【課題】表面にＤＺを有する半導体基板において、該ＤＺの有無を判定することを目的の一とする。
【解決手段】表面にＤＺ、内部にＩＧ層を有する半導体基板において、表面再結合速度を１×１０^４ｃｍ／ｓｅｃ以上に調整した第１のサンプルの一次モードのライフタイムτ_１１を測定し、一次モードのライフタイムτ_１１および下記数式を用いて、ＩＧ層のバルクライフタイムτ_ＩＧを求め、第１のサンプルに対して、表面再結合速度を１×１０^２ｃｍ／ｓｅｃ以下に調整した第２のサンプルの一次モードのライフタイムτ_１２を測定し、一次モードのライフタイムτ_１２とＩＧ層のバルクライフタイムτ_ＩＧを比較し、一次モードのライフタイムτ_１２とＩＧ層のバルクライフタイムτ_ＩＧの差が０となったとき、ＤＺが消失したと判定することができる。
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【課題】ウェーハの破損及びチッピングの発生を抑制することができる透明ＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ１２と、透明ハンドルウェーハの表面１１Ｓとを貼り合わせて貼り合わせウェーハを得る工程と、前記貼り合わせウェーハに、１５０〜３００℃の第１熱処理を施す工程と、前記貼り合わせる工程によって貼り合わされた面部分と、貼り合わされていない面部分との境界に、前記熱処理を施された貼り合わせウェーハのシリコンウェーハ側から、入射光と該シリコンウェーハの径方向とがなす角度が６０〜９０°となるように可視光レーザーＬを照射し、前記貼り合わされていない部分を切断する工程と、前記切断後の貼り合わせウェーハのシリコンウェーハに、研削、研磨又はエッチング処理を施すことによってシリコン薄膜１２Ｂを作製する工程と、第１熱処理よりも高い３００〜５００℃の第２熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの一面に接着剤を介して被覆材を貼り付けた後、接着剤に気泡が混入している場合に、半導体ウェハを破壊することなく、気泡を除去できる半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ１の一面１ａに接着剤３を介してフィルム２を貼り付けた後、接着剤３中に気泡４が混入している場合に、接着剤３を伸縮させること、接着剤３に振動を与えること、接着剤３に熱を与えること等の接着剤３にエネルギーを加えることにより、気泡４を被覆材２側に移動させる気泡移動工程を行った後、フィルム２を剥がすことにより、もしくは、フィルム２に開口部２ａを形成することにより、接着剤３中の気泡４を大気に触れさせて除去する脱泡工程を行う。 （もっと読む）

【課題】バッファー層にレーザー光線を照射することによりサファイア基板を剥離する際に、レーザー光線の適正な出力を設定する出力設定方法およびレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】エピタキシー基板の表面にバッファー層を介して積層された光デバイス層にレーザー光線を照射することにより、エピタキシー基板を剥離する際のレーザー光線の出力を設定する方法であって、エピタキシー基板の裏面側からバッファー層にレーザー光線を、出力を変更しつつ照射するレーザー光線照射工程と、レーザー光線照射工程によって発生するプラズマにおけるバッファー層を形成する物質の波長域の光強度を、バッファー層に照射したレーザー光線の出力に対応して表示手段に表示するプラズマ光強度表示工程と、表示手段に表示されたレーザー光線の出力に対応したプラズマの光強度に基づいて、適正なレーザー光線の出力を設定する出力設定工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接合基板及びその製造方法に関し、より詳しくは、複数の溝を有する接合基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】このために、本発明は、第１の基板にイオンを注入してイオン注入層を形成するイオン注入段階と、前記第１の基板を複数の溝が形成された第２の基板に接合する接合段階、及び前記第１の基板を前記イオン注入層を基準に分離する分離段階と、を含むことを特徴とする接合基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】第１部材と第２部材とを貼り合わせた貼り合わせ体における中央部とエッジ部の厚さにばらつきがなく、且つエッジ部の厚さが全周に亘って均一である貼り合わせ体を得ることができる貼り合わせ装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷ１を上面に載置して保持する下部チャック１０と、下部チャック１０の上部に対向配置されウエハＷ２を保持する上部チャック１１と、下部チャック１０と上部チャック１１との間に形成される空間Ｓを減圧する吸気機構１８とを有し、上部チャック１１は、剛性を有するエッジ部１１ｂと、当該エッジ部１１ｂと分割され、エッジ部１１ｂに外周部が支持された保持部本体１１ａとを有し、保持部本体１１ａは、所定の圧力、例えば０．７気圧で当該保持部本体１１ａの中心部が撓む弾性体からなる。 （もっと読む）

【課題】イオン注入剥離法により貼り合わせウェーハを製造する際に副生される剥離ウェーハを、少ない取代で、フラットネス等の品質を十分に向上できる再生研磨を行って、高品質の再利用ウェーハとすることができる剥離ウェーハの再生加工方法を提供することを目的とする。
【解決手段】貼り合わせウェーハを作製する際に副生された剥離ウェーハに再生研磨を行い、再度ボンドウェーハもしくはベースウェーハとして利用可能とする剥離ウェーハの再生加工方法において、前記再生研磨において、前記剥離ウェーハを、該剥離ウェーハの剥離面には酸化膜が形成されておらず、かつ、前記剥離面とは反対の裏面には酸化膜が形成されている状態で、両面研磨機で研磨する剥離ウェーハの再生加工方法。 （もっと読む）

【課題】
各処理室間のゲートバルブ等を設けずに長尺の基板を搬送し、且つ、各処理室を真空に保持し、連続的に成膜処理することである
【解決手段】
基板連続処理装置は、第１組の前処理室，成膜処理室，後処理室の連結可能な連続体からなり、またこの連続体と合体でき得る第２組の前処理密封室，成膜処理密封室，後処理密封室の連結可能な連続体で構成される。また第２組の前処理密封室，成膜処理密封室，後処理密封室には、基板が通過でき得る溝が設けられ、前処理室密封，成膜処理密封室及び後処理密封室にはシールするために、１つ若しくは複数の密封材（Ｏリング等）を設置するための、密封材用取り付け溝を設置してなる構成により課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接合基板及びその製造方法に関し、より詳細には、表面粗さが改善された接合基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】このために、本発明は、基板；前記基板上に接合され、前記基板と化学組成が異なる薄膜層；及び、前記基板と前記薄膜層との間に配置され、前記薄膜層との接合部界面で発生するボイド（ｖｏｉｄ）の移動性を増加させて、前記薄膜層の表面が前記ボイドにより突出することを防止する中間層を含むことを特徴とする接合基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】部分的に形成した接着層と剥離層とを有する仮固定材を介して仮固定する方法において、基材と支持体とを貼り合わせる際、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく、仮固定材を形成できる基材の処理方法を提供する。
【解決手段】（１）重合体（Ａ）、および前記重合体（Ａ）と実質的に非混和性の化合物（Ｂ）を含有する仮固定用組成物により、基材上に、接着層および剥離層をこの順に形成する工程；（２）前記剥離層の一部を除き、接着層を介して、前記基材と支持体を仮固定する工程；（４）前記接着層の一部を除き、基材上に、接着層の残部、剥離層の残部および支持体をこの順に形成する工程；ならびに（５）支持体から加工後の基材を剥離する工程；をこの順で有する基材の仮固定方法。 （もっと読む）