【課題】薄型化された炭化シリコン基板による低抵抗化が可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、炭化シリコン基板と、半導体層と、絶縁膜と、補強基板と、第１の電極と、第２の電極とを備えている。半導体層は、炭化シリコン基板の第２の面上に設けられ、素子領域と素子領域よりも端部側の周辺領域とを有する。絶縁膜は、半導体層の周辺領域の表面上に設けられている。補強基板は、周辺領域における絶縁膜上に設けられている。第１の電極は、炭化シリコン基板の第１の面に接して設けられている。第２の電極は、素子領域の表面に接して設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の裏面側に設けられる高濃度半導体層の格子欠陥を低減する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体装置は、半導体基板、半導体ベース層、ゲート電極、半導体ドレイン層、及びドレイン電極が設けられる。半導体基板は、第１導電型を有する。半導体ベース層は、第２導電型を有し、半導体基板表面に選択的に複数設けられる。ゲート電極は、隣り合う半導体ベース層を跨ぐように、半導体基板上でゲート絶縁膜を介して設けられる。半導体ドレイン層は、第１導電型を有し、半導体基板の裏面に設けられ、半導体基板よりも厚さが薄く、半導体基板と接する面側の不純物濃度よりも半導体基板と相対向する面側の不純物濃度が３桁以上高く、低格子欠陥層である。ドレイン電極は、半導体ドレイン層に接続される。 （もっと読む）

【課題】加圧および加熱を行うと共に、ウェハの接合面の平面度を上げるように、加圧面の形状を変化させ、ウェハ厚のばらつきを吸収する。
【解決手段】ウェハ接合装置は、上部ユニット１０１Ｕと下部ユニット１０１Ｌの間に、接合される複数のウェハを配置し、上部ユニットと下部ユニットによって加圧および加熱を行いながらウェハの接合を行う。ウェハ接合装置は、トッププレート１１１と、圧力プロファイル制御モジュールと、トッププレートと圧力プロファイル制御モジュールとの間に配置された加熱用のヒータ部と、を備える。ウェハ接合装置は、圧力プロファイル制御モジュールの表面に発生させた形状の変化がトッププレートの表面にもたらされる。 （もっと読む）

【課題】加熱手段を精密にキャリブレーションし、キャリブレーション時の時間を短縮できる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】キャリブレーション工程は、基板搬送手段が、表面温度を検出する温度検出手段が設けられたキャリブレーション基板を処理室１に搬入し載置するステップと、前記基板支持部２１７内に設けられた加熱手段が設定温度に基づいて加熱するステップと、温度記憶手段が前記温度検出手段で検出した前記表面温度を記録するステップと、結果に基づいて前記加熱手段２１７ｂの設定温度を補正するためのパラメータを取得するステップと、補正手段が前記パラメータに基づいて前記加熱手段２１７ｂの設定温度を補正するステップと、前記補正ステップの後に、前記キャリブレーション基板を前記処理室１から搬出するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板温度の過度の上昇を抑え、加熱対象のポリイミド膜やＨｉｇｈ−ｋ膜を含む基板を加熱処理することができる基板処理技術を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられる導電性の基板支持台と、前記基板支持台上に設けられ基板が載置される誘電体板と、前記処理室外に設けられるマイクロ波発生部と、前記マイクロ波発生部で発生されたマイクロ波を前記処理室内へ供給するマイクロ波供給部と、を備えるように基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】製品の製造時間の増大が抑制された製造システムを提供する。
【解決手段】複数の製造設備（３０）及び管理部（１０）を有する製造システムであって、第１製造工程の終了から、第２製造工程の実施までの間には、制限時間があり、製造設備（３０）は、製造工程を実施する製造部（３１）、該製造部（３１）のメンテナンス情報を記録する記録部（３２）、及び、管理部（１０）と通信する通信部（３３）を有し、管理部（１０）は、第２製造工程を行う製造設備（３０）の通信部（３３）からメンテナンス情報を受け取ると、第２製造工程を行う製造設備（３０）のメンテナンス実施期間を算出し、当初、メンテナンス実施期間にて第２製造工程の実施予定であった製品の製造スケジュールを、第２製造工程を実施する製造設備（３０）のメンテナンスの終了後から制限時間内に、第２製造工程が実施されるように変更する。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域にシリコンを含まない材料を用いる半導体装置であって、微細化に伴いゲート絶縁層が薄膜化されても、ゲートリーク電流が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁層として熱酸化シリコン層を用いる。熱酸化シリコン層を用いることで、ＣＶＤ法やスパッタリング法で形成された酸化シリコン層を用いる場合よりゲートリーク電流を抑制することができる。ゲート絶縁層に熱酸化シリコン層を用いるために、チャネル領域を含む半導体層を形成する基板とは別にシリコン基板を用意し、シリコン基板上に熱酸化シリコン層を形成する。そして熱酸化シリコン層を、チャネル領域を含む半導体層に貼り合わる。このようにして、半導体層の上に熱酸化シリコン層を形成し、熱酸化シリコン層をゲート絶縁層として用いたトランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、１枚のドナーウェーハから複数枚の複合ウェーハを得ることができ、面取り工程を省略可能な複合ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも２枚のハンドルウェーハの直径の合計と同じか大きい直径を有するドナーウェーハの表面から水素イオンを注入して内部に水素イオン注入層を形成させた該ドナーウェーハの該表面と、前記少なくとも２枚のハンドルウェーハの表面とを貼り合わせる工程と、前記貼り合わせた貼り合わせウェーハに、温度が２００〜４００℃の熱処理を施す工程と、前記熱処理後、前記水素イオン注入層に沿って前記ハンドルウェーハ上の薄膜を剥離し、該ハンドルウェーハ上に該薄膜が転写された複合ウェーハを得る剥離転写工程と、を少なくとも含む複合ウェーハの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】クライアント／サーバ関係にあるセンサとの間で情報を共有する処理システムを提供する。
【解決手段】処理チャンバを制御するコンピュータシステムを伴った処理チャンバを、処理チャンバでの処理を監視するために使用される１つまたはそれ以上のセンサに接続する。センサは、コンピュータシステムとともにクライアント／サーバ関係を構成し、センサがホットスワップ可能なプラグアンドプレイセンサになることができるような方法で、コンピュータシステムに接続される。コンピュータシステムは、センサとの間で様々なメッセージを交換し、センサと同期化し、センサから送信されたデータを統合および利用する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板を接合する際のパーティクルの発生を抑制し、当該被処理基板と支持基板の接合を適切に行う。
【解決手段】被処理ウェハ上に接着剤を塗布した後（工程Ａ１）、被処理ウェハを所定の温度に加熱する（工程Ａ２）。その後、接合装置の接合部において第１の保持部の上方に被処理ウェハを位置させた状態で、当該第１の保持部の加熱機構で被処理ウェハを予備加熱する（工程Ａ４）。一方、接合装置の予備加熱部において熱処理板で支持ウェハを予備加熱する（工程Ａ８）。その後、第１の保持部と第２の保持部に夫々被処理基板と支持基板を吸着保持させ、各保持部の加熱機構で各基板を加熱した状態で第２の保持部を第１の保持部側に押圧して、被処理基板と支持基板を接合する（工程Ａ１３）。 （もっと読む）