【課題】高電圧駆動素子の為にＳｉＣやＧａＮの基板の簡素化が重要な課題となっている。Ｓｉ基板上のシリコン酸化膜の上に単結晶のＳｉＣ膜を形成し、トレンチによる絶縁物分離構造とし、その中に結晶欠陥が多くてもその影響を避ける新構造の素子の発明である。
【解決手段】ＳｉＣ膜に形成したＭＯＳＦＥＴなどの半導体素子を構成しているＰＮ接合面において基板面と並行となる面にあるＰＮ接合に印加される電界が、ＳｉＣ膜が形成されているシリコン酸化膜や基板となるＳｉ層により緩和されて、さらには基板電位をドレイン電圧とは逆方向の電位とすることにより大きく電界緩和されて、ＳｉＣ膜に発生している基板と垂直方向の結晶欠陥の結晶欠陥降伏電圧以下とすることを特徴とする素子構造を持った半導体装置。 （もっと読む）

【課題】裏面に反射膜を積層したサファイア基板の内部にストリートに沿って改質層を形成することができ、かつ反射膜をストリートに沿って切断することができるサファイア基板の加工方法を提供する。
【解決手段】表面に複数の光デバイスが格子状のストリート２２で区画形成されたサファイア基板２０をストリートに沿って分割するサファイア基板の加工方法であって、基板に対して透過性を有する波長のレーザー光を裏面側から基板の内部に集光点を位置付けてストリートに沿って照射し、ストリートに沿って改質層を形成する工程と、基板の裏面に反射膜２１０を積層する工程と、裏面に積層された反射膜側から反射膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をストリートに沿って照射し、反射膜をストリートに沿って切断する工程と、基板に外力を付与して基板を変質層が形成されたストリートに沿って破断し、個々の光デバイスに分割する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】２つの基材同士を、高い寸法精度で強固に、効率よく接合し得る接合方法、および、かかる接合方法により接合された接合体を提供すること。
【解決手段】本発明の接合方法は、第１の官能基を有するカップリング剤を用いた化学的気相成膜法により、第１の官能基を有する単分子膜３１を第１の基材２１に形成する工程と、第１の官能基と反応する第２の官能基を有するカップリング剤を用いた化学的気相成膜法により、第２の官能基を有する単分子膜３２を第２の基材２２に形成する工程と、単分子膜３１と単分子膜３２とが対向するように第１の基材２１と第２の基材２２とを重ね合わせた状態で、第１の基材２１と第２の基材２２とを加圧するとともに加熱することで、単分子膜３１と単分子膜３２とを介して第１の基材２１と第２の基材２２とが接合された接合体１を得る工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のエッチング特性の劣化の抑制およびサポート基板からの汚染リスクの低減を図る。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法においては、半導体基板の表面とサポート基板２０の表面とを接着剤１５を介して貼り合わせる。前記サポート基板の周辺部の一部に撥水処理を行い、前記一部に前記接着剤の端面に接するように撥水領域２２を形成する。ウェットエッチングにより、前記半導体基板を裏面側から加工する。 （もっと読む）

【課題】頻繁に表示したい画面が階層の深い画面である場合でも、画面操作を簡単にする機能を有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】各種画面情報が登録される格納部と、所望の画面へ切替表示する切替手段を表示する操作画面を備えた表示部と、前記操作画面からの入力指示を受付け、前記入力指示に従い前記操作画面に所定の画面を表示する表示制御部とを少なくとも備えた操作部を含む基板処理装置であって、表示制御部は、切替手段が押下されると、予め登録された各種画面情報に従い、所望の画面を操作画面に表示させる。 （もっと読む）

【課題】高い結晶品質を有する、多様な材料からなる、完全に緩和した、又は歪んだ半導体層を積層するために絶縁体層の格子寸法を調整するための高い柔軟性を許容する、ＳＯＩ構造の作製のための基板を提供する。
【解決手段】実質的にシリコンからなる単結晶基板ウェハ１、電気絶縁性材料を含み、かつ２ｎｍ〜１００ｎｍの厚さを有する第一非晶質中間層２、立方晶系Ｉａ−３結晶構造と、（Ｍｅ１₂Ｏ₃）_-1-x（Ｍｅ２₂Ｏ₃）_xの組成と、基板ウェハの材料の格子定数と０％〜５％異なる格子定数とを有する単結晶第一酸化物層３を示される順序で含むことを特徴とする半導体ウェハ。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体基板とベース基板の界面に空気層が残ることに起因した、ベース基板から単結晶半導体基板を引き剥がした際に生じる転載不良領域の発生が抑制された、高品位なＳＯＩ基板の作製方法および作製に用いる貼り合わせ装置を提供することを課題とする。
【解決手段】ボンド基板を、ベース基板の設置面に対して傾斜角を持たせた状態で貼り合わせる。これにより、貼り合わせ開始箇所を限定できる。また、ボンド基板の一部が支持台からはみ出し、且つ、支持台からはみ出した部分がベース基板に最も近くなる状態にボンド基板を設置した。これにより、ボンド基板とベース基板の接触箇所下部には支持台がなく、ボンド基板の一部は支持台の端部を支点として支持台から浮かんだ状態となり、ベース基板に近づいた部分から順次貼り合わせが進むため、ボンド基板とベース基板の界面に空気層残りが生じることなく安定した貼り合わせを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】製造プロセス中のウエハの反りを防止する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハにおける、サポートプレートが貼り付けられている面とは反対側の被支持面の内周部を支持する支持ピンにより支持された積層体を減圧環境下において搬送する搬送ユニット２０とを備え、製造プロセス中のウエハの反りを防止することを可能とした。 （もっと読む）

【課題】ダミー基板の使用効率の向上及び有効なダミー基板の運用を可能とする。
【解決手段】所定枚数の各種基板を処理する処理室を複数備えた基板処理装置であって、前記処理室毎の基板枚数が前記所定枚数となるように、前記処理室毎に使用するダミー基板の枚数を決定し、前記ダミー基板が均等に使用されるよう制御する制御手段を備えた基板処理装置が提供される。前記制御手段は、前記処理室毎の前記各種基板が前記所定枚数となるように前記ダミー基板の枚数を決定する際、前記処理室毎に使用される前記ダミー基板の枚数を、略同枚数となるように決定する。


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【課題】第１部材と第２部材を貼り合わせた貼り合わせ体における第１部材と第２部材との位置ずれがなく、高品質の貼り合わせ体が得られる貼り合わせ装置を提供する。
【解決手段】
【請求項１】ウエハＷ１を上面に載置して保持する下部チャック１１と、その上部に対向配置されウエハＷ２を保持する上部チャック１２と、下部チャック１１に保持されたウエハＷ１と、上部チャック１２に保持されたウエハＷ２との貼り合わせ位置を調整する位置調整機構２０とを有し、位置調整機構２０は、円形板状の上部チャック１２の外周面に沿って等間隔に配置された４つの位置調整用のカム部材２１によって上部チャック１２を水平方向に移動させると共に、角度調整用のカム部材２３によって上部チャック１２の外周面に設けられた回転補助部材２２を押圧して上部チャック１２を水平面上で回動させてウエハＷ１の位置に対するウエハＷ２の位置を合わせる。 （もっと読む）