【課題】可撓性を有する基板上に有機化合物を含む層を有する素子が設けられた半導体装
置を歩留まり高く作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、剥離層上に、無機化合物層、第１の導電層、及び
有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層及び無機化合物層に接する第２の導電
層を形成して素子形成層を形成し、第２の導電層上に第１の可撓性を有する基板を貼りあ
わせた後、剥離層と素子形成層とを剥す半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の間からはみ出る接着剤を抑制し、当該被処理基板と支持基板を適切に接合する。
【解決手段】被処理ウェハ上に接着剤を塗布する（工程Ａ１）。その後、被処理ウェハの外周部上に接着剤の溶剤を供給し、当該外周部上の接着剤を除去する（工程Ａ２）。工程Ａ２における被処理ウェハの外周部は、後続の工程Ａ１２において重合ウェハからはみ出る外側接着剤の端部の位置と、薄化後の被処理ウェハの端部の位置とが一致するように決定される。その後、被処理ウェハを所定の温度に加熱して、被処理ウェハ上の接着剤を固化させる（工程Ａ３）。その後、接着剤を介して、被処理ウェハと支持ウェハを所定の温度に加熱しながら、当該被処理ウェハと支持ウェハを押圧して接合する（工程Ａ１２）。 （もっと読む）

【課題】装置の動作の詳細を把握することが可能な基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板処理システムを構成する基板処理装置において、基板処理装置内部において発生する事象を外部に出力し、外部接続装置により事象に時刻を付して記録、加工、編集、表示することにより、基板処理装置の生産性向上手法の方向を指標すると共に、実施施策の効果が確認できる外部接続装置を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の排気中に含まれる温暖化ガスの濃度は装置の稼動状態によって変化するため、最大濃度を代表値として推算する過大評価排出量しか推算できない。更に最終段の排気管でのサンプリングにおいては、フーリエ変換型赤外分光計等を用いた測定を行なうのが一般的である。しかし、この排気管内における当該ガスの濃度は、一般に測定に適した濃度よりも低く、温暖化ガス排出のタイミングにあわせた測定を個別の装置に対して実行しないかぎり工場全体の温暖化ガス排出量の総量が算出できないという問題がある。
【解決手段】本願発明は、複数のＣＶＤ装置およびドライエッチング装置を用いて、多数の半導体装置形成基板に対して、成膜処理およびエッチング処理を実行する半導体装置の製造方法に於いて、これらの排ガスを定量サンプリングして、濃縮した後、含まれている温暖化ガスのガス種と濃度を測定するものである。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の間からはみ出る接着剤を抑制し、当該被処理基板と支持基板を適切に接合する。
【解決手段】被処理ウェハ上に接着剤を塗布する（工程Ａ１）。その後、被処理ウェハを所定の温度に加熱して、被処理ウェハ上の接着剤を固化させる（工程Ａ２）。その後、接着剤を介して、被処理ウェハと支持ウェハを所定の温度に加熱しながら、当該被処理ウェハと支持ウェハを押圧して接合する（工程Ａ１１）。その後、工程Ａ１１において被処理ウェハと支持ウェハの間の接着剤が当該被処理ウェハと支持ウェハを接合した重合ウェハの外側面からはみ出た外側接着剤に対して、接着剤の溶剤を供給すると共に、外側接着剤に超音波を付与して、外側接着剤が所定の大きさに形成されるように当該外側接着剤の表面を除去する（工程Ａ１２）。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の間からはみ出る接着剤を抑制し、当該被処理基板と支持基板を適切に接合する。
【解決手段】被処理ウェハ上に接着剤を塗布する（工程Ａ１）。その後、被処理ウェハを所定の温度に加熱して、被処理ウェハ上の接着剤を固化させる（工程Ａ２）。その後、接着剤を介して、被処理ウェハと支持ウェハを所定の温度に加熱しながら、当該被処理ウェハと支持ウェハを押圧して接合する（工程Ａ１１）。その後、工程Ａ１１において被処理ウェハと支持ウェハの間の接着剤が当該被処理ウェハと支持ウェハを接合した重合ウェハの外側面からはみ出た外側接着剤に対して、接着剤の溶剤を供給し、外側接着剤が所定の大きさに形成されるように当該外側接着剤の表面を除去する（工程Ａ１２）。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板上に有機化合物を含む層を有する素子が設けられた半導体装置を歩留まり高く作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、剥離層上に、無機化合物層、第１の導電層、及び有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層及び無機化合物層に接する第２の導電層を形成して素子形成層を形成し、第２の導電層上に第１の可撓性を有する基板を貼りあわせた後、剥離層と素子形成層とを剥す半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理において、被処理基板の表面の所定のパターン上に形成される酸化膜を抑制する。
【解決手段】重合ウェハを加熱しながら当該重合ウェハを被処理ウェハと支持ウェハに剥離する（工程Ａ１）。その後、被処理ウェハの接合面に有機溶剤を供給し、被処理ウェハの接合面上の接着剤を除去する（工程Ａ２）。その後、被処理ウェハの接合面に酢酸を供給し、被処理ウェハの接合面の所定のパターン上に形成された酸化膜を除去する（工程Ａ３）。その後、被処理ウェハの接合面を検査する（工程Ａ４）。その後、検査結果に基づき、被処理ウェハの接合面上の接着剤を除去し（工程Ａ５）、被処理ウェハの接合面の所定のパターン上に形成された酸化膜を除去する（工程Ａ６）。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の熱処理を適切に行い、当該被処理基板と支持基板の接合を適切に行う。
【解決手段】被処理ウェハ上に接着剤を塗布する（工程Ａ１）。その後、被処理ウェハの熱処理において、熱処理室の内部を排気すると共に熱処理室の内部に不活性ガスを供給し、熱処理室の内部を不活性ガスの雰囲気に置換して無酸素雰囲気にする（工程Ａ２）。その後、熱処理室Ｋの内部の排気を停止すると共に熱処理室の内部への不活性ガスの供給を停止し、熱板によって被処理ウェハ上の接着剤の表面を加熱して乾燥させる（工程Ａ３）。その後、熱処理室の内部を排気すると共に熱処理室の内部に不活性ガスを供給し、熱板によって被処理ウェハ上の接着剤を所定の温度に加熱する（工程Ａ４）。その後、接着剤を介して、被処理ウェハと支持ウェハを押圧して接合する（工程Ａ１３）。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせウェーハを製造する際、貼り合わせ直後にウェーハ周辺部に発生したボイドの個数・総面積を効率良く低減することができる貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ボンドウェーハの表面とベースウェーハの表面とを、直接あるいは絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記ボンドウェーハを薄膜化して貼り合わせウェーハを作製する貼り合わせウェーハの製造方法において、前記ボンドウェーハとベースウェーハの貼り合わせ後、３０℃以上６０℃以下の温度範囲で所定時間保持した後に、前記ボンドウェーハの薄膜化を行うことを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。 （もっと読む）