【課題】簡易な構成で、シリコン基板とガラス台座とシリコン台座との三層の陽極接合が可能な陽極接合装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係る陽極接合装置は、シリコンチューブ１とシリコンチップ３との間にガラス台座２を配置して、各接合面を陽極接合する陽極接合装置であって、シリコンチューブ１とガラス台座２とシリコンチップ３とを重ねて、シリコンチューブ１が当接するように載置する陽極電極ステージ１３と、シリコンチップ３に当接される陽極電極１４と、ガラス台座２に当接される陰極電極１５と、陽極電極ステージ１３と陰極電極１５との間に所定の電圧を印加する一次電源１１と、陽極電極１４と陰極電極１５との間に所定の電圧を印加する二次電源１２と、シリコンチューブ１とガラス台座２の接合面及びガラス台座２とシリコンチップ３の接合面を加熱する加熱手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で再現性良く、表面平坦性を良好に保つことが可能な、部分的にＢＯＸ層を形成したＳＩＭＯＸ基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＢＯＸ層を形成する領域を開口として、ウェーハの一面側にマスク層を形成する工程と、マスク層の開口からシリコン単結晶ウェーハに向けて所定の深さまで酸素をイオン注入し、局部的に酸素注入領域を形成する工程と、ウェーハとマスク層とをアニール処理し、酸素注入領域を酸化させてＢＯＸ層を形成するアニール工程と、アニール工程で形成されるウェーハ全体を覆う被覆酸化膜を除去する酸化膜除去工程を備え、マスク層は、少なくとも酸化物膜と、ポリシリコン膜およびアモルファスシリコン膜のうちいずれか一方又は両方とを積層してなる。 （もっと読む）

【課題】基板搬送装置には、搬送時の振動等による半導体基板およびこれを保持する基板ホルダの脱落を防止する機構が必要となる。しかし、脱落防止機構の駆動は発塵の原因となる。
【解決手段】基板を保持する基板ホルダを搬送する基板搬送装置は、基板ホルダを載置する載置部と、載置部に載置された基板ホルダが保持する基板に対して、載置部と同じ側に配置された回転軸と、回転軸の軸周りに回動して、基板ホルダの脱落を防止する防止位置と、基板ホルダを開放するための開放位置を取り得る開閉ロック機構と、載置部、回転軸および開閉ロック機構を一体的に上下反転させる反転部とを備える。 （もっと読む）

【課題】ベース基板（例えばガラス基板）とボンド基板（例えば単結晶シリコン基板）とを貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する際の半導体層（例えば単結晶シリコン層）の表面の荒れを抑制することを目的の一とする。または、上記荒れを抑えて歩留まりの高い半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ボンド基板に加速されたイオンを照射して該ボンド基板に脆化領域を形成し、ボンド基板またはベース基板の表面に絶縁層を形成し、絶縁層を介してボンド基板とベース基板を貼り合わせると共に、ボンド基板とベース基板の一部に、ボンド基板とベース基板とが貼り合わない領域であってボンド基板とベース基板によって閉じられた領域を形成し、熱処理を施すことにより、脆化領域においてボンド基板を分離して、ベース基板上に半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】接合しようとする一対の基板の接合面を１台の処理設備により効率よく短時間でプラズマ処理し、それに続いて容易に基板の接合をする。
【解決手段】プラズマ基板表面処理接合装置は、接合する一対の基板１８、２８の接合面をプラズマ処理するためのプラズマ電極３２と、そのプラズマ処理した一対の基板１８、２８の接合面を当接して接合するホルダ押し上げロッド３１とを有する。一対の基板１８、２８を互いに対向させた状態で位置決めピン２４と位置決め孔１４とにより相互に位置決めする。前記ホルダ押し上げロッド３１により基板の接合面を互いに離間して対向させ、その接合面の間にプラズマ電極を挿入してプラズマを形成し、基板１８、２８の接合面を同時にプラズマ処理する。その後基板１８、２８の接合面を当接するよう基板を移動し、基板１８、２８を加圧して圧着する。 （もっと読む）

【課題】レーザマーキング時における印字部位周辺の微小な凹凸隆起部及び印字する際に飛び散るＳｉ切れ刃の溶着等の影響をなくし、印字部位近傍の平坦度の悪化を防ぐ。
【解決手段】レーザマーク付き半導体ウェーハの製造方法であって、単結晶インゴットから円板状のウェーハを切り出すスライス工程と、前記切り出されたウェーハの厚みをそろえる平坦化工程と、前記ウェーハを識別するためのレーザマークを、前記厚ウェーハの表面にレーザで印字するレーザマーク印字工程と、前記ウェーハの少なくともレーザマークを付した表面を、レーザマーク印字部位周辺の凹凸隆起部の除去とともにレーザマーク印字部位の深さの維持を考慮した所定の厚さだけ研削する研削工程と、前記研削後のウェーハの少なくともレーザマーク印字部位をエッチングするエッチング工程と、前記エッチング後のウェーハの表面を、砥粒を含まない研磨液により研磨する研磨工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板とを確実に接合でき、ろうこぶの形成を抑制してろうこぶの除去作業を不要とし、ろうこぶの除去作業によるセラミックス基板の破損を防止するとともに、精密な加工を可能にするパワーモジュール用基板の製造方法および製造中間体を提供する。
【解決手段】一対の略矩形の加圧板６０間で加熱することにより、セラミックス基板２０の表面に金属板３０の裏面をろう付けする接合工程を有するパワーモジュール用基板の製造方法であって、金属板３０の表面に、１つの角部を形成する２辺に沿って、加圧板６０から離間する所定幅の逃げ面３２を設け、接合工程において、セラミックス基板２０、ろう材４０および加圧板６０の各１つの角部を金属板３０の角部に一致させるようにこれらを積層するとともに、加圧板６０の表面と金属板３０の逃げ面３２との間にろう溜まり空間５２を形成する。 （もっと読む）

本発明のあるいくつかの例示的な実施形態は、透明導電層（ＴＣＣ）としてのグラフェンの使用に関する。本発明のあるいくつかの例示的な実施形態において、グラフェン薄膜は、広い領域上に、例えば触媒薄膜上に、炭化水素ガス（例えば、Ｃ₂Ｈ₂、ＣＨ₄などといった）からヘテロエピタキシャル成長する。あるいくつかの例示的な実施形態のグラフェン薄膜は、ドープされていてもアンドープであってもよい。あるいくつかの例示的な実施形態において、一旦形成されたグラフェン薄膜は、それらのキャリア基板をリフトオフされていても、例えば中間および最終生成物を含め、受電基板に転写されていてもよい。この方法で成長させ、リフトされかつ転写されたグラフェンは、低いシート抵抗（例えば、１５０オーム／スクウェア未満でかつドープされているときより低い）および高い透過係数（transmission value）（例えば、少なくとも可視および赤外線スペクトルにおいて）を示してもよい。
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【課題】半導体膜が分離された後の分離後の半導体基板を、ＳＯＩ基板作製に用いることが可能な再生半導体基板に再生する際に、分離後の半導体基板の取り代を削減し、１枚の半導体基板を再生使用できる回数を増やす半導体基板の再生処理方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】半導体を酸化する酸化剤として機能する物質と、半導体の酸化物を溶解する物質と、半導体の酸化及び半導体の酸化物の溶解の減速剤として機能する物質と、を含む混合溶液を用いて、分離後の半導体基板の周辺部に残存した脆化層及び半導体層を選択的に除去することを特徴とする半導体基板の再生処理方法である。なお、イオン注入装置により水素ガスから生成される、Ｈ^＋イオンを注入することにより半導体基板に形成する脆化層を用いて、半導体基板から半導体膜を分離する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップのデバイス領域を犠牲にすることなくダイシング領域を有効に利用して、半導体チップの製造工程における位置情報を追跡することが可能な半導体チップ、半導体チップの製造方法並びに半導体ウエハを提供する。
【解決手段】半導体ウエハの表面に半導体製造工程を経て形成され、個々に区画するダイシング領域２４を切断することで分離される半導体素子部と、前記半導体素子部以外に設けられ、前記ダイシング領域を切断した後も前記個々の半導体素子部の外周領域に残り、前記半導体素子部を個々に識別するための少なくとも１つ以上の凹部又は凸部からなる識別部２７を備えるように構成した。 （もっと読む）