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国際特許分類[H01L21/02]の内容

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【課題】他軸への反力が発生しない揺動体拘束機構を提供する。
【解決手段】本発明に係る揺動体拘束機構は、球面座111に沿って運動する揺動体11
3の運動を拘束する揺動体拘束機構であって、揺動体113に形成された円筒面形状の切
り込み面119と、先端が球面形状であって切り込み面119に当接する押し部材115
とを有して構成されている。 (もっと読む)


【課題】イオン注入剥離法により貼り合わせウェーハを製造する際に副生される剥離ウェーハを、少ない取代で、フラットネス等の品質を十分に向上できる再生研磨を行って、高品質の再利用ウェーハとすることができる剥離ウェーハの再生加工方法を提供することを目的とする。
【解決手段】貼り合わせウェーハを作製する際に副生された剥離ウェーハに再生研磨を行い、再度ボンドウェーハもしくはベースウェーハとして利用可能とする剥離ウェーハの再生加工方法において、前記再生研磨において、前記剥離ウェーハを、該剥離ウェーハの剥離面には酸化膜が形成されておらず、かつ、前記剥離面とは反対の裏面には酸化膜が形成されている状態で、両面研磨機で研磨する剥離ウェーハの再生加工方法。 (もっと読む)


【課題】
各処理室間のゲートバルブ等を設けずに長尺の基板を搬送し、且つ、各処理室を真空に保持し、連続的に成膜処理することである
【解決手段】
基板連続処理装置は、第1組の前処理室,成膜処理室,後処理室の連結可能な連続体からなり、またこの連続体と合体でき得る第2組の前処理密封室,成膜処理密封室,後処理密封室の連結可能な連続体で構成される。また第2組の前処理密封室,成膜処理密封室,後処理密封室には、基板が通過でき得る溝が設けられ、前処理室密封,成膜処理密封室及び後処理密封室にはシールするために、1つ若しくは複数の密封材(Oリング等)を設置するための、密封材用取り付け溝を設置してなる構成により課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、接合基板及びその製造方法に関し、より詳細には、表面粗さが改善された接合基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】このために、本発明は、基板;前記基板上に接合され、前記基板と化学組成が異なる薄膜層;及び、前記基板と前記薄膜層との間に配置され、前記薄膜層との接合部界面で発生するボイド(void)の移動性を増加させて、前記薄膜層の表面が前記ボイドにより突出することを防止する中間層を含むことを特徴とする接合基板を提供する。 (もっと読む)


【課題】ウェーハの破損及びチッピングの発生を抑制することができる透明SOIウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ12と、透明ハンドルウェーハの表面11Sとを貼り合わせて貼り合わせウェーハを得る工程と、前記貼り合わせウェーハに、150〜300℃の第1熱処理を施す工程と、前記貼り合わせる工程によって貼り合わされた面部分と、貼り合わされていない面部分との境界に、前記熱処理を施された貼り合わせウェーハのシリコンウェーハ側から、入射光と該シリコンウェーハの径方向とがなす角度が60〜90°となるように可視光レーザーLを照射し、前記貼り合わされていない部分を切断する工程と、前記切断後の貼り合わせウェーハのシリコンウェーハに、研削、研磨又はエッチング処理を施すことによってシリコン薄膜12Bを作製する工程と、第1熱処理よりも高い300〜500℃の第2熱処理を施す。 (もっと読む)


【課題】半導体ウェハの一面に接着剤を介して被覆材を貼り付けた後、接着剤に気泡が混入している場合に、半導体ウェハを破壊することなく、気泡を除去できる半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ1の一面1aに接着剤3を介してフィルム2を貼り付けた後、接着剤3中に気泡4が混入している場合に、接着剤3を伸縮させること、接着剤3に振動を与えること、接着剤3に熱を与えること等の接着剤3にエネルギーを加えることにより、気泡4を被覆材2側に移動させる気泡移動工程を行った後、フィルム2を剥がすことにより、もしくは、フィルム2に開口部2aを形成することにより、接着剤3中の気泡4を大気に触れさせて除去する脱泡工程を行う。 (もっと読む)


【課題】バッファー層にレーザー光線を照射することによりサファイア基板を剥離する際に、レーザー光線の適正な出力を設定する出力設定方法およびレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】エピタキシー基板の表面にバッファー層を介して積層された光デバイス層にレーザー光線を照射することにより、エピタキシー基板を剥離する際のレーザー光線の出力を設定する方法であって、エピタキシー基板の裏面側からバッファー層にレーザー光線を、出力を変更しつつ照射するレーザー光線照射工程と、レーザー光線照射工程によって発生するプラズマにおけるバッファー層を形成する物質の波長域の光強度を、バッファー層に照射したレーザー光線の出力に対応して表示手段に表示するプラズマ光強度表示工程と、表示手段に表示されたレーザー光線の出力に対応したプラズマの光強度に基づいて、適正なレーザー光線の出力を設定する出力設定工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、接合基板及びその製造方法に関し、より詳しくは、複数の溝を有する接合基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】このために、本発明は、第1の基板にイオンを注入してイオン注入層を形成するイオン注入段階と、前記第1の基板を複数の溝が形成された第2の基板に接合する接合段階、及び前記第1の基板を前記イオン注入層を基準に分離する分離段階と、を含むことを特徴とする接合基板の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】第1部材と第2部材とを貼り合わせた貼り合わせ体における中央部とエッジ部の厚さにばらつきがなく、且つエッジ部の厚さが全周に亘って均一である貼り合わせ体を得ることができる貼り合わせ装置を提供する。
【解決手段】ウエハW1を上面に載置して保持する下部チャック10と、下部チャック10の上部に対向配置されウエハW2を保持する上部チャック11と、下部チャック10と上部チャック11との間に形成される空間Sを減圧する吸気機構18とを有し、上部チャック11は、剛性を有するエッジ部11bと、当該エッジ部11bと分割され、エッジ部11bに外周部が支持された保持部本体11aとを有し、保持部本体11aは、所定の圧力、例えば0.7気圧で当該保持部本体11aの中心部が撓む弾性体からなる。 (もっと読む)


【課題】支持基板と酸化物膜との接合強度および酸化物膜とIII族窒化物層との接合強度が高いIII族窒化物複合基板を提供する。
【解決手段】本III族窒化物複合基板1は、支持基板10と酸化物膜20とIII族窒化物層30aとを含み、支持基板10は多結晶で形成され、III族窒化物層30aは少なくともc軸方向に配向しているIII族窒化物結晶で形成され、酸化物膜20は不純物が添加され、不純物の濃度は、酸化物膜20において支持基板10側の第1主面20sからIII族窒化物層30a側の第2主面20tにかけて膜厚方向で変化し、第1主面20sにおける不純物の濃度は第2主面20tにおける不純物の濃度よりも高い。 (もっと読む)


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