【課題】デバイス製造装置が発生するデータの情報処理装置から端末への送信に規制を設けることにより、端末側における即時性が要求される処理の遅延を防止する情報処理装置を提供する。
【解決手段】デバイスを製造するためのデバイス製造装置１００が発生するデータを端末２２０に送信する情報処理装置２００は、端末２２０と通信する通信部２０６と、情報処理装置２００が端末２２０に送信すべきデータを特定するためのデータ特定情報、および、端末２２０が情報処理装置２００から単位時間当りに受信することができるデータ量である受信可能速度を示す情報を端末２２０から取得する取得部２０５と、デバイス製造装置１００が発生するデータからデータ特定情報によって特定されるデータを抽出する抽出部２１１と、抽出され端末２２０に送信されるデータの送信速度が受信可能速度を超えないように制御する送信制御部２０１とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造ラインの汚染の問題をそれによって解決することができる追加の層を有するセミコンダクタ・オン・インシュレータ基板を作製する方法を提案すること。
【解決手段】本発明は、ＳＯＩ基板を製造する方法であって、ａ）第１の不純物型の第１の不純物密度を有する第１の半導体基板を設けるステップと、ｂ）第１の半導体基板を第１の熱処理にかけ、それにより、第１の半導体基板の１つの主表面に隣接する改質層中の第１の不純物密度を低減させるステップと、ｃ）第１の不純物密度が低減された改質層を、第２の基板上に少なくとも部分的に移転し、それにより、改質された第２の基板を得るステップと、ｄ）第１の不純物型とは異なる第２の不純物型の第２の不純物密度を有する層を、特にエピタキシャル成長によって設けるステップとを含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】基板の面内温度を均一にすることができる基板載置機構を提供すること。
【解決手段】基板載置機構８４ａ，８４ｂ，８４ｃは、基板Ｇを載置する基板載置台８６と、基板載置台８６を介して基板Ｇを加熱するヒーター８７と、基板Ｇの端部を支持し、基板Ｇを基板載置台８６に載置させる第１の位置と、基板載置台８６から上昇した第２の位置との間で昇降可能な基板昇降部材８８と、基板昇降部材８８を昇降させる昇降機構９３，９４，９５，９６，９７とを具備し、基板昇降部材８８は、第１の位置において基板載置台８６の一部として機能する。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造装置が発生するデータを、端末側において長時間に渡って待ち続けることのない情報処理装置を提供する。
【解決手段】デバイス製造装置１００が発生するデータを少なくとも１つの端末２２０に送信する情報処理装置２００は、少なくとも１つの端末２２０と通信する通信部２０６と、端末２２０から受信した送信要求を受理し又は拒否する送信要求処理部２０５と、受理された送信要求に応答して当該送信要求を送信した端末２２０に対して当該送信要求に係るデータを送信するように通信部２０６を制御する送信制御部２０１等を備え、送信要求を受信した場合、既に受理した送信要求に応答して送信される全てのデータのそれぞれの送信速度と当該新たな送信要求に応答してデータを送信するときの送信速度との合計が予め設定されている許容送信速度を超えない場合には当該新たな送信要求を受理し、そうでない場合には当該新たな送信要求を拒否する。 （もっと読む）

本発明は、作製が簡単でかつ作製費が低いのはもとより、窒素ガスの噴射方向を反応副産物の流れ方向と一致させ、反応副産物ガスの流れを損なわず、効果的に噴射されるようにした半導体装備やＬＣＤ装備の窒素ガス噴射装置に関し、フランジを有する一対のフランジ配管と、一対のフランジ配管間でフランジ配管の壁体に沿ってリング状に結合され、フランジ配管の内部に窒素を供給する噴射ノズルと、窒素ガスの供給のために噴射ノズルと連結された窒素供給ラインと、を備え、噴射ノズルは、円周方向に沿って供給された窒素が移動可能に内部に中空が形成され、内部中空と連通し、供給された窒素がフランジ配管の内部に噴射されるようにする多数の噴射孔を備えるが、噴射孔は、フランジ配管の内周面から突出した位置において、前記反応副産物ガスの流れ方向に噴射されるように形成される。
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【課題】半導体処理チャンバからの排気ガスの固化を防止することにより、メンテナンスの手間と費用を低減することが可能なスロットルバルブを提供する。
【解決手段】内部に空間を有するバルブ本体部２０と、バルブ本体部の側壁に形成され、外部の真空チャンバ１１１と連結される連結部と、バルブ本体部内部の空間であって連結部の下端部より上方にある上方空間と、バルブ本体部内部の空間であって連結部の下端部より下方にあり、真空ポンプと連結される下方空間の間の開口度を昇降により調節するプランジャー５１と、バルブ本体部の上壁２２の上部に配置される固定台３０，４０と、固定台及びバルブ本体部の内部に設けられ、プランジャーを昇降させるプランジャー昇降機構６０と、バルブ本体部の上壁の外側及び固定台の側壁部に設けられるヒーター９０，９２を備え、ヒーターはバルブ本体内部の上壁とプランジャーとの間の空間を加熱する。 （もっと読む）

【課題】チップサイズを増加させずに、チップ位置情報等の識別情報を記録した集積回路装置を提供すること。
【解決手段】集積回路を有する集積回路基板と、前記集積回路に接続された導電性パッドと、前記導電性パッドを露出する開口部を持つ絶縁膜を備えた外部電極構造体とを有し、前記外部電極構造体が、前記集積回路基板の識別情報に対応する形状を有すること。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板を用いらずに、裏面照射型の撮像素子等を、活性領域となる半導体エピタキシャル層の厚さを所望の厚さに容易に管理することができ、かつ、汚染不純物のゲッタリングを円滑に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】導電型がＰ型のシリコン単結晶基板の一方の主表面に、エッチストップ層となる導電型がＮ型のＮ型エピタキシャル層と、半導体素子を形成するための半導体エピタキシャル層とをこの順にエピタキシャル成長させる工程と、前記半導体素子を形成するための半導体エピタキシャル層に前記半導体素子を形成する工程と、該半導体素子が形成された表面に保持基板を貼り合わせる工程と、前記Ｎ型エピタキシャル層に正電圧を印加して、該Ｎ型エピタキシャル層をエッチストップ層として電気化学的エッチングにより前記Ｐ型シリコン単結晶基板を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】レーザマーキング時における印字部位周辺の微小な凹凸隆起部及び印字する際に飛び散るＳｉ切れ刃の溶着等の影響をなくし、印字部位近傍の平坦度の悪化を防ぐ。
【解決手段】レーザマーク付き半導体ウェーハの製造方法であって、単結晶インゴットから円板状のウェーハを切り出すスライス工程と、前記切り出されたウェーハの厚みをそろえる平坦化工程と、前記ウェーハを識別するためのレーザマークを、前記厚ウェーハの表面にレーザで印字するレーザマーク印字工程と、前記ウェーハの少なくともレーザマークを付した表面を、レーザマーク印字部位周辺の凹凸隆起部の除去とともにレーザマーク印字部位の深さの維持を考慮した所定の厚さだけ研削する研削工程と、前記研削後のウェーハの少なくともレーザマーク印字部位をエッチングするエッチング工程と、前記エッチング後のウェーハの表面を、砥粒を含まない研磨液により研磨する研磨工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板とを確実に接合でき、ろうこぶの形成を抑制してろうこぶの除去作業を不要とし、ろうこぶの除去作業によるセラミックス基板の破損を防止するとともに、精密な加工を可能にするパワーモジュール用基板の製造方法および製造中間体を提供する。
【解決手段】一対の略矩形の加圧板６０間で加熱することにより、セラミックス基板２０の表面に金属板３０の裏面をろう付けする接合工程を有するパワーモジュール用基板の製造方法であって、金属板３０の表面に、１つの角部を形成する２辺に沿って、加圧板６０から離間する所定幅の逃げ面３２を設け、接合工程において、セラミックス基板２０、ろう材４０および加圧板６０の各１つの角部を金属板３０の角部に一致させるようにこれらを積層するとともに、加圧板６０の表面と金属板３０の逃げ面３２との間にろう溜まり空間５２を形成する。 （もっと読む）