【課題】設備を複数の処理装置で共用して、エネルギーを削減することが可能な生産処理システム、生産処理の制御装置、生産処理の制御方法、及び、生産処理の制御プログラムを提供する。
【解決手段】生産処理システムは、生産管理用ホストコンピュータ１と、群コントローラ２と、共用コントローラ３と、複数の処理装置４１を含む処理装置群４と、各処理装置４１に共用される１または複数の設備５１を含む共用設備群５と、搬送システム６とを備えている。処理装置４１からの使用情報のみに基づいて処理装置４１及び設備５１を制御するのではなく、予め取得した使用計画を利用する。そのため、効率よく共用設備群５内の設備５１を共用でき、結果として、消費エネルギーを低減できる。 （もっと読む）

【課題】支持基板とＩＩＩ族窒化物層との接合が良好なＩＩＩ族窒化物複合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物複合基板の製造方法は、目標とする基板径より大きい径の主面１０ｍを有する支持基板１０と、目標とする基板径より大きい径の主面３０ｎを有しその主面３０ｎから所定の深さの位置にイオン注入領域３０ｉが形成されたＩＩＩ族窒化物基板３０とを、中間層２０を介在させて貼り合わせ、ＩＩＩ族窒化物基板３０をイオン注入領域３０ｉにおいてＩＩＩ族窒化物層３０ａと残りのＩＩＩ族窒化物基板３０ｂとに分離することにより、支持基板１０上に中間層２０を介在させてＩＩＩ族窒化物層３０ａが接合された第１のＩＩＩ族窒化物複合基板１を形成し、第１のＩＩＩ族窒化物複合基板１の外周部を除去することにより目標とする基板径に等しい径の主面を有する第２のＩＩＩ族窒化物複合基板２を得る。 （もっと読む）

【課題】２つのウエハを高精度で位置合わせする。
【解決手段】 基板貼り合わせ装置１００において、第１及び第２テーブルＴ１，Ｔ２がそれぞれ保持するウエハＷ１，Ｗ２を張り合わせるために第１及び第２テーブルＴ１，Ｔ２を互いに接触した際に、Ｘ干渉計４０Ｘ（第１計測器）が設置された第２テーブルＴ２（ステージ装置３０）が示す共振モードに対して逆相の共振モードを示す第１テーブルＴ１（第１テーブル装置２０）にＸ干渉計４５Ｘ（第２計測器）が設置されている。これらの計測器を用いて１入力２出力系（ＳＩＭＯ系）のフィードバック制御系を構築することにより、第１及び第２テーブルＴ１，Ｔ２間の接触状態に拠らず、制御系を切り換えることなく、高帯域でロバストな第２テーブルＴ２（ステージ装置３０）の駆動を制御する駆動システムを設計することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】未到着ロットの当初計画に対する遅れやトラブルがあってもバッチ効率の低下を抑制することのできる、高い生産能力を有したバッチ処理制御方法およびバッチ処理制御システムを提供する。
【解決手段】ワークを搭載したキャリアよりなる複数のロットを処理設備でまとめて処理するバッチ処理制御方法およびバッチ処理制御システムであって、バッチ組候補グループ管理装置４０において、まとめて処理可能な同じ処理条件のバッチ組候補グループを、処理設備で待ち状態にあるロットと未到着のロットの中から、各ロットに付与されている優先度に従って選択して、所定の時間間隔で繰り返し作成し、仕掛り指示管理装置５０が、処理設備が処理可能となった時、最終的に作成されているバッチ組候補グループを基にしたバッチ組グループに、仕掛り指示を行うバッチ処理制御方法およびバッチ処理制御システム１００とする。 （もっと読む）

【課題】被処理体を処理する複数の処理装置に付随する設備のレディ状態／アイドル状態の切り替えを適切に行い、設備におけるエネルギー消費量を削減する。
【解決手段】処理装置群コントローラ１は、被処理体を処理するそれぞれ設備が付随した複数の処理装置のメンテナンス時期の情報を含む稼働予定と、前記複数の処理装置への被処理体の搬入及び搬出のタイミングの情報を含む搬送計画とを記憶する記憶部１２と、前記搬送計画と、各処理装置の前記稼働予定とを比較し、各処理装置について、メンテナンス前の最後の処理を特定し、特定した処理の終了タイミングを検出する検出部１０２と、各処理装置に対して、前記終了タイミングで、付随している設備とともにアイドル状態に切り替わるように指示する指示部１０３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】除電構造と素子分離構造とを有するＳＯＩウエハを、従来より少ない工程で製造することができるＳＯＩウエハの製造方法の提供。
【解決手段】ＳＯＩウエハの周縁部分に活性層用半導体層および絶縁酸化膜を貫通する除電用トレンチをエッチングで形成すると同時に、当該周縁部分より内側の内側部分に上記活性層用半導体層を貫通し上記絶縁酸化膜に到達する素子分離用トレンチをエッチングで形成するトレンチ形成ステップを備え、上記トレンチ形成ステップは、上記周縁部分におけるエッチングレートが、上記内側部分におけるエッチングレートよりも高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板を適切に接合する。
【解決手段】接合装置の接合部１１３は、被処理ウェハＷを保持する第１の保持部２００と、第１の保持部２００に対向配置され、支持ウェハＳを保持する第２の保持部２０１と、第２の保持部２０１に保持された支持ウェハＳを覆うように設けられた鉛直方向に伸縮自在の圧力容器２７１を備え、当該圧力容器２７１内に気体を流入出させることで第２の保持部２０１を第１の保持部２００側に押圧する加圧機構２７０と、第１の保持部２００、第２の保持部２０１及び圧力容器２７１を内部に収容し、内部を密閉可能な処理容器２９０と、処理容器２９０内の雰囲気を減圧する減圧機構３００と、を有している。 （もっと読む）

【課題】排熱等の使用済み資源を回収して生成した再利用資源を有効活用して、エネルギー消費量の低減も図る。
【解決手段】資源再利用装置６は、被処理体を処理する複数の処理装置それぞれから排出された使用済み資源を回収する資源回収部３４，３５，３６と、 資源回収部で回収された資源から再利用資源を生成する資源生成部３１，３１，３２と、複数の処理装置それぞれの種類と、被処理体の処理工程ごとに複数の処理装置で行われる処理内容と、複数の処理装置の稼働状況および稼働予定とに基づいて、複数の処理装置に再利用資源を振り分ける資源振分部３７，３８，３９，４０，４１，４２と、を備える。 （もっと読む）