【課題】半導体層の被転写層への注入による欠陥を修復する方法であって、レシーバ基板にどんなデバイス又は機能が存在するかにかかわらずレシーバ基板を損傷する恐れのない方法を提供する。
【解決手段】半導体層１０が、被転写半導体層１０よりも熱伝導率が低い層３によってレシーバ基板２から熱的に絶縁される方法において、レシーバ基板２の温度が５００℃を超えて上昇しないように半導体層１０を前記層１０の溶融温度よりも低い温度まで加熱するように実施される選択的な電磁照射を半導体層１０に施す。 （もっと読む）

【課題】 多量の処理液を消費することなく基板の表面全域に有効に処理液を供給することが可能であり、さらに、処理液を回収して再利用することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】 各塗布ユニット１ａ、１ｂは、複数の搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の表面に処理液を供給するための第１処理液吐出ノズル２と、この第１処理液吐出ノズル２との間に処理液の液溜まりを形成するとともに、複数の搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の裏面に処理液を供給するための第２処理液吐出ノズル４とを備える。搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００に対し、このような構成を有する２個の塗布ユニット１ａ、１ｂの作用により、その表面および裏面への処理液の塗布が、繰り返し実行される。 （もっと読む）

【課題】単結晶の半導体層を支持基板上に転写し、転写された層がもはや脆化注入によって生成される可能性のある結晶欠陥を含まない方法を提供する。
【解決手段】単結晶の半導体層３を支持基板上に転写する方法に関し、（ａ）ドナー基板３１に注入種を注入するステップと、（ｂ）ドナー基板３１を支持基板に接合するステップと、（ｃ）層３を支持基板上に転写するためにドナー基板３１を破壊するステップと、前記単結晶の層３の第２の部分３５の結晶格子の秩序を乱すことなしに、転写されるべき単結晶の層３の部分３４が非晶質にされるステップであり、部分３４、３５が、それぞれ、単結晶の層３の表面部分および埋め込み部分であるステップと、非晶質の部分３４が５００℃未満の温度で再結晶化されるステップであり、第２の部分３５の結晶格子が再結晶化のための種結晶として働くステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置に異常が発生した場合の点検作業を、迅速に誤りなく行う。
【解決手段】複数の処理ユニットと、各処理ユニットでの異常発生を表示する表示手段とを備えた基板処理装置は、異常発生の警報の内容と当該異常発生により点検が必要になる部位とを関連付けた情報と、点検対象部位を、異常が発生していない他の部位からアイソレートするために操作される機器の情報と、点検対象部位の配置及びアイソレートの際の操作対象機器の配置と、アイソレートの際の操作対象機器の操作手順と、を記憶する記憶手段と、記憶手段の情報に基づいて、異常発生により点検が必要となる部位をアイソレートするために操作される機器を特定し、さらに特定された機器の配置を特定して表示手段に出力する異常特定手段と、記憶手段の情報に基づいて、異常特定手段で特定された機器の操作手順を特定して表示手段に出力する操作手順特定手段と、を有している。 （もっと読む）

【課題】処理装置の制御負荷の増加を回避しながらも、処理作業効率の向上を図ることができる処理設備を提供する。
【解決手段】複数の処理装置１及び処理対象物を貯留する貯留装置Ｑを経由する搬送ラインに沿って走行して処理対象物を搬送する搬送車３を管理する搬送管理手段ＨＣが、処理装置１から主管理手段ＪＣに対して通信される処理進行情報を監視して、複数の処理装置１のうちで、処理対象物の処理が終了した又は終了間近である処理装置１を、主管理手段ＪＣから搬送指令情報が通信されてくる以前に、事前搬送元として抽出し、その処理装置１から処理対象物を搬出するために、事前搬送元として抽出した処理装置１に対して搬送車３を走行させる事前搬送制御を実行するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の再生に適した方法を提供する。
【解決手段】損傷半導体領域と絶縁層とを含む凸部が周縁部に存在する半導体基板に対し、絶縁層を除去するエッチング処理と、硝酸、硝酸によって酸化された半導体基板を構成する半導体材料を溶解する物質、半導体材料の酸化速度及び酸化された半導体材料の溶解速度を制御する物質、及び亜硝酸を含み、亜硝酸の濃度が１０ｍｇ／ｌ以上１０００ｍｇ／ｌ以下である混合液を用いて、未損傷の半導体領域に対して損傷半導体領域を選択的に除去するエッチング処理と、を行うことで半導体基板を再生する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物とは化学組成の異なる異組成基板とＩＩＩ族窒化物層とが貼り合わされた複合基板であっても、反りおよびクラックを発生させることなくその複合基板上にＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層を形成することができる複合基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本複合基板２Ｄは、ＩＩＩ族窒化物以外の化学組成を有する異組成基板１０と、異組成基板１０に貼り合わされたＩＩＩ族窒化物層２１と、含み、ＩＩＩ族窒化物層２１は、平面充填が可能な少なくとも１種類の平面形状を有する複数のＩＩＩ族窒化物タイル２１ｐに分離している。 （もっと読む）

【課題】装置の信頼性や、製品の歩留まりなどを向上させる。
【解決手段】第１の開口と第２の開口との内部に金属材料を埋め込んで第１プラグと第２プラグとを設けると共に、第１プラグと第２プラグとの間を接続する接続配線を設けることで、接続導電層を形成する。そして、接続導電層において接続配線の上面を被覆するようにパッシベーション膜を形成する。このパッシベーション膜の形成工程では、高密度プラズマＣＶＤ法などのように埋め込み性に優れた成膜法で、ＳｉＯ_２などの絶縁膜を成膜することによって、パッシベーション膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗の十分な低減を可能とする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１の製造方法は、少なくとも一方の主面を含む領域が単結晶炭化珪素からなる基板を準備する工程と、一方の主面上に活性層２３を形成する工程と、基板の前記一方の主面とは反対側の他方の主面を含む領域を研削する工程と、他方の主面を含む領域を研削する工程において形成されたダメージ層２２Ｃを除去する工程と、ダメージ層２２Ｃが除去されることにより露出した主面に接触するように裏面電極を形成する工程とを備え、一方の主面は｛０００１｝面に対するオフ角が５０°以上６５°以下となっている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハに対してプラズマ処理を行う際に、半導体ウェハの被処理面内において、プラズマを均一に照射することを可能とする、接合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ１０３の一方の主面１０３ａと、主面１０３ａの全域を支持する支持基板１０１の一方の主面１０１ａとを、接着材料１０２を介して接合する工程Ａと、半導体ウェハの他方の主面側を研磨する工程Ｂと、半導体ウェハの研磨面１０３ｄにエッチングマスク層を形成する工程Ｃと、半導体ウェハの研磨面１０３ｄにおける、外周域に形成されたエッチングマスク層を除去する工程Ｄと、エッチングマスク層が除去された領域において、半導体ウェハ１０３をエッチング処理により除去する工程Ｅと、を順に備えている。 （もっと読む）