【課題】 固相エピタキシャル成長によって、所望の面方位を有する結晶を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明では、第１の面方位を有するシリコン基板１１上の一部に、アモルファス層１３を形成する工程と、そのアモルファス層１３にマイクロ波を照射し、前記アモルファス層１３を第１の面方位を有する結晶層とする工程とを有していることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】異常により所定の処理が停止しても、リトライ処理を行うことで、ウェハ回収作業等の実施に起因する装置稼働率の低下を抑止できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ウェハ１を搬送する搬送手段と、前記搬送手段を制御する制御手段を備えた基板処理装置であって、前記搬送手段が、前記基板を搬送中にエラーが発生して一時停止したときに、前記制御手段は、所定回数のリトライ処理を前記搬送手段に実施させても前記エラーが解消されない場合、前記搬送手段を待機状態（コマンド入力待ち状態）に移行させる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置を効率よく稼動させるための制御装置を提供する。
【解決手段】制御装置１１０は、前記半導体製造装置１０１がロットの処理を終了すると、ロス時間に基づいて処理ロス値を算出するデータ集計部１０７を備える。又、処理ロス値を、前記ロットの処理に用いられた終了レシピと直前終了レシピとに関連付けてレシピ組み合わせロステーブル１１３に書き込むデータ制御部１０９を備える。又、ロットの選択要求を受信すると、当該受信時点で前記半導体製造装置１０１がロットの処理に用いている処理中レシピと待ちロットのレシピとの組み合わせに一致する、直前終了レシピと終了レシピとの組み合わせを前記レシピ組み合わせロステーブル１１３から検索し、検索した組み合わせに関連付けられた処理ロス値のうち、最小の処理ロス値に対応した待ちロットを選択するロット選択部１１２を備える。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニクスメカニカルおよび半導体デバイス特徴の前面側を保護する、耐傷性コーティングを、その使用方法とともに提供する。上記コーティングは、非感光性で、除去可能であり、高い処理温度に耐える。また、これらのコーティングは、デバイス設計において、別個のエッチング停止層を不要とする。上記コーティングは、溶媒系に溶解または分散した成分を含有する組成物から形成される。上記成分は、スチレンアクリロニトリル共重合体および芳香族スルホンポリマーからなる群から選択される。
（もっと読む）

【課題】群管理装置へ接続する基板処理装置間の各種パラメータを一括比較する。
【解決手段】複数台の基板処理装置を群管理装置２０によって集中管理する基板処理システムにおいて、群管理装置２０は比較元装置Ａ１と比較先装置Ａ２から各種パラメータを通信インタフェースを介して取得し、装置パラメータ一括比較画面４０を表示装置２５に表示させる。オペレータが一括比較開始ボタン４８を選択すると、一括比較処理を開始し、一括比較処理が終了すると、比較結果画面５０を表示装置２５に表示させる。オペレータは比較結果画面５０の相違点有無表示列５４によってパラメータ種別毎に相違点の有無を確認し、全パラメータ種別の中で何れのパラメータ種別に相違点があるかを確認する。相違点の詳細を確認する場合、オペレータは詳細確認ボタン５７を選択し、画面出力またはＣＳＶ形式ファイルへの出力で確認する。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体基板の主面にイオン注入する際に、当該主面がダメージを受けにくい貼り合わせ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】
貼り合わせ基板１０の製造方法では、まずIII族窒化物半導体基板２の主面２ａ上に保護膜４を形成する。次に、保護膜４を通してIII族窒化物半導体基板２の主面２ａにイオン注入することにより、III族窒化物半導体基板２内に脆弱領域ｆを形成する。次に、III族窒化物半導体基板２の主面２ａを支持基板６に貼り合わせる。次に、脆弱領域ｆを境界としてIII族窒化物半導体基板２の一部２ｃを支持基板６から剥離する。 （もっと読む）

【課題】熱処理を伴わない薄膜化ストップ層の除去が可能で、このストップ層の除去作業が簡易化して基板の生産効率が高まり、熱処理による欠陥が発生せず、ウェーハ面内での研磨量均一性を保持してのストップ層の研磨が可能な貼り合わせ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】貼り合わせウェーハを活性層用ウェーハ側から薄膜化して薄膜化ストップ層を露出後、薄膜化ストップ層をＨＦ溶液によりポーラス化し、薄膜化ストップ層を研磨のみで除去する。これにより、熱処理を伴わない薄膜化ストップ層の除去が可能で、このストップ層の除去作業が容易化して基板の生産効率が高まり、熱処理による欠陥が発生せず、ウェーハ面内での研磨量均一性を保持してのストップ層の研磨が可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板に均一性高い加熱処理を行う一方で、高い真空度が得られる真空加熱装置を提供すること。
【解決手段】本発明の真空加熱装置は、気密な処理容器と、この処理容器内に基板を載置するために設けられたアルミニウム合金からなる載置台と、この載置台を支持し、その内部に用力線路部材が大気側から挿入されているステンレス鋼からなる筒状の支持部材と、この支持部材と処理容器との間を気密にするための有機物からなるシール部材と、前記載置台を加熱するための加熱部と、前記処理容器内を真空排気するための真空排気手段と、を備えている。これによって載置台の熱が支持部材を介してシール部材に伝熱し難くなっており、シール部材の昇温が抑えられ、大気側から大気成分がシール部材を通って処理容器内へ侵入することが抑えられる。 （もっと読む）

【課題】エンジニアを介することなく製造装置のトラブルを自動的に解消することが可能な半導体製造装置の管理方法およびシステムを提供すること。
【解決手段】複数台の製造装置の中から半導体集積回路の不良発生原因となるトラブル装置を特定する。トラブル装置のＥＥＳデータを主成分分析し、正常状態とトラブル状態とを互いに区分する主成分空間を求める。主成分で表されたトラブル装置の内部状態の時間発展を規定する線形状態方程式を決定し、その可制御性を調べる。可制御性がある場合には、トラブル装置のＥＥＳデータを取得した後、主成分ベクトルとしての内部状態を算出し、当該内部状態が主成分空間内の正常状態を表す領域に属するか否かを判定する。正常状態を表す領域から逸脱している場合は、線形状態方程式に基づき、内部状態が正常状態に復帰するように入力を制御する。 （もっと読む）

【課題】面方位の異なる２枚のシリコンウェーハを直接貼り合わせた場合に懸念される貼り合わせ界面での欠陥や凹凸の発生を低減して、フラットな貼り合わせ面とする。
【解決手段】面方位の異なる２枚のシリコンウェーハを活性層用ウェーハおよび支持基板用ウェーハとして、絶縁膜を介さずに直接貼り合わせたのち、活性層用ウェーハを薄膜化することからなる貼り合わせウェーハの製造方法において、
貼り合わせに先立ち、上記２枚のシリコンウェーハのうち少なくとも一方のウェーハの表面にアモルファス層を形成する。 （もっと読む）