【課題】接合対象をより確実に保持すること。
【解決手段】静電チャック１８と活性化装置とを備えている。静電チャック１８は、端子２３−１〜２３−２を介して内部電極２２−１〜２２−２に電圧が印加されることにより接合対象７を保持する。その活性化装置は、静電チャック１８に保持される接合対象７の表面に粒子を照射する。端子２３−１〜２３−２は、静電チャック１８の表面のうちのその粒子が照射されない領域に配置されている。このような接合装置は、その粒子の長時間照射により形成される導体の薄膜が端子２３−１〜２３−２の近傍に形成されることを防止することができ、内部電極２２−１〜２２−２に印加される電圧による火花放電が発生することを防止し、静電チャック１８が接合対象７をより確実に保持することができる。 （もっと読む）

【課題】貼合せ熱処理の際に生じていた貼合せ界面の結晶欠陥を低減するとともに、ウェーハに生じる反りを低減し得る、貼合せＳＯＩウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の貼合せＳＯＩウェーハの製造方法は、活性層用ウェーハの厚さを支持用ウェーハの厚さより小さくなるように厚み調整し、活性層用ウェーハの全面に形成された酸化膜の厚さが支持用ウェーハの全面に形成された酸化膜の厚さより小さくなるようにそれぞれ酸化膜を形成し、活性層用ウェーハを支持用ウェーハに酸化膜を介して重ね合せ、重ね合せウェーハを熱処理して貼合せて、２枚のウェーハの間に介在する酸化膜を埋込み酸化膜層にし、活性層用ウェーハを減肉化処理して貼合せＳＯＩウェーハを製造する。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を加圧加熱して接合する過程において、基板と基板ホルダが固着するおそれがある。
【解決手段】基板を保持したホルダを加熱する加熱工程と、加熱されたホルダを、温度勾配をつけて冷却することにより、基板をホルダから剥離する剥離工程とを備える基板剥離方法が提供される。加熱工程は、一対のホルダで複数の基板を厚み方向に挟んで保持する工程と、一対のホルダ及び複数の基板を加熱する工程と、一対のホルダを加圧することにより複数の基板を貼り合わせる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】割れや欠けを効果的に防止することができる面取り加工部を備えた、半極性面である主面を有する窒化物半導体基板、当該窒化物半導体基板を用いた半導体装置、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板１０ａは、（０００１）面から［１−１００］方向に７１°以上７９°以下傾斜、或いは（０００−１）面から［−１１００］方向に７１°以上７９°以下傾斜した主面１１と、主面１１の外周端部に位置する面取り加工部とを備える。面取り加工部の、主面１１および当該主面１１と反対側に位置する裏面２１のうちのいずれか隣接する一方に対する傾斜角度θ１またはθ２は５°以上４５°以下である。このようにすれば、窒化物半導体基板１０ａの外周端部からの割れや欠けの発生を効果的に抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ドナー基板内の脆化層の分割によって暴露された表面を平坦化する方法であって、表面に残っている隆起の形成が可能な方法を提供すること。
【解決手段】注入によって脆化された層に沿った分割によって暴露された面を有するマイクロ技術基板を平坦化する方法は、注入および分割の新たなサイクルのために、この面が浴に配置され、かつ１０ｋＨｚから８０ｋＨｚの周波数の超音波が、前記面に沿ったキャビテーションをもたらすのに適した条件下で印加されるステップを備えており、好ましくは、特にシリコン基板の場合、超音波は以下の条件下で印加される：
浴の超音波パワー／容積＞５Ｗ／ｌ
パワー＞１０Ｗ
継続時間＞１分
１℃から１００℃の温度 （もっと読む）

【課題】厚さが数μｍ〜数百μｍであって、テラスフリーでかつデバイス形成面積が広いＳＯＩ層を有し、通常の表裏対称なウェーハと同様の取扱いが可能な、貼合せＳＯＩウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】支持用ウェーハの上に埋込み酸化膜を介してＳＯＩ層が形成された貼合せＳＯＩウェーハにおいて、ＳＯＩ層の端面及び支持用ウェーハの端面が断面方向に連続したラウンド端面又はテーパ付き端面に形成され、支持用ウェーハの裏面に酸化膜を有し、かつＳＯＩ層の端面及び支持用ウェーハの端面がそれぞれ加工歪みを有さず、それぞれの端面の表面粗さＲａが０．１μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】工程管理を正しく行うためのレシピ処理時間を正確に予測することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数のステップにより構成されるレシピを実行することで、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、この基板処理装置は、各ステップを終了する時間を満たすまでに所定時間を越えて保持する待機時間を考慮してレシピの終了時刻又は終了までの時間を予測する制御手段を備えた。 （もっと読む）

【課題】良好な平坦性を有する半導体基板の再生に適した方法を提供することを課題の一つとし、良好な平坦性を有する半導体基板の再生に適した方法を用いて再生半導体基板を作製することを課題の一つとし、当該再生半導体基板を用いてＳＯＩ基板を作製することを課題の一つとする。
【解決手段】イオンの照射等により損傷した半導体領域を選択的に除去することが可能な方法を用いて半導体基板の凸部を除去し、さらに、ＣＭＰ法をはじめとする研磨処理によって、半導体基板の平坦化を行う際に、半導体基板表面に酸化膜を形成することにより、半導体基板の研磨レートを均一にして、一様に研磨処理を行う。または、上記方法を用いて再生半導体基板を作製し、当該再生半導体基板を用いてＳＯＩ基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】化学強化以外の方法で炭化珪素基板を強化することや、炭化珪素基板の薄板化の手法を工夫することで、割れやクラックの発生、進展を抑制した炭化珪素基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の表裏主面のうち半導体装置の形成領域に対応する中央部ＣＰの周辺領域部ＰＰと基板側面部ＳＰとを含んで構成される炭化珪素基板ＷＦの外周部に、膨張力発生部ＥＸを形成することで、基板内部に向かうように圧縮応力ＣＳが生じる。このために、基板加工中または、プロセス中に、微小な割れの起点が発生しても、圧縮応力で抑えられて割れが広がらないために、ウエハ割れが発生せず、実質的に基板外周部が強化された構成となる。 （もっと読む）

【課題】基板に異物が付着するのを防ぐことができる基板カートリッジ、基板処理装置、基板処理システム、制御装置及び表示素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板が出し入れされる開口部を有し、前記開口部を介した前記基板を収容するカートリッジ本体と、前記カートリッジ本体に設けられ、外部接続部に対して着脱可能に接続されるマウント部と、前記マウント部と前記外部接続部との間の接続状態に応じて前記開口部を閉塞する閉塞部とを備える。 （もっと読む）