【課題】 本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、熱処理後の反り増加量が小さく、クラックが生じにくい複合圧電基板の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 少なくとも、圧電基板と絶縁体基板とを接着剤で貼り合わせ、前記貼り合わせた基板に熱処理を行うことにより、前記接着剤を硬化させる複合化された圧電基板の製造方法であって、前記絶縁体基板として導電率が１×１０^−１４［Ω^−１・ｃｍ^−１］以下のものを用い、前記熱処理による接着剤の硬化は、除電処理を施しながら行うことを特徴とする複合化された圧電基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】繰り返しの使用によってボンド基板に生じる不具合を抑制することを目的の一とする。
【解決手段】ボンド基板に加速されたイオンを照射してボンド基板中に脆化領域を形成する第１の工程と、絶縁層を介してボンド基板とベース基板とを貼り合わせる第２の工程と、脆化領域においてボンド基板を分離して、ベース基板上に絶縁層を介して半導体層を形成する第３の工程と、脆化領域で分離されたボンド基板に対して、アルゴン雰囲気において第１の熱処理を施した後に、酸素及び窒素の混合雰囲気において第２の熱処理を施すことにより再生ボンド基板を形成する第４の工程と、を有し、再生ボンド基板を第１の工程におけるボンド基板として再び使用する。 （もっと読む）

いくつかの実施例は、半導体デバイスを提供する方法を含む。当該方法は、
（ａ）フレキシブル基板を提供する段階、（ｂ）フレキシブル基板上に少なくとも１つの材料層を堆積させる段階であって、そのフレキシブル基板上の少なくとも１つの材料層の堆積は、少なくとも１８０℃の温度で生じる、段階、および（ｃ）金属層とａ−Ｓｉ層との間に拡散バリアを提供する段階を含む。他の実施例も本願において開示される。
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【課題】ステージ装置の作動効率を向上させる。
【解決手段】同一直線上にない三箇所で、ステージを上下方向に個別に移動する三つの上下アクチュエータと、作用線が上下方向に直交する面に沿ってステージの重心を通り、ステージを水平に移動する第１アクチュエータと、作用線の各々が上下方向に直交する面内で第１アクチュエータの作用線と直交して、ステージを水平に移動する第２アクチュエータおよび第３のアクチュエータとを備え、第２アクチュエータの作用線は、三つの上下アクチュエータのうちの少なくとも一の上下アクチュエータの作用線と交差し、且つ、第３アクチュエータの作用線は、三つの上下アクチュエータのうちの一の上下アクチュエータとは異なる少なくとも一つの上下アクチュエータの作用線と交差する。 （もっと読む）

【課題】複数のバッチ式洗浄処理槽を有する洗浄処理装置の洗浄処理効率を向上させることができる半導体基板洗浄生産管理システムを提供する。
【解決手段】洗浄管理装置２は、洗浄処理装置１で処理予定の複数の仕掛かりロットについて仕掛かりロット情報を取得するとともに、その時点での洗浄処理装置１の装置稼動情報を取得する検知部２１を備える。シミュレーション部２２は、検知部２１が取得した情報に基づいて洗浄処理装置１において各仕掛かりロットのいずれかに対する洗浄処理を開始する場合の、当該仕掛かりロットの各洗浄処理槽４への割り当てをシミュレーションし、当該シミュレーション結果に基づいて仕掛かりロットの処理完了時間または不処理時間を仕掛かりロットごとに算出する。処理順決定部２３は、各仕掛かりロットの処理完了時間または不処理時間が最短の仕掛かりロットを次処理ロットに決定する。 （もっと読む）

【課題】ｎチャネル型トランジスタ及びｐチャネル型トランジスタを有する半導体装置の集積化を図ることを目的の一とする。または、半導体装置の性能向上を図ることを目的の一とする。または、大面積な半導体装置を低コストに提供することを目的の一とする。
【解決手段】｛２１１｝面から±１５°以内の面を表面とする単結晶シリコン基板に加速されたイオンを照射して、単結晶シリコン基板中に脆化領域を形成する工程と、絶縁層を介して単結晶シリコン基板とベース基板とを貼り合わせる工程と、脆化領域において、単結晶シリコン基板を分離し、ベース基板上に｛２１１｝面から±１５°以内の面を表面とする単結晶シリコン層を形成する工程と、単結晶シリコン層を用いて、チャネル長方向が＜１１１＞軸から±１５°以内のｎチャネル型トランジスタ及びｐチャネル型トランジスタを形成する工程と、を有する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】ウェハの直径が大きくなる傾向にある近年、ウェハのウェハホルダに対する着脱、ウェハホルダの各装置に対する着脱を正確、高速かつ安定的に行うことが困難になってきている。
【解決手段】基板を保持する基板ホルダと、基板ホルダを載置するステージとを含む半導体処理装置であって、基板ホルダは、基板を保持するための静電吸着部と、基板を保持する保持面に設けられた貫通孔とを備え、ステージは、一端の開口が基板ホルダを載置する載置面において貫通孔と接続される第１吸引導管と、一端の開口が載置面において貫通孔とは接続されずに基板ホルダに対向する第２吸引導管とを備える。 （もっと読む）

【課題】
転写型に形成された薄膜電子材料層を、転写型から良好に離型して転写することのできる薄膜電子素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
凹凸パターンが形成された転写型４に親液処理をする親液処理工程と、親液処理がされた転写型４に剥離層を形成する剥離層形成工程と、剥離層が形成された転写型４に薄膜電子材料層を形成する薄膜電子材料層形成工程と、前記転写型４に形成された薄膜電子材料層を基板上に転写する転写工程と、を備えている。剥離層を形成する前に親液処理を行うことで、剥離層をムラなく均一に広がるように形成することができる。それにより、転写型４に形成された薄膜電子材料層を転写型４から良好に離型して転写することができる。 （もっと読む）

【課題】位置合わせ精度をさらに向上させることが可能なアライメント技術を提供する。
【解決手段】アライメント装置は、両対象物に配置された第１のパターンと第２のパターンとの重なり画像である重畳画像に基づいて、両対象物相互間の位置ずれを算出するとともに、両対象物を相対的に駆動して当該位置ずれを補正する。また、当該重畳画像は、第１のパターンの第１のライン群（ピッチｐ１）と第２のパターンの第２のライン群（ピッチｐ２）との重畳によって生成される第１の周期的な濃度変化（モアレ）を有するとともに、第１のパターンの第２のライン群と第２のパターンの第１のライン群との重畳によって生成される第２の周期的な濃度変化をも有する。アライメント装置の算出手段は、２つの周期的な濃度変化を近似する２つの近似曲線を画像処理によって求め、当該２つの近似曲線の相互間の位置ずれに基づいて、両対象物相互間の位置ずれを算出する。 （もっと読む）

【課題】同一機能を有する複数の製造装置を含む製造工程において、高い保守性と高い精度とで品質を予測する予測モデルを作成可能にするプロセスパラメータを選択する。
【解決手段】製造工程から収集したプロセスパラメータを説明変数とし、検査工程から収集した検査データを目的変数として、各製造装置別のＰＬＳを行い、各プロセスパラメータ毎のＶＩＰ値の平均値が基準値以上であるプロセスパラメータを、各製造装置に共通であって品質に関係のあるプロセスパラメータとして選択する。こうして、精度の高い予測モデルを作成できるプロセスパラメータの選択を行う。また、管理するプロセスパラメータの数を減らすと共に、プロセスパラメータを全製造装置に共通とすることができ、プロセスパラメータ管理の工数および時間を削減し、高い保守性を得ることができる。 （もっと読む）