構成】描画装置１００は、荷電粒子ビームを放出する電子銃２０１と、マルチビームを形成するマルチビーム形成アパーチャ部材２０３と、マルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う複数のブランカーが配置されたブランキングプレート２０４と、マルチビーム形成アパーチャ部材２０３とブランキングプレート２０４との間に配置された、電磁レンズ２１２，２１４と、電磁レンズ２１２，２１４の間であってマルチビームの集束点位置に配置され、集束点から外れた荷電粒子の通過を制限する制限アパーチャ部材２１６と、複数のブランカーによってビームｏｆｆの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽する制限アパーチャ部材２０６と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】試料冷却温度とステージ停止位置精度を保ったまま、ステージ移動可能な範囲を広げることができる試料冷却装置を提供する。
【解決手段】真空に維持される試料室と、試料室内に配置される移動ステージと、移動ステージ上に熱的に遮断された状態で取り付けられた試料ホルダ固定台と、前記試料ホルダ固定台上に脱着可能に装着され、試料を保持するための試料ホルダと、移動ステージと周囲の試料室の側壁の間に設けられ、試料を冷却するための冷媒を収容する冷却槽と、前記冷却槽に収容された冷媒と前記試料ホルダ固定台との間で熱交換するための冷熱伝導体と、冷却槽に収容された冷媒を冷却する冷却装置とを備え、前記冷熱伝導体は、試料ホルダ固定台に固定された一端と、自由端である他端を有し、その自由端が冷却槽の開口部を介して冷媒内に浸漬され、前記移動ステージの移動と共に、自由端が冷媒に浸漬されつつ前記開口部内で移動されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高密度の荷電粒子小ビームを用い、高精度で荷電粒子小ビームを操作することのできる粒子光学システムを提供する。
【解決手段】粒子光学装置であって、荷電粒子ビームを発生させる少なくとも１つの荷電粒子源３０１と、複数の開孔を有し、その下流側で荷電粒子ビーム３０９から複数の荷電粒子小ビーム３が形成され、その集束領域に荷電粒子小ビームのそれぞれが焦点３２３を有する少なくとも１つの多孔プレート３１３と、荷電粒子小ビームの焦点が形成される多孔プレートの集束領域で視野レンズの効果を有する焦点レンズ装置３０７と、粒子光学装置の物体面内に位置決め可能な物体上に多孔プレートの集束領域をおおむね結像させるための対物レンズ１０２とを備える。 （もっと読む）

【課題】偏向位置によって電子ビームのショット形状が歪むのを抑制できる荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム描画装置１００は、主偏向非点の補正とともに、ＸＹ差も補正して得られた偏向電圧を、主偏向器２０８と副偏向器２０９に印加し、試料２１６上に所望のパターンを描画する。このため、電子ビーム描画装置１００には、主偏向器２０８に印加する偏向信号の補正量を算出する主偏向補正量演算部１２２と、副偏向器２０９に印加する偏向信号の補正量を補正する第２の補正量を算出する副偏向補正量演算部１２３と、第１の補正量を用いて主偏向器２０８に印加する偏向信号を生成し、第２の補正量を用いて副偏向器２０９に印加する偏向信号を生成する偏向信号生成部１２４とを有する。 （もっと読む）