【課題】炭化ケイ素上のグラフェン・バッファ層の活性化のための方法およびデバイスを提供する。
【解決手段】炭化ケイ素層上に形成された１つ以上のグラフェン層を有する構造を電気的に活性化させる方法は、炭化ケイ素層と１つ以上のグラフェン層の最下層との間に配置された酸化シリコン層を形成するように構造に酸化プロセスを行うことによって最下層グラフェン層を電気的に活性化するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置を検査するためのレシピを自動生成することによって、基板処理装置の検査工程を確実かつ簡単にする。
【解決手段】基板処理装置の制御装置１５は、コンピュータ１６と記憶装置１９とを備えている。記憶装置１９には、基板処理制御プログラムおよび検査レシピ自動生成プログラムが格納されており、さらに、レシピ、構成定義データおよび動作条件データを記憶できるようになっている。コンピュータ１６は、検査レシピ自動生成プログラムを実行することにより、基板処理装置が備える複数の構成要素を動作させるための処理手順を記述した検査レシピを生成して記憶装置１９に登録する。その際、コンピュータ１６は、構成定義データおよび動作条件データに基づいて、検査レシピを構成する処理手順を生成する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハーと透明基板とが優れた寸法精度のスペーサを介して接合された半導体ウエハー接合体を製造することができるスペーサ形成用フィルムおよび半導体ウエハー接合体の製造方法を提供すること、および、信頼性に優れた半導体ウエハー接合体および半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明のスペーサ形成用フィルムは、支持基材１１の平均厚さをｔ_１［μｍ］とし、スペーサ形成層１２の平均厚さをｔ_２［μｍ］とし、露光光の波長帯域における支持基材１１の吸光係数をα_Ｅ１［１／μｍ］とし、露光光の波長帯域におけるスペーサ形成層１２の吸光係数をα_Ｅ2［１／μｍ］としたとき、α_Ｅ１×ｔ_１＋α_Ｅ２×ｔ_２≦−ｌｏｇ_１０（０．２）、５≦ｔ_１≦１００、５≦ｔ_２≦３５０、１０≦ｔ_１＋ｔ_２≦４００の関係式をそれぞれ満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】１つの基板に設けられた複数の機能性領域のうち、任意の領域を選択的に別の基板に効率良く選択的に移設することができる機能性領域の移設方法などを提供する。
【解決手段】機能性領域の移設方法により、処理により分離可能状態になる分離層１０５を有する第１の基板１０３の分離層上に配される機能性領域１０１、１０２の少なくとも一部が第２の基板１００に移設される。第１接合工程では、第１の基板上に配された機能性領域の少なくとも一部と第２の基板との間にドライフィルムレジスト１１５を介在させて、第１の基板と第２の基板を接合する。露光工程では、ドライフィルムレジスト１１５の一部を露光する。パターニング工程では、露光されたドライフィルムレジスト１１５をパターニングする。 （もっと読む）

【課題】異種基板上に高品質半導体結晶からなる島状のＧａＮ系半導体層を基板の湾曲を抑えて成長させることができ、しかもＧａＮ系半導体層が極めて厚くてもクラックなどの発生を抑えることができ、大面積の半導体素子を容易に実現することができる半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子は、ＧａＮ系半導体と異なる物質からなる基板１１と、基板１１上に直接または間接的に設けられ、一つまたは複数のストライプ状の開口１２ａを有する成長マスク１２と、成長マスク１２を用いて基板１１上に（０００１）面方位に成長された一つまたは複数の島状のＧａＮ系半導体層１３とを有する。成長マスク１２のストライプ状の開口１２ａはＧａＮ系半導体層１３の〈１−１００〉方向に平行な方向に延在している。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、曲面を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、曲面を有するディスプレイ、具体的には曲面を有する基材に貼りつけられた有機発光素子を有する発光装置の提供を課題とする。
【解決手段】 金属層または窒化物層からなる第１の材料層と酸化物層からなる第２の材料層との積層を利用して基板に設けられた有機発光素子を含む被剥離層をフィルムに転写し、フィルム及び被剥離層を湾曲させることによって曲面を有するディスプレイを実現する。 （もっと読む）

【課題】廉価で処理効率の高い、貼り合わせ検査機能を有する自動ウェーハ貼り合わせ装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかるウェーハ貼り合わせ装置は、2枚の貼り合わせ用のウェーハの位置合わせを行うアライナーと、該2枚のウェーハを貼り合わせる、貼り合わせ機構とを備えたウェーハ貼り合わせ装置において、
前記アライナーに、貼り合わせ後のウェーハ相互間の位置ずれを計測する機構を併設したことを特徴としてなる。 （もっと読む）

【課題】その接合対象をより高速に取り扱うこと。
【解決手段】接合対象を保持するチャックに印加される荷重を変化率に微分するステップと、その変化率の変化４１に基づいて算出されたタイミング４４、４５に基づいて、そのチャックを駆動するステップとを備えている。その変化４１により算出されたタイミング４４、４５によれば、その荷重の変化により算出されたタイミングに比較して、そのチャックの移動による接触と解放とのタイミングをより正確に算出することができる。このため、このような接合方法によれば、接触センサを別途設けることなく、その接合対象をより高速に取り扱うことができる。 （もっと読む）

【課題】 固相エピタキシャル成長によって、所望の面方位を有する結晶を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明では、第１の面方位を有するシリコン基板１１上の一部に、アモルファス層１３を形成する工程と、そのアモルファス層１３にマイクロ波を照射し、前記アモルファス層１３を第１の面方位を有する結晶層とする工程とを有していることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】異常により所定の処理が停止しても、リトライ処理を行うことで、ウェハ回収作業等の実施に起因する装置稼働率の低下を抑止できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ウェハ１を搬送する搬送手段と、前記搬送手段を制御する制御手段を備えた基板処理装置であって、前記搬送手段が、前記基板を搬送中にエラーが発生して一時停止したときに、前記制御手段は、所定回数のリトライ処理を前記搬送手段に実施させても前記エラーが解消されない場合、前記搬送手段を待機状態（コマンド入力待ち状態）に移行させる。 （もっと読む）