【課題】常温接合装置をより小型化すること。
【解決手段】複数のビーム源１７−１〜１７−４、１８−１〜１８−４と、複数のビーム源１７−１〜１７−４、１８−１〜１８−４のうちの一部のビーム源が粒子を出射するように、かつ、その一部のビーム源を除くビーム源が粒子を出射しないように制御する制御装置とを備えている。このような常温接合装置は、複数のビーム源１７−１〜１７−４、１８−１〜１８−４の全部が一斉に粒子を出射するときに必要である排気速度で排気することができる大型の真空排気装置を備える必要がなく、その一部のビーム源だけが粒子を出射するときに必要である排気速度で排気することができる小型の真空排気装置を備えることにより、よりコンパクトに作製されることができる。 （もっと読む）

【課題】作業効率の低下を防止する基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板処理を実行する基板処理装置と、前記基板処理装置から、前記基板処理装置に関する情報を一括取得する群管理装置と、前記群管理装置を介して、前記基板処理装置に関する情報を取得する端末装置とからなる基板処理システムであって、前記端末装置の操作者に関する情報と、前記端末装置における前記基板処理装置に関する情報の表示に関する情報とを記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶された、前記端末装置の操作者に関する情報と、前記端末装置における前記基板処理装置に関する情報の表示に関する情報とに基づいて、前記端末装置における前記基板処理に関する情報の表示を制御する制御手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】省電力モードからの復旧を従来装置より迅速にするとともに、復帰後における良好な基板処理を実現する。
【解決手段】処理チャンバ１１と、処理チャンバ１１内に処理ガスを供給するガス供給装置２０と、処理チャンバ１１内に供給された処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成部２５と、処理チャンバ１１を加熱するヒータ１４ａ，１４ｂと、制御装置４０とを備え、プラズマによって処理チャンバ１１内の基板を処理するプラズマ基板処理装置であって、制御装置４０は、ヒータ１４ａ，１４ｂへの電力供給を低減または停止させた状態にし、かつプラズマ生成部２５への電力供給を停止させた状態とする省電力モード実行部４７と、ヒータ１４ａ，１４ｂへの電力供給を復帰させるとともに、プラズマ生成部２５への電力供給をして、処理チャンバ１１の内部温度を基板処理に適した温度に上昇させる復帰モード実行部４８とを備える。 （もっと読む）

【課題】群管理装置の負荷の低減及び表示速度の向上を図りつつ、描画データの欠落を抑えた時系列グラフを描画する。
【解決手段】基板処理システムが備える群管理装置は、所定の描画対象期間で抽出されたモニタデータに基づき時系列グラフを描画する表示制御部を備え、表示制御部は、抽出されたモニタデータから算出され、描画領域内の時間軸方向の幅１ピクセル分に相当する時間帯に含まれる描画データ点数が、閾値以上と判定されると、時間軸方向の各ピクセル位置に対応する時間帯のモニタデータから閾値未満となるように抽出した代表値データについてそれぞれ描画座標を算出する。 （もっと読む）

【課題】集積回路を作製する新規なタイプの方法を提供する。
【解決手段】少なくとも第３の層がその間に配置された、少なくとも半導体の第１および第２の層を備える基板を作製するステップと、少なくとも第１のＭＯＳデバイスを作製するステップであって、その活性領域が半導体の第１の層の少なくとも一部に形成される、ステップと、少なくとも第２のＭＯＳデバイスを作製するステップであって、その活性領域が半導体の第２の層の少なくとも一部に形成され、第２のＭＯＳデバイスの活性領域が第２のＭＯＳデバイスのゲートと第１のＭＯＳデバイスの活性領域との間に配置される、ステップとを少なくとも含む、集積電子回路を作製する方法。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＡ工程でのシリコン基板内に生じる物理的現象を正確に予測できる、シミュレーションによるＬＳＡを施す際に生じるＢＭＤからの発生転位予測方法を提供する。
【解決手段】第１〜第５ステップで、基板をメッシュ要素に細分化してメッシュ化し、ＬＳＡのレーザービームの入射エネルギーを負荷として基板の温度分布の時間変化を求め、更にこの温度分布から熱応力分布の時間変化を求める。第６〜第８ステップで、任意の位置Ａにおける深さ方向の分布を各時間で選び出し、選び出した温度分布からＢＭＤから発生する転位の臨界応力を求め、選び出した応力分布からせん断応力を求める。第９〜第１１ステップで、臨界応力とせん断応力とを各深さ位置ごとに比較し、比較結果から各深さ位置の転位長さを求め、この転位長さからスリップ発生の深さを求める。 （もっと読む）

【課題】基板に設けられた識別情報を検出手段により短時間で、かつ効率良く検出する。
【解決手段】基板幅データを基板の特徴を示す基板属性データとして採用するとともに、基板属性リストおよび基板ＩＤ座標リストにより基板幅データと基板ＩＤ座標とを代表プログラムを介して関連付けている。そして、実装機に搬入された基板に設けられた基板ＩＤを読み取るために、まず基板幅を実測して基板幅データを取得し、基板ＩＤ座標リストにリストアップされている基板ＩＤ座標の中から基板幅データに基づいて基板ＩＤ座標の候補のみを抽出し、その抽出された基板ＩＤ座標データに基づき基板認識カメラを移動させて基板ＩＤの読み取りを行っている。そのため、基板認識カメラの移動回数を削減し、これによって基板認識カメラを短時間で、かつ効率良く位置決めすることができ、基板ＩＤ読取処理に要する時間を大幅に短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】ヘテロ構造のｐｎ接合において、電子が妨げられることなく注入されるようにする。
【解決手段】Ｇａを含む窒化物半導体からなるｎ型の窒化物半導体層１０１と、窒化物半導体層１０１に接合して形成されたｐ型のシリコンからなるｐ型シリコン層１０２とを少なくとも備える。窒化物半導体層１０１とｐ型シリコン層１０２とは、接合界面１０３により接合している。 （もっと読む）

【課題】定常状態において電力使用量が一定値を超えないように、かつ外乱抑制特性が可能な限り損なわれないようにする。
【解決手段】電力総和抑制制御装置は、割当総電力の情報を受信する割当総電力入力部（１０）と、総電力実測値を取得する総電力実測値入力部（１１）と、総電力実測値が割当総電力より大きい場合に補正係数を小さくする第１の補正係数更新部（１２）と、使用電力が最大状態に到達していると見なされる状況で総電力実測値が割当総電力より小さい場合に補正係数を大きくする第２の補正係数更新部（１３）と、各制御ループの電力余裕が公平な状態に近づくように操作量出力上限値を算出する電力抑制手段（１４〜２０）と、操作量出力上限値に補正係数を乗じて補正する出力上限値補正部２１と、制御ループ毎に設けられ、操作量を算出して操作量の上限処理を実行する制御部（２２−ｉ）を備える。 （もっと読む）

【課題】均熱部材を載置台内に一体的に埋め込むようにして被処理体の面内温度の均一性を高めると共に、被処理体に対する加熱効率を高めることが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】処理容器４内にて被処理体Ｗに対して所定の熱処理を施すために前記被処理体を加熱する加熱手段３８が埋め込まれると共に、前記被処理体を載置する載置台３２と、前記載置台を前記処理容器の底部より起立させて支持する支柱３０とを有する載置台構造において、前記載置台内に、前記埋め込まれている前記加熱手段の上方に位置させて平面方向に広がった均熱部材４０を埋め込むように構成する。 （もっと読む）