【課題】転写工程の簡略化が可能な素子の転写方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る素子の転写方法は、第１剥離層(3a)と、前記第１剥離層の上方に配置された第１素子層(17a)と、を有する第１基板(S1a)と、第２剥離層(3b)と、前記第２剥離層の上方に配置された第２素子層(17b)と、を有する第２基板(S1b)とを、前記第１素子層と前記第２素子層とを中間層(S2,50a,50b)を介して対向するように貼り合わせる工程と、前記第１剥離層から前記第１基板を剥離する第１剥離工程と、前記第２剥離層から前記第２基板を剥離する第２剥離工程と、を有する。このように、中間層を介して２つの基板を貼り合わせることにより、簡易な工程で２つの素子層の転写を行うことができる。また、一つの中間層を用いて２つの基板（素子層）の転写が可能となる。また、レーザーの同時照射が可能となり、剥離工程の簡略化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ面内のバラツキを低減し、製造歩留まりを向上できる半導体製造システムおよび半導体製造装置の制御方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置３の処理室３１、３２のいずれかにおいて処理がなされた後、半導体製造装置４の処理室４１、４２、４３のいずれかにおいて処理がなされたウェーハについて、半導体製造装置３、４による処理結果を当該ウェーハの処理経路と対応づけて取得する。取得された処理経路ごとの処理結果に基づいて、半導体製造装置３、４により処理予定の一群のウェーハについて、上記処理経路ごとのウェーハ処理比率を決定する。そして、決定された処理経路ごとのウェーハ処理比率に従って、半導体製造装置３、４において、上記処理予定の一群のウェーハに対する処理を実施する。 （もっと読む）

【課題】薄層をソース基板からターゲット基板に移転すること。
【解決手段】ソース基板の表層内部に、将来の薄層をソース基板の自由表面で画定する、弱くなったゾーンが形成され、
ソース基板の自由表面は、第１の材料および第２の材料から形成される交互に重なった層の形でターゲット基板の自由表面に組み立てられ、その結果、密接な接触が自由表面にもたらされる組立てにより形成された界面の両側に、層の累積した厚さが、実質的に等しい第１の材料から形成され、累積した厚さが、実質的に等しい第２の材料から形成され、層の厚さは少なくとも５０ミクロンに等しく、弱くなったゾーンが形成される深さの少なくとも１０００倍あり、
弱くなったゾーンでの破断が、少なくとも部分的には熱エネルギーの投入により誘発されて、薄層を分離する。 （もっと読む）

【課題】三次元半導体積層基板の絶縁性接着剤にボイドが発生するのを防止することができる注入装置の提供。
【解決手段】三次元半導体積層基板である積層基板１は半導体回路が形成された基板を複数積層したものであって、側周面に接着剤を注入するための注入口１２および真空排気するための排気口１３が設けられている。この積層基板１の隙間に絶縁性接着剤としての接着剤２１を注入する場合には、積層基板１の排気口１３に接続部３を接続して積層基板１の隙間を真空ポンプ５で真空排気し、容器２に収納された接着剤２１を注入口１２に接液させて、接着剤２１を積層基板１に供給する。積層基板１の隙間を真空に保持しつつ接着剤２１の注入を行うので、注入された接着剤中にボイドが発生するのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造工程のみならず、その前段階のシリコンウェーハの製造工程でシリコンウェーハの割れの発生を抑制できるシリコンウェーハ製造方法の提供。
【解決手段】ＣＺ法により育成されたシリコン単結晶のインゴット１からのシリコンウェーハの製造方法であって、インゴット１の外周を研削し、インゴット１を所定の中間直径に加工するとともに、このインゴット１の外周部に軸方向に沿って結晶方位の指標となるＯＦ２ａを形成する円筒研削工程と、インゴット１をスライスして素材ウェーハ２を切り出すスライス工程と、素材ウェーハ２の表面に、ＯＦ２ａを基準にして、レーザーにより結晶方位の指標となる表記２ｂを施すレーザーマーキング工程と、素材ウェーハ２の外周を面取りし、ＯＦ２ａを除去するとともに、所定の製品直径のシリコンウェーハ３に加工する面取り加工工程と、を含むことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法である。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、再現可能かつ正確な基板処理を維持しながら、システム処理量を増大させ、システム稼働時間を改善し、かつデバイス歩留り性能を改善した処理システム内で基板を処理する装置および方法を提供する。システムは、システム制御装置によって制御される複数の平面の移動子を介して平面のモータを使用することによって横方向に位置決めできる複数の処理ネストを含むことができる。各処理ネストによって支持される基板は、回転アクチュエータによってその角度を決定できる。システムは、とりわけ、スクリーン印刷、インクジェット印刷、熱処理、デバイス試験、および材料除去プロセスに使用することができる。
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【解決手段】処理チャンバの健全状態を査定するための方法が提供される。方法は、レシピを実行することを含む。方法は、また、レシピの実行中にセンサのセットから処理データを受信することを含む。方法は、さらに、多変量予測モデルのセットを用いて処理データを解析することを含む。方法は、尚もさらに、コンポーネント摩耗データ値のセットを生成することを含む。方法は、尚もさらに、コンポーネント摩耗データ値のセットを有用寿命閾値範囲のセットと比較することを含む。方法は、さらに、コンポーネント摩耗データ値のセットが有用寿命閾値範囲のセット外である場合に警告を生成することを含む。 （もっと読む）

【課題】ＯＲ搬送処理を行った場合にも、全てのウエハの処理後の物性値を測定することなく、各ウエハに対して最適処理を施すことができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】チャンバと、測定器とを備えた基板処理装置を用いてＯＲ搬送処理によって複数のウエハＷに対してシュリンク処理を連続して施す基板処理方法であって、処理前のウエハＷのＣＤ値を測定する処理前測定ステップと、得られたＣＤ値に基づいて作成された処理条件に従ってＦＦ制御によってウエハＷにシュリンク処理を施す処理ステップと、処理後のウエハＷのＣＤ値を測定する処理後測定ステップと、処理後のＣＤ値と目標値との差に基づいてＦＦ制御における処理条件作成用のオフセット値を更新するオフセット値更新ステップとを有し、チャンバにおける経過処理時間が予め決められた所定値に到達するまで処理後測定ステップ及びオフセット値更新ステップを省略する。 （もっと読む）

【課題】転写工程や薄膜加工工程においても効果的に検査が行える半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、素子(T)と前記素子と接続された外部接続端子（P)とを有する素子層(17)が形成された第１基板(S1)を、接着層(21)を介して第２基板(S2)と貼り合わせる工程を有し、前記工程において前記第１基板と前記第２基板との間に、前記外部接続端子と電気的に接続するようフレキシブルプリント回路(50)の少なくとも一部を挟み込むことを特徴とする。かかる方法によれば、上記フレキシブルプリント回路を利用して、素子の検査を容易に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】基板処理に関するプログラムの編集画面において、編集画面の編集部分を、コンピュータ上のツールで変換することなく編集の内容を一目で理解できるようにする。
【解決手段】 基板処理に関するプログラムの編集画面を表示する表示手段と、編集画面に表示される各種キーの操作をキーログとして収集するキーログ収集入力手段と、キーにより編集された編集画面をキーログに関連付けて記憶手段に保存するキーログ保存手段と、記憶手段に保存された編集手段とキーにより編集された部分の画面表示形式を、区別可能に変更する表示形式変更手段と、を備える。 （もっと読む）