【課題】半導体装置の基板の取扱いに注意を要することなく、半導体装置の基板に悪影響を及ぼす恐れがなく、半導体装置の基板加工のプロセス温度の制限が少なく、サポート基板の剥離を簡易に短時間で低コストに実施できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】サポート基板１６としてガラス基板を用い、半導体装置の基板１１とサポート基板１６とをポリイミドを含む樹脂層１７を介して貼着し、サポート基板１６の剥離時に、サポート基板１６を通して樹脂層１７にレーザ光Ｌを照射して、樹脂層１７を分解する。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせ装置では、基板ホルダに付着する塵埃および基板ホルダに加えられる熱、圧力等により、基板ホルダ及び基板ホルダに備えられた部品が劣化する。
【解決手段】基板を保持する基板ホルダの管理装置であって、基板ホルダが使用された複数のプロセスの少なくとも１つの記録を行う記録部と、記録部に記録された複数のプロセスの履歴に基づいて、複数のプロセスの少なくともいずれかの条件を変更する変更部とを備える。変更部は、条件として基板ホルダの使用条件を変更してもよいし、基板に対する処理条件を変更してもよい。 （もっと読む）

【課題】気体の供給効率を低下させることなく、微細粒子を大きさに関わりなく除去することができる気体清浄化装置を提供する。
【解決手段】基板処理システム１０におけるローダーモジュール１４は、搬送室１５の内部空間に大気の下降流を形成するファンフィルタユニット２０を備え、ファンフィルタユニット２０は、大気流を生じさせるファン２１と、大気流に混在するパーティクルを捕捉して除去するフィルタ２２と、ファン２１及びフィルタ２２の間に配される照射ヒータ２３とを備える。気体流上に位置し且つフィルタ２２よりも温度が高い少なくとも１つの高温部を、気体流に混在する微細粒子に対して熱泳動力を作用させることによりフィルタ２２に対する移動力を大きくすることができるように、気体流が流れる方向と直交する方向から気体流に向けて照射ヒータ２３から放射熱を照射することによって形成する。 （もっと読む）

【課題】
形状に限定されることなく、柔軟性ないし可撓性を有し、任意の形状の各種装置を作成することが可能な素子を用いた集積装置を提供すること。
【解決手段】
回路素子が長手方向に連続的又は間欠的に形成されている素子、回路を形成する複数の領域を有する断面が長手方向に連続的又は間欠的に形成されている素子を複数複数束ね、撚り合せ、織り込み又は編み込み、接合し、組み合わせて成形加工し又は不織状に成形したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表示部に接続された複数の制御部のうち、表示部に表示される表示対象を制御することができる基板処理装置、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板処理装置を操作する作業者が操作する操作部３４２と、操作部３４２に接続され、前記基板処理装置を制御する少なくとも２つ以上の制御部３０２，３０４，３１２と、制御部３０２，３０４，３１２が出力する信号を表示する少なくとも１つ以上の表示部３４２と、前記基板処理装置の起動時に、前記少なくとも２つ以上の制御部３０２，３０４，３１２のうち、少なくとも２つ以上の制御部３０２，３０４，３１２の起動時間を異ならせるように制御部３０２，３０４，３１２への電源の投入時機を制御する起動時間制御部３４４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高品質な半導体薄膜を製造する薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜製造方法は、ａ−Ｓｉ膜等の半導体薄膜を第１の基板上に堆積する工程Ｓ１と、第１の基板をエッチングして第１の基板と半導体薄膜との間に中空部を形成する工程Ｓ２と、半導体薄膜に第２の基板を接触させる工程Ｓ３と、半導体薄膜に第２の基板を押し付け、または半導体薄膜が溶融する強度を有するレーザ光を半導体薄膜に照射する工程Ｓ４と、第１の基板を半導体薄膜から引き離す工程Ｓ５とを備える。 （もっと読む）

【課題】ゲート酸化膜の厚さが数ｎｍと薄い場合であってもＧＯＩの劣化がないシリコン単結晶ウェーハとその製造方法、並びにＧＯＩ劣化がないことをＴＤＤＢ法などに比べて容易に評価することのできる評価方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、シリコン単結晶インゴットを準備する工程と、該シリコン単結晶インゴットをスライスしてスライス基板を複数枚作製する工程と、該複数枚のスライス基板に、ラッピング・エッチング・研磨のうち少なくとも１つを行って複数枚の基板に加工する加工工程と、該複数枚の基板から少なくとも１枚を抜き取る工程と、該抜き取り工程で抜き取った基板の表面粗さをＡＦＭで測定し、波長２０ｎｍ〜５０ｎｍに対応する周波数帯の振幅（強度）を求めて合否を判定する工程と、前記判定が合格の場合は次工程へ送り、不合格の場合は再加工を行う工程と、を含むことを特徴とするシリコン単結晶ウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＮＴＤシリコンウエハに対しても、ＹＶＯ４レーザー光を用いて文字パターン、識別パターンを、視認性の良好な深さを有する凹凸形状の印字ドットの刻印によって表示することができる半導体基板へのレーザー印字方法の提供。
【解決手段】中性子線の照射による結晶格子の原子配列に損傷を有する半導体基板１に、２００℃以上で３０分以上の熱処理を施した後、ＹＶＯ４レーザーを半導体基板１表面の余白部に照射して所要の識別パターンを刻印する半導体基板へのレーザー印字方法。 （もっと読む）

【課題】静電破壊を防止して歩留まり良く製造できる電気装置の製造方法、半導体基板の製造方法、電気装置用形成基板、及び電子機器を提供する。
【解決手段】支持体上に、樹脂材料からなる基材を複数積層することで第１基板を形成する工程と、素子基板から前記支持体を剥離する工程と、素子基板との間で機能素子を挟持するように第２基板を貼り付ける工程と、を有する電気装置の製造方法に関する。素子基板の形成工程においては、複数の基材間のいずれかに挟持するように電極層を配置するとともに、電極層よりも上層であって複数の前記基材間のいずれかに挟持する或いは基板本体の表面に配置するように機能素子を駆動するための半導体素子を設ける。 （もっと読む）

【課題】被処理体が大型化した場合であっても、同時に処理すべき被処理体の枚数を抑える必要がない。
【解決手段】熱処理装置１はクリーンルーム１Ａ内に設置される。この熱処理装置１は被処理体Ｗを収容して熱処理するための処理容器３と、処理容器３の周囲を覆う断熱材１６と、断熱材１６内周面に設けられたヒータ５とを有する熱処理炉２と、処理容器３の上方の炉口３ａを閉塞する蓋体１０と、蓋体１０に保温筒１１を介して吊設され被処理体Ｗを多段に保持する保持具１２とを備えている。熱処理装置１の熱処理炉２のうち、高さ方向長さの大部分は、クリーンルーム１Ａの床面Ｆ下方に位置している。 （もっと読む）