【課題】ドナー基板内の脆化層の分割によって暴露された表面を平坦化する方法であって、表面に残っている隆起の形成が可能な方法を提供すること。
【解決手段】注入によって脆化された層に沿った分割によって暴露された面を有するマイクロ技術基板を平坦化する方法は、注入および分割の新たなサイクルのために、この面が浴に配置され、かつ１０ｋＨｚから８０ｋＨｚの周波数の超音波が、前記面に沿ったキャビテーションをもたらすのに適した条件下で印加されるステップを備えており、好ましくは、特にシリコン基板の場合、超音波は以下の条件下で印加される：
浴の超音波パワー／容積＞５Ｗ／ｌ
パワー＞１０Ｗ
継続時間＞１分
１℃から１００℃の温度 （もっと読む）

【課題】厚さが数μｍ〜数百μｍであって、テラスフリーでかつデバイス形成面積が広いＳＯＩ層を有し、通常の表裏対称なウェーハと同様の取扱いが可能な、貼合せＳＯＩウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】支持用ウェーハの上に埋込み酸化膜を介してＳＯＩ層が形成された貼合せＳＯＩウェーハにおいて、ＳＯＩ層の端面及び支持用ウェーハの端面が断面方向に連続したラウンド端面又はテーパ付き端面に形成され、支持用ウェーハの裏面に酸化膜を有し、かつＳＯＩ層の端面及び支持用ウェーハの端面がそれぞれ加工歪みを有さず、それぞれの端面の表面粗さＲａが０．１μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】工程管理を正しく行うためのレシピ処理時間を正確に予測することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数のステップにより構成されるレシピを実行することで、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、この基板処理装置は、各ステップを終了する時間を満たすまでに所定時間を越えて保持する待機時間を考慮してレシピの終了時刻又は終了までの時間を予測する制御手段を備えた。 （もっと読む）

【課題】良好な平坦性を有する半導体基板の再生に適した方法を提供することを課題の一つとし、良好な平坦性を有する半導体基板の再生に適した方法を用いて再生半導体基板を作製することを課題の一つとし、当該再生半導体基板を用いてＳＯＩ基板を作製することを課題の一つとする。
【解決手段】イオンの照射等により損傷した半導体領域を選択的に除去することが可能な方法を用いて半導体基板の凸部を除去し、さらに、ＣＭＰ法をはじめとする研磨処理によって、半導体基板の平坦化を行う際に、半導体基板表面に酸化膜を形成することにより、半導体基板の研磨レートを均一にして、一様に研磨処理を行う。または、上記方法を用いて再生半導体基板を作製し、当該再生半導体基板を用いてＳＯＩ基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】異種基板上に高品質半導体結晶からなる島状のＧａＮ系半導体層を基板の湾曲を抑えて成長させることができ、しかもＧａＮ系半導体層が極めて厚くてもクラックなどの発生を抑えることができ、大面積の半導体素子を容易に実現することができる半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子は、ＧａＮ系半導体と異なる物質からなる基板１１と、基板１１上に直接または間接的に設けられ、一つまたは複数のストライプ状の開口１２ａを有する成長マスク１２と、成長マスク１２を用いて基板１１上に（０００１）面方位に成長された一つまたは複数の島状のＧａＮ系半導体層１３とを有する。成長マスク１２のストライプ状の開口１２ａはＧａＮ系半導体層１３の〈１−１００〉方向に平行な方向に延在している。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、曲面を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、曲面を有するディスプレイ、具体的には曲面を有する基材に貼りつけられた有機発光素子を有する発光装置の提供を課題とする。
【解決手段】 金属層または窒化物層からなる第１の材料層と酸化物層からなる第２の材料層との積層を利用して基板に設けられた有機発光素子を含む被剥離層をフィルムに転写し、フィルム及び被剥離層を湾曲させることによって曲面を有するディスプレイを実現する。 （もっと読む）

【課題】廉価で処理効率の高い、貼り合わせ検査機能を有する自動ウェーハ貼り合わせ装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかるウェーハ貼り合わせ装置は、2枚の貼り合わせ用のウェーハの位置合わせを行うアライナーと、該2枚のウェーハを貼り合わせる、貼り合わせ機構とを備えたウェーハ貼り合わせ装置において、
前記アライナーに、貼り合わせ後のウェーハ相互間の位置ずれを計測する機構を併設したことを特徴としてなる。 （もっと読む）

フレキシブル基板を処理するためのモジュール式基板処理システムが提示される。このシステムは、水平方向において互いに隣接して配置された少なくとも２つのプロセスモジュールを備える。これらのプロセスモジュールは、フレキシブル基板を非接触案内し、垂直方向にフレキシブル基板を方向転換させるガスクッションローラを備える。
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【課題】半導体ウエハーと透明基板とが優れた寸法精度のスペーサを介して接合された半導体ウエハー接合体を製造することができるスペーサ形成用フィルムおよび半導体ウエハー接合体の製造方法を提供すること、および、信頼性に優れた半導体ウエハー接合体および半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明のスペーサ形成用フィルムは、支持基材１１の平均厚さをｔ_１［μｍ］とし、スペーサ形成層１２の平均厚さをｔ_２［μｍ］とし、可視光の波長帯域における支持基材１１の吸光係数をα_Ｖ１［１／μｍ］とし、可視光の波長帯域におけるスペーサ形成層１２の吸光係数をα_Ｖ2［１／μｍ］としたとき、α_Ｖ１×ｔ_１＋α_Ｖ２×ｔ_２≦−ｌｏｇ_１０（０．２）、５≦ｔ_１≦２００、５≦ｔ_２≦４００、１０≦ｔ_１＋ｔ_２≦４０５の関係式をそれぞれ満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 従来の撥液性があるベース部材の上に、識別コードをマーキングすると、ベース部材と識別コードを形成するドットとの接触角が大きくなり、識別コードを形成するドットの密着力が低下し、識別コードを形成するドットがベース部材から剥がれ落ちてしまい、後で識別コードの識別が正しくできなくなる可能性があったので、識別コードとベース部材との密着力が高く、識別コードの識別が正しく行える、安価な識別コードのマーキング装置及び方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハーに、識別コードのマーキングをした後で、半導体チップに個片化する、半導体装置の製造工程において、前記半導体ウエハー上に、ベース部材を塗布するステップと、前記ベース部材の上に、識別コードをマーキングするステップとを有し、前記ベース部材と前記識別コードとを、同じ材料で形成することを特徴とする、識別コードのマーキング方法。 （もっと読む）