【課題】貼り合わせ装置では、基板ホルダに付着する塵埃及び基板ホルダに加えられる熱、圧力等により、基板ホルダ及び基板ホルダに備えられた部品が劣化することが考えられる。
【解決手段】基板を保持する基板ホルダの予め定められた指標の状態を取得する指標取得部と、状態が予め設定されたメンテナンス条件と合致するか否かを解析する解析部と、メンテナンス条件と状態が合致すると解析されたときに、メンテナンスを促す警告を行う警告部とを備える基板ホルダメンテナンス装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 抵抗発熱体に高い電圧を印加しても、温度均一性を犠牲にすることなく、抵抗発熱体の周囲の絶縁性を良好に維持できる基板保持体を提供する。
【解決手段】 半導体基板Ｗの載置面１ａとは反対側の面もしくは内部に半導体基板Ｗの加熱用の抵抗発熱体２を備えた基板保持体１であって、抵抗発熱体２は円弧状パターン２１ａおよび折り返しパターン２１ｂを交互に接続して構成される同心円状部分２１と、同心円状部分２１を構成する複数の折り返しパターン２１ｂのうち、互いに向かい合う折り返しパターン２１ｂ同士の間の領域に延在する直線状部分２２とからなり、抵抗発熱体２に給電するための１対の給電端子３が同心円状部分２１に接続されている （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の接合を効率よく行い、接合処理のスループットを向上させる。
【解決手段】接合システム１は、接合処理ステーション３に対して、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ又は重合ウェハＴを搬入出する搬入出ステーション２と、被処理ウェハＷと支持ウェハＳに所定の処理を行う接合処理ステーション３とを有している。接合処理ステーション３は、被処理ウェハＷに接着剤を塗布する塗布装置４０と、被処理ウェハＷを所定の温度に加熱する熱処理装置４１〜４６と、支持ウェハＳの表裏面を反転させ、接着剤を介して被処理ウェハＷと支持ウェハＳを接合する接合装置３０〜３３と、各装置に対して被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ又は重合ウェハＴを搬送するためのウェハ搬送領域６０とを有する。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を抑制し、被照射面に凹部や凸部があったとしても、当該凹部や凸部に対応する被照射面に光を十分に照射することができるようにすること。
【解決手段】光照射装置１０は、接着シートＡＳの接着剤層により形成される被照射面Ｓ１に光を照射する装置である。被照射面Ｓ１は、第１照射面ＳＡと、この第１照射面ＳＡに設けられた凸部からなる第２照射面ＳＢとを有する。光照射装置１０は、接着シートＡＳを支持する支持手段１１と、被照射面Ｓ１に対向して所定波長の光を照射可能な発光ダイオード２７を有する発光手段１２と、接着シートＡＳと発光手段１２とを相対移動させる移動手段１３とを備えている。発光手段１２は、発光ダイオード２７の中心ＣＴと被照射面Ｓ１上の焦点ＦＣとを通る光軸ＡＸを第１照射面ＳＡに対して斜め方向に設定可能に設けられ、第２照射面ＳＢでの光照射量の増大を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】基板ホルダの板バネが劣化すると、吸着ユニットが劣化していき、基板の位置合わせ精度を低下させたり、基板搬送中に基板がずれたりするおそれがある。
【解決手段】第１基板を保持する第１基板ホルダに設けられた第１吸着ユニットと、第２基板を保持する第２基板ホルダに設けられ、第１吸着ユニットと対となって第１基板ホルダと第２基板ホルダとの間に第１基板と第２基板とを挟み込む吸着力を発揮する第２吸着ユニットとの管理装置であって、第１吸着ユニットと第２吸着ユニットの間の吸着力の状態を検出する検出部と、吸着力の状態に基づいて第１吸着ユニットと第２吸着ユニットとの間の吸着力の良否を判断する判断部と、判断部の判断結果に基づいて、第１吸着ユニットと第２吸着ユニットの少なくとも一方のメンテナンスを促す警告を行う警告部とを備える。 （もっと読む）

【課題】密着性と剥離性とを兼ね備えた薄膜デバイス用基板、及び薄膜デバイスを歩留まり良く製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】支持基材上に、樹脂基材が設けられてなる薄膜デバイス用基材であって、支持基材側の樹脂基材の表面と、該樹脂基材の表面と接する面と、の界面が、ＪＩＳＫ５６００−５−７に準拠した付着性で、（Ａ)０．０３ＭＰａ以上０．１２ＭＰａ以下の領域と、（Ｂ)０．１４ＭＰａ以上の領域と、を有するように支持基材上の全部または一部に剥離調整層が設けられている。 （もっと読む）

【課題】プラスチック支持体を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】プラスチック支持体上に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ
上に形成された接着層と、前記接着層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され
た薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された発光素子とを有する。また
は、プラスチック支持体と、前記プラスチック支持体に対向する対向基板と、前記プラス
チック支持体と前記対向基板との間に保持された液晶とを有し、前記プラスチック支持体
上に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上に形成された接着層と、前記接
着層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された薄膜トランジスタとを有する。 （もっと読む）

【課題】システム利用者がコスト改善業務の為、製造コスト情報の分析システムに対して多様な要求を行う手段を提供する。
【解決手段】活用軸定義手段Ｈで複数の作業IＤを括る「括りデータ」を入力する。集計データ集計保持手段Ｃは、この「括りデータ」を元に集計データを集計し保持する。さらに提供データ集計保持手段Ｄは、この集計データを組み合わせて提供データを抽出し、送信先に提供データを送信する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板の表面を保護することができる方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板８０が準備される。２μｇ／ｍ³以上の二酸化窒素濃度を有する雰囲気に炭化珪素基板８０をさらすことによって、炭化珪素基板８０上に酸化膜７０が形成される。 （もっと読む）

【課題】単一基板上にソース・ドレインを同一工程で同時形成したＩＩＩ−Ｖ族半導体のｎＭＩＳＦＥＴおよびＩＶ族半導体のｐＭＩＳＦＥＴのソース・ドレイン領域抵抗または接触抵抗を小さくする。
【解決手段】第１半導体結晶層に形成された第１チャネル型の第１ＭＩＳＦＥＴの第１ソースおよび第１ドレインが、第１半導体結晶層を構成する原子とニッケル原子との化合物、第１半導体結晶層を構成する原子とコバルト原子との化合物または第１半導体結晶層を構成する原子とニッケル原子とコバルト原子との化合物からなり、第２半導体結晶層に形成された第２チャネル型の第２ＭＩＳＦＥＴの第２ソースおよび第２ドレインが、第２半導体結晶層を構成する原子とニッケル原子との化合物、第２半導体結晶層を構成する原子とコバルト原子との化合物、または、第２半導体結晶層を構成する原子とニッケル原子とコバルト原子との化合物からなる半導体デバイスを提供する。 （もっと読む）