【課題】 基板を位置合わせして重ね合わせる場合に、面と面を接触させるときに互いの面の傾きが大きいと、その後実行される倣い動作において繰り返される試行動作の回数が増えてしまい、装置としてのスループットの低下を招いていた。
【解決手段】 基板重ね合わせ装置は、第１基板を保持する第１ステージと、第１基板に対向して配置される第２基板を保持する第２ステージと、第１ステージに保持された第１基板の接合面である第１接合面と、第２ステージに保持された第２基板の接合面である第２接合面の相対的な傾きを取得する取得部と、第１ステージおよび第２ステージの少なくとも一方を、取得部が取得した傾きに基づいて、第１接合面と第２接合面が互いに平行となるように駆動する駆動部とを備える。 （もっと読む）

【課題】選択エッチング層のエッチング時の自然酸化による影響で化合物半導体層の損傷、結晶の転移が発生せず、信頼性の高い半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板８上に、選択エッチング層３、応力緩和層９および応力緩和層９より大きいヤング率を有するIII−Ｖ族化合物半導体から成る化合物半導体層４をエピタキシャル成長法により順次積層させる積層工程と、選択エッチング層３、応力緩和層９および化合物半導体層４を所定パターンとなるようにエッチング除去するエッチング工程と、Ｓｉ基板５の主面に化合物半導体層４の上面を直接接合法により接合させて、選択エッチング層３、応力緩和層９および化合物半導体層４が積層された化合物半導体基板８を貼りあわせる接合工程と、前記エッチング工程で残った選択エッチング層３をさらにエッチング除去することにより、Ｓｉ基板５と化合物半導体基板８とを分離する分離工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的の一つは、薄膜素子群１１０を製造元基板１００から転写先基板２００に転写する際に、製造元基板１００が割れて仕舞う事を防止する事が出来る、薄膜素子群の転写方法を提供する事にある。
【解決手段】本発明の一態様としての薄膜素子群の転写方法は、薄膜素子群１１０が形成された製造元基板１００の周辺部１３０、及び転写先基板２００の周辺部２３０の少なくとも一方に撥水処理を行う表面処理工程と、製造元基板１００の製造元基板表面及び転写先基板２００の製造元基板表面の少なくとも一方に水溶性接着剤１５０を塗布する接着剤塗布工程と、製造元基板１００の製造元基板表面と転写先基板２００の転写先基板とを対向させて貼り合わせる基板配置工程と、接着剤硬化工程と、製造元基板１００を転写先基板２００から剥離させる事に依って、薄膜素子群１１０を転写先基板２００に転写する基板剥離工程と、を有する事を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダミー基板の反りを抑えることができる基板処理装置におけるダミー基板の使用方法を提供すること。
【解決手段】ダミー基板格納部に格納されている複数のダミー基板の各々について、プロセスチャンバにて行われるプロセスレシピに基づき、成膜された膜の種別と膜厚とを含む成膜履歴をコンピュータにより作成する工程と、膜の種別ごとに膜厚と成膜による基板の曲率変化とを対応付けた曲率データを用い、この曲率データとダミー基板の前記成膜履歴とに基づいて、当該ダミー基板の曲率をコンピュータにより求める工程と、求められたダミー基板の曲率と、曲率データと、成膜処理の膜の種別及び膜厚を含むプロセススケジュールと、に基づいて、ダミー基板の反りが抑えられるようにプロセスチャンバに対する搬送スケジュールを作成する工程と、を実施する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置や半導体回路装置の製造における積層ウェハの接着剤の注入処理において、積層ウェハを収納する容器を用いることなく、積層ウェハのウェハ間の隙間に接着剤を注入する。
【解決手段】複数枚のウェハを積層してなる積層ウェハにおいて、積層ウェハのウェハ間の隙間を排気すると共に、排気で減圧された隙間に接着剤を差圧によって注入する。積層ウェハの外周面の一端面から隙間を排気し、積層ウェハの外周面の他の一端面から接着剤を注入すると共に、排気および注入に用いる端面を除く外周面を密閉する。積層ウェハの隙間の排気および接着剤の注入を外周面の一端面で行うことによって、積層ウェハを収納する容器を不要とし、積層ウェハのウェハ間の隙間に接着剤を注入する。排気および注入に用いる端面を除く外周面の密閉を、密閉材を外周面に単に押し付ける構成とすることで、積層ウェハ面上へのシール材の形成を不要とすることができる。 （もっと読む）

ガラス基体の第１面を半導体ウェファーに直接又は間接的に接触させるステップと、ガラス基体の第１面に対向するガラス基体の第２面の温度が、第１面の温度より低くなるよう、ガラス基体及び半導体ウェファーの少なくとも一方を加熱するステップと、ガラス基体と半導体ウェファーとを横断して電圧を印加するステップと、接触、加熱、及び電圧を維持することにより、電気分解によって、半導体ウェファーとガラス基体との陽極接合を誘導するステップと、を有して成る、半導体オンガラス（ＳＯＧ）構造体を形成する方法及び装置。
（もっと読む）

【課題】複数の基板処理プロセスに関するデータの相互比較を容易とし、基板処理装置や基板処理プロセスにおける異常検出を容易とする。
【解決手段】群管理装置は、データを基板処理装置から受信する通信手段と、通信手段が受信したデータを読み出し可能に格納する格納手段と、データ検索条件の入力を受け付けて格納手段を検索し、読み出したデータを時系列に重ね合わせてグラフ化することで、時系列グラフを作成すると共に、時系列グラフ中における特異点の指定を受け付け、格納手段から読み出したデータおよび特異点を基板処理プロセスと対応させつつグラフ化することで、プロセス比較グラフを作成するグラフ作成手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体層の欠落部分の少ない高品質のＩＩＩ族窒化物半導体層接合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物半導体接合基板の製造方法は、主表面２０ｍに現れる表面異状領域２２の大きさおよび密度が所定の範囲内のＩＩＩ族窒化物半導体基板２０を準備する工程と、ＩＩＩ族窒化物半導体基板２０の主表面２０ｍ側にイオンを注入する工程と、ＩＩＩ族窒化物半導体基板２０の主表面２０ｍに異種基板１０を接合する工程と、ＩＩＩ族窒化物半導体基板２０をイオンが注入された領域２０ｉで分離して異種基板１０に接合したＩＩＩ族窒化物半導体層２０ａを形成することにより、ＩＩＩ族窒化物半導体層接合基板１を得る工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウエハが反るのを防止できる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、互いに対向する第１及び第２の主面を有するＧａＡｓ基板と、前記ＧａＡｓ基板の前記第１の主面上に形成され、Ｐｄ、Ｔａ、Ｍｏの少なくとも１つから構成された第１の金属層と、前記第１の金属層上に形成され、Ｎｉ系合金又はＮｉから構成された第２の金属層と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】イオン注入によるリコイル酸素を低減し、リコイル酸素による結晶欠陥の発生を抑制することにある。
【解決手段】デバイスが形成される活性層ウェーハ１にスルー酸化膜５を形成し、スルー酸化膜５を通して活性層ウェーハ１にドーパントをイオン注入して活性層ウェーハ中にドーパント層１１を形成した後、活性層ウェーハ１と支持ウェーハ３を埋め込み用の酸化膜７を介して貼り合わせるＳＯＩウェーハの製造方法であって、スルー酸化膜５の膜厚を、ドーパントの種類及びイオン注入の操作条件に応じて、イオン注入によってスルー酸化膜５中の酸素イオンが活性層に侵入するのを抑制する厚さに形成することにより、ドーパントの注入エネルギーをスルー酸化膜で減衰でき、リコイル酸素による結晶欠陥の発生を抑制できる。 （もっと読む）