基板処理装置及び半導体装置の製造方法
【課題】表示部に接続された複数の制御部のうち、表示部に表示される表示対象を制御することができる基板処理装置、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板処理装置を操作する作業者が操作する操作部３４２と、操作部３４２に接続され、前記基板処理装置を制御する少なくとも２つ以上の制御部３０２，３０４，３１２と、制御部３０２，３０４，３１２が出力する信号を表示する少なくとも１つ以上の表示部３４２と、前記基板処理装置の起動時に、前記少なくとも２つ以上の制御部３０２，３０４，３１２のうち、少なくとも２つ以上の制御部３０２，３０４，３１２の起動時間を異ならせるように制御部３０２，３０４，３１２への電源の投入時機を制御する起動時間制御部３４４と、を有する。
【解決手段】基板処理装置は、基板処理装置を操作する作業者が操作する操作部３４２と、操作部３４２に接続され、前記基板処理装置を制御する少なくとも２つ以上の制御部３０２，３０４，３１２と、制御部３０２，３０４，３１２が出力する信号を表示する少なくとも１つ以上の表示部３４２と、前記基板処理装置の起動時に、前記少なくとも２つ以上の制御部３０２，３０４，３１２のうち、少なくとも２つ以上の制御部３０２，３０４，３１２の起動時間を異ならせるように制御部３０２，３０４，３１２への電源の投入時機を制御する起動時間制御部３４４と、を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１は、メインコントローラとしての機能を有する統括制御コントローラと、大気ロボットなどを制御する大気ロボットコントローラと、顧客側のホストコンピュータに接続され通信を制御するＧＥＭ（Ｇｅｎｅｒｉｃ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｍｏｄｅｌ）コントローラを含む複数の制御部を有する半導体制御装置について開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−６１１３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
複数の制御部からの出力を１つの表示部で出力する場合、表示を制御することができず、制御部ごとの起動時間の相違による影響を受けてしまい、所望の制御部の出力を表示部に表示できなかった。
本発明は、表示部に接続された複数の制御部のうち、表示部に表示される表示対象を制御することができる基板処理装置、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明にかかる基板処理装置は、基板を処理する処理室と、前記基板を搬送する基板搬送部と、前記基板搬送部が設けられ、前記基板の搬送空間となる搬送室と、前記処理室に設けられ、前記基板を加熱する加熱部と、前記処理室を排気する排気部と、前記処理室内にガスを供給するガス供給部と、を有する基板処理装置であって、基板処理装置を操作する作業者が操作する操作部と、前記操作部に接続され、前記基板処理装置を制御する少なくとも２つ以上の制御部と、前記制御部が出力する信号を表示する少なくとも１つ以上の表示部と、前記基板処理装置の起動時に、前記少なくとも２つ以上の制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部の起動時間を異ならせるように前記制御部への電源の投入時機を制御する起動時間制御部と、を有する。
【０００６】
好適には、前記制御部は、少なくとも基板処理装置のレシピを制御する第１の制御部と、少なくとも前記基板処理装置の異常を検知する第２の制御部であり、前記起動時間制御部は、前記第２の制御部よりも前記第１の制御部を先に起動させる。
【０００７】
また、本発明にかかる半導体装置の製造方法は、基板搬送部が搬送室で基板を搬送するステップと、前記基板搬送部が、処理室に基板を搬入するステップと、排気部が前記処理室内を排気するステップと、ガス供給部が前記処理室内にガスを供給するステップと、加熱部が前記基板を加熱するステップと、を有する本処理工程と、少なくとも２以上の制御部が、少なくとも前記基板搬送部と前記排気部と前記ガス供給部と前記加熱部との動作を制御しつつ動作毎に信号を出力するステップと、少なくとも１つ以上の表示部が、前記信号を受信して表示するステップと、を有する制御工程と、起動時間制御部が、前記少なくとも２つ以上設けられた制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部の起動時間を異ならせるように前記制御部への電源の投入時機を制御するステップと、を有する制御部の起動工程と、を有する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明は、表示部に接続された複数の制御部のうちいずれの制御部の出力を表示するかを制御でき、本構成を有していない場合と比べ、基板処理作業の作業効率を上げることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成例を示す平面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成例を示す側面断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る処理室の構成例を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るコントローラの構成を示すブロック図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る起動時間制御部の構成を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（１）基板処理装置の構成
本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概要構成を、図面を用いて説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成例を示す平面図であり、図２は、側面断面図である。
【００１１】
図１および図２において、本発明が適用される基板処理装置においては、基板を搬送するキャリアとしては、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）として構成されたポッド１００が使用されている。ポッド１００内には、未処理の基板や処理済の基板がそれぞれ水平姿勢で複数格納されるように構成されている。
また、以下の説明において、前後左右は、Ｘ１方向が右、Ｘ２方向が左、Ｙ１方向が前、Ｙ２方向が後とする。
【００１２】
図１および図２に示されているように、基板処理装置は真空搬送室（トランスファモジュール）１０３を備えている。真空搬送室１０３は真空状態等の大気圧未満の圧力（負圧）に耐え得る構造に構成されている。また、真空搬送室１０３はアルミニウムで形成されている。
真空搬送室１０３には負圧下で基板２００を移載する真空搬送ロボット１１２が設置されている。
【００１３】
真空搬送ロボット１１２はフランジ１１５によって、真空搬送室１０３に固定されている。フランジ１１５は、アルミニウムで形成されている。真空搬送ロボット１１２はエレベータ１１６およびフランジ１１５によって真空搬送室１０３の機密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。
また、真空搬送ロボット１１２に設けられたアーム１１２ａを未処理基板２００のみを搬送する専用アームとし、アーム１１２ｂを処理済基板２００のみを搬送する専用アームとしても良い。アーム１１２ａ，１１２ｂをそれぞれ、専用のアームとすることによって、処理済基板２００から微粒子が発生したとしても、微粒子が未処理基板２００に付着することを防止することができる。また、未処理基板２００から微粒子が発生したとしても、微粒子が処理済基板２００に付着することを防止することができる。すなわち、処理済基板２００から未処理基板２００への汚染（コンタミネーション）と未処理基板２００から処理済基板２００への汚染を抑制することが可能となる。但し、本発明は、上述の形態に限定されず、アーム１１２ａ及び１１２ｂを未処理基板及び処理済み基板のいずれであっても搬送可能な非専用アームとしてもよい。
【００１４】
筐体１０１の六枚の側壁のうち前側に位置する二枚の側壁には、搬入用の予備室（ロードロックモジュール）１２２と、搬出用の予備室（ロードロックモジュール）１２３とがそれぞれゲートバルブ１６０，１６５を介して連結されており、それぞれ負圧に耐え得る構造に構成されている。
さらに、予備室１２２には搬入室用の基板載置台１５０が設置され、予備室１２３には搬出室用の基板載置台１５１が設置されている。
【００１５】
予備室１２２および予備室１２３の前側には、大気搬送室（フロントエンドモジュール）１２１がゲートバルブ１２８，１２９を介して連結されている。大気搬送室１２１は略大気圧下で用いられる。
大気搬送室１２１には基板２００を移載する大気搬送ロボット１２４が設置されている。図２に示されているように、大気搬送ロボット１２４は大気搬送室１２１に設置されたエレベータ１２６によって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ１３２によって左右方向に往復移動されるように構成されている。
【００１６】
図２に示されているように、大気搬送室１２１の上部にはクリーンエアを供給するクリーンユニット１１８が設置されている。
図１に示されているように、大気搬送室１２１の左側には基板２００に形成されているノッチまたはオリエンテーションフラットを合わせる装置（以下、プリアライナという）１０６が設置されている。
【００１７】
図１および図２に示されているように、大気搬送室１２１の筐体１２５の前側には、基板２００を大気搬送室１２１に対して搬入搬出するための基板搬入搬出口１３４と、ポッドオープナ１０８が設置されている。基板搬入搬出口１３４を挟んでポッドオープナ１０８と反対側、すなわち筐体１２５の外側にはＩＯステージ（ロードポート）１０５が設置されている。
ポッドオープナ１０８はポッド１００のキャップ１００ａを開閉すると共に、基板搬入搬出口１３４を閉塞可能なクロージャ１４２とクロージャ１４２を駆動する駆動機構１０９とを備えている。ポッドオープナ１０８はＩＯステージ１０５に載置されたポッド１００のキャップ１００ａを開閉することにより、ポッド１００に対する基板２００の出し入れを可能とする。
ポッド１００は図示しない工程内搬送装置（ＲＧＶ）によって、ＩＯステージ１０５に対して、供給および排出される。
【００１８】
図１に示されているように、筐体１０１の六枚の側壁のうち後側（背面側）に位置する二枚の側壁には、基板に所望の処理を行う第二処理室（プロセスモジュール）１３８と第三処理室（プロセスモジュール）１３９とが、ゲートバルブ１６２、１６３を介してそれぞれ隣接して連結されている。第二処理室１３８および第三処理室１３９はいずれもコールドウォール式の処理室によって構成されている。
筐体１０１における六枚の側壁のうちの残りの互いに対向する二枚の側壁には、第一処理室（プロセスモジュール）１３７と、第四処理室（プロセスモジュール）１４０とが、ゲートバルブ１６１，１６４を介してそれぞれ連結されている。第一処理室１３７および第四処理室１４０もいずれもコールドウォール式の処理室によって構成されている。
【００１９】
（２）処理室の構成
次に、本発明の一実施形態に係る各処理室１３７〜１４０の構成及び動作について図３
を用いて説明する。
【００２０】
図３は、各処理室１３７〜１４０として用いられるＭＭＴ装置の断面構成図である。ＭＭＴ装置とは、電界と磁界とにより高密度プラズマを発生できる変形マグネトロン型プラズマ源（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ Ｔｙｐｅｄ Ｐｌａｓｍａ Ｓｏｕｒｃｅ）を用い、例えばシリコン基板等の基板２００を処理する装置である。
【００２１】
ＭＭＴ装置は、基板２００をプラズマ処理する処理炉２０２を備えている。そして、処理炉２０２は、処理室２０１を構成する処理容器２０３と、サセプタ２１７と、ゲートバルブ１６１と、シャワーヘッド２３６と、ガス排気口２３５と、筒状電極２１５、上部磁石２１６ａ、下部電極２１６ｂと、を備えている。
【００２２】
処理室２０１を構成する処理容器２０３は、第一の容器であるドーム型の上側容器２１０と、第二の容器である碗型の下部容器２１１と、を備えている。そして、上側容器２１０が下側容器２１１の上に被せられることにより処理室２０１が形成される。上側容器２１０は例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）又は石英（ＳｉＯ２）等の非金属材料で形成されており、下側容器２１１は例えばアルミニウム（Ａｌ）で形成されている。
【００２３】
処理容器２０３の上面には後述する光透過性窓部２７８が配設され、この光透過性窓部２７８に対応する反応容器２０３外側にランプ加熱装置（光源）２８０が設けられている。ランプ加熱装置２８０は、基板２００を加熱可能なように構成されている。
【００２４】
処理室２０１内の底側中央には、基板２００を支持するサセプタ２１７が配置されている。サセプタ２１７は、シリコン基板１００上に形成された膜の金属汚染を低減することが出来るように、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、セラミックス、石英等の非金属材料で形成されている。
【００２５】
サセプタ２１７内の内部には、加熱機構としてのヒータ２１７ｂが一体的に埋め込まれており基板２００を加熱できるようになっている。ヒータ２１７ｂに電力が供給されると、基板２００表面を例えば２００℃〜７５０℃程度にまで加熱できるようになっている。
【００２６】
主に、サセプタ２１７及びヒータ２１７ｂにより、本実施形態に係る基板支持部が形成されている。
【００２７】
サセプタ２１７は、下側容器２１１とは電気的に絶縁されている。サセプタ２１７の内部には、インピーダンスを変化させる電極としての第二の電極２１７ｃが装備されている。この第二の電極２１７ｃは、インピーダンス可変機構２７４を介して設置されている。インピーダンス可変機構２７４は、コイルや可変コンデンサを備えており、コイルのパターン数や可変コンデンサの容量値を制御することにより、第二の電極２１７ｃ及びサセプタ２１７を介して基板２００の電位を制御できるようになっている。
【００２８】
サセプタ２１７には、サセプタ２１７を昇降させるサセプタ昇降機構２６８が設けられている。サセプタ２１７には、貫通孔２１７ａが設けられている。上述の下側容器２１１底面には、基板２００を突き上げる基板突き上げピン２６６が少なくとも３箇所設けられている。そして、貫通孔２１７ａ及び基板突き上げピン２６６はサセプタ昇降機構２６８によりサセプタ２１７が下降させられた時に基板突き上げピン２６６がサセプタ２１７とは非接触な状態で貫通孔２１７ａを突き抜けるように、互いに配置されている。
【００２９】
下側容器２１１の側壁には、仕切弁としてのゲートバルブ１６１が設けられている。ゲートバルブ１６１が開いている時には、搬送ロボット１１２を用いて処理室２０１内へ基板２００を搬入し、または処理室２０１外側へと基板２００を搬出することができるようになっている。ゲートバルブ１６１を閉めることにより、処理室２０１内を気密に閉塞することができるようになっている。
【００３０】
処理室２０１の上部には、処理室２０１内へガスを供給するシャワーヘッド２３６が設けられている。シャワーヘッド２３６は、キャップ上の蓋体２３３と、ガス導入口２３４と、バッファ室２３７と、開口２３８と、遮蔽プレート２４０と、ガス吹出口２３９とを備えている。
【００３１】
ガス導入口２３４には、バッファ室２３７内へガスを供給するガス供給管２３２の下流端が、封止部材としてのＯリング２０３ｂを介して接続されている。バッファ室２３７は、ガス導入口２３４より導入されるガスを分散する分散空間として機能する。
【００３２】
ガス供給管２３２の上流側には、窒素原子含有ガスとしてのＮ２ガスを供給する窒素ガス供給管２３２ａの下流側と、水素原子含有ガスとしてのＨ２ガスを供給する水素ガス供給管２３２ｂの下流端と、希釈ガスとしての例えばヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）等の希ガスを供給する希ガス供給間２３２ｃの下流端と、が合流するように接続されている。
【００３３】
窒素ガス供給管２３２ａには、窒素ガスボンベ２５０ａ、流量制御装置としてのマスフローコントローラ２５１ａ、開閉弁であるバルブ２５２ａが上流から順に接続されている。水素ガス供給管２３２ｂには、水素ガスボンベ２５０ｂ、流量制御装置としてのマスフローコントローラ２５１ｂ、開閉弁であるバルブ２５２ｂが上流から順に接続されている。希ガス供給管２３２ｃには、希ガスボンベ２５０ｃ、流量制御装置としてのマスフローコントローラ２５１ｃ、開閉弁であるバルブ２５２ｃが上流から順に接続されている。
【００３４】
主に、ガス供給管２３４、窒素ガス供給管２３２ａ、水素ガス供給管２３２ｂ、希ガス供給管２３２ｃ、窒素ガスボンベ２５０ａ、水素ガスボンベ２５０ｂ、希ガスボンベ２５０ｃ、マスフローコントローラ２５１ａ〜２５２ｃ、及びバルブ２５２ａ〜２５２ｃにより、本実施形態に係るガス供給部が構成される。ガス供給管２３２、窒素ガス供給管２３２ａ、水素ガス供給管２３２ｂ、希ガス供給管２３２ｃは、例えば石英、酸化アルミニウム等の非金属材料及びＳＵＳ等の金属材料等により構成されている。これらのバルブ２５２ａ〜２５２ｃを開閉させることにより、マスフローコントローラ２５１ａ〜２５２ｃにより流量制御しながら、バッファ室２３７を介して処理室２０１内にＮ２ガス、Ｈ２ガス、希ガスを自在に供給できるように構成されている。
【００３５】
なお、ここではＮ２ガス、Ｈ２ガス、希ガス毎にガスボンベを設ける場合について説明したが、本発明は係る形態に限定されるものではなく、窒素ガスボンベ２５０ａ、水素ガスボンベ２５０ｂに代えて、酸素（Ｏ２）ガスボンベを設けてもよい。また、処理室２０１内に供給する反応ガス中の窒素の割合を多くする場合には、ＮＨ３ガスボンベを更に設け、Ｎ２ガスにＮＨ３ガスを添加してもよい。
【００３６】
下側容器２１１の側壁下方には、処理室２０１内から反応ガス等を排気するガス排気口２３５が設けられている。ガス排気口２３５には、ガスを排気するガス排気管２３１の上流端が接続されている。ガス排気管２３１には、圧力調整器であるＡＰＣ２４２、開閉弁であるバルブ２４３ｂ、排気装置である真空ポンプ２４６が、上流から順に設けられている。主に、ガス排気口２３５、ガス排気管２３１、ＡＰＣ２４２、バルブ２４３ｂ、真空ポンプ２４６により、本実施形態に係るガス排気部が構成されている。真空ポンプ２４６を作動させ、バルブ２４３ｂを開けることにより、処理室２０１内を排気することが可能なように構成されている。また、ＡＰＣ２４２の開度を調整することにより、処理室２０１内の圧力値を調整できるように構成されている。
【００３７】
処理容器２０３（上側容器２１０）の外周には、処理室２０１内のプラズマ生成領域２２４を囲うように、第１の電極２１５が設けられている。第一の電極２１５は、筒状、例えば円筒状に形成されている。第一の電極２１５は、インピーダンスの整合を行う整合器２７２を介して、高周波電力を発生する高周波電源２７３に接続されている。第一の電極２１５は、処理室２０１内に供給されるガスを励起させてプラズマを発生させる放電機構として機能する。
【００３８】
第一の電極２１５の外側表面の上下端部には、上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂがそれぞれ取り付けられている。上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂは、それぞれ筒状、例えばリング状に形成された永久磁石として構成されている。
【００３９】
上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂは、処理室２０１の半径方向に沿った両端（すなわち、各磁石の内周端と外周端）にそれぞれ磁極を有している。上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂの磁極の向きは、互いに逆向きになるよう配置されている。すなわち、上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂの内周部の磁極同士は異極となっている。これにより、筒状電極２１５の内側表面に沿って、円筒軸方向の磁力線が形成されている。
【００４０】
主に、第一の電極２１５、整合器２７２、高周波電源２７３、上部磁石２１６ａ、下部磁石２１６ｂにより、本実施形態に係るプラズマ生成部が構成されている。処理室２０１内にＮ２ガスとＨ２ガスとの混合ガスを導入した後、第一の電極２１５に高周波電力を供給して電界を形成するとともに、上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂを用いて磁界を形成することにより、処理室２０１内にマグネトロン放電プラズマが生成される。この際、放出された電子を上述の電磁界が周回運動させることにより、プラズマの電離生成率が高まり、長寿命の高密度プラズマを生成させることができる。
【００４１】
なお、第一の電極２１５、上部磁石２１６ａ、及び下部磁石２１６ｂの周囲には、これらが形成する電磁界が外部環境や他処理炉等の装置に悪影響を及ぼさないように、電磁界を有効に遮蔽する金属製の遮蔽板２２３が設けられている。
【００４２】
（３）コントローラの構成
次に、本発明の一実施形態に係るコントローラの構成について、説明する。図４は、本発明の一実施形態に係るコントローラの構成を示すブロック図である。
【００４３】
図４に示すように、基板処理装置を制御するコントローラとしてのコントローラ３００は、ＯＵ（Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ Ｕｎｉｔ）３０２、ＧＥＭ（Ｇｅｎｅｒｉｃ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｍｏｄｅｌ）３０４、主制御部（ＣＣ：Ｃｌｕｓｔｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）３０６、真空搬送ロボットコントローラ３０８、プロセスモジュールコントローラ（ＰＭＣ）３１０、及びＥＦＥＭ−ＰＣ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｆｒｏｎｔ Ｅｎｄ Ｍｏｄｕｌｅ−ＰＣ）３１２から構成されている。
以下、ＯＵ３０２を第１の制御部３０２と、ＧＥＭ３０４を第２の制御部３０４と、ＥＦＥＭ−ＰＣ３１２を第３の制御部３１２という。
【００４４】
第１の制御部３０２は、図１に示すように筐体１２５内のプリアライナ１０６の下部に設置されている。第１の制御部３０２は、基板処理装置におけるプロセスレシピの制御を行うコンピュータであり、例えば、プロセスレシピを管理する作業者により操作される。
【００４５】
第１の制御部３０２は、半導体製造工場内に設けられているホスト（統括制御部）３１４とＬＡＮによる接続がされている。また、第１の制御部３０２は、下位制御部である、主制御部３０６、真空搬送ロボットコントローラ３０８、及びプロセスモジュールコントローラ３１０とＬＡＮによる接続がされており、上位制御部として機能する。なお、ホスト３１４は、例えば基板処理装置の管理を行ない、複数設けられていてもよい。
【００４６】
第２の制御部３０４は、第１の制御部３０２と同様、図１に示すように筐体１２５内のプリアライナ１０６の下部に設置されている。第２の制御部３０４は、基板処理装置とホスト３１４との通信を制御するコンピュータであり、ロット処理の開始タイミング及び終了タイミングなどの通信を制御する。なお、通式方式としては、例えばＳＥＭＩ規格を用いている。
また、第２の制御部３０４は、基板処理装置の異常対応用のコンピュータとしても機能し、基板処理装置の異常を検知する機能も有する。なお、第２の制御部３０４は、基板処理装置の異常対応では、例えば、基板処理装置の操作者又はサポートエンジニアなどにより操作される。
【００４７】
第１の制御部３０２と同様、第２の制御部３０４は、ホスト３１４とＬＡＮによる接続がされている。また、第２の制御部３０２は、下位制御部である、主制御部３０６、真空搬送ロボットコントローラ３０８、及びプロセスモジュールコントローラ３１０とＬＡＮによる接続がされており、上位制御部として機能する。
【００４８】
主制御部３０６は、図２に示すように真空搬送室１０３の下部に設置されている。主制御部３０６は、後述する第３の制御部３１２、ガス流量コントローラ３１６、圧力コントローラ３１８、ＰＬＣ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）３２０、ゲートバルブコントローラ３２２を制御する。
【００４９】
ガス流量コントローラ３１６は、例えば図２に示す信号線Ｆを通じてクリーンユニット１１８を制御する。
【００５０】
圧力コントローラ３１８は、真空搬送室１０３，予備室１２２，１２３に設けられた図示しない排気部を制御する。
【００５１】
ゲートバルブコントローラ３２２は、例えば図１に示す信号線Ｃ及び図３に示す信号線Ｉを通じて、ゲートバルブ１２８，１２９，１６０，１６１，１６２，１６３，１６４，１６５を制御する。
【００５２】
ＰＬＣ３２０は、ガス流量コントローラ３１６、圧力コントローラ３１８、ゲートバルブコントローラ３２２の各コントローラの動作状態を監視し、各コントローラへ命令を送信する。
【００５３】
真空搬送ロボットコントローラ３０８は、主制御部３０６と同様、図２に示すように真空搬送室１０３の下部に設置されている。真空搬送ロボットコントローラ３０８は、例えば図２に示す信号線Ａを通じて真空搬送ロボット１１２を制御する。
【００５４】
プロセスモジュールコントローラ３１０は、プロセスモジュール毎に設けられ、例えば図２に示すように処理室（プロセスモジュール）の下部に設置されている。プロセスモジュールコントローラ３１０は、サセプタ軸コントローラ３２４、ガス流量コントローラ３２６、ヒータ制御コントローラ３２８、圧力コントローラ３３０、ＰＬＣ３３２、ランプコントローラ３３４、プラズマ生成コントローラ３３６を制御する。
【００５５】
サセプタ軸コントローラ３２４は、例えば図３に示す信号線Ｈを通じてサセプタ２１７の上下動作を制御する。
【００５６】
ガス流量コントローラ３２６は、例えば図３に示す信号線Ｋを通じて上述のガス供給部を制御する。
【００５７】
ヒータ制御コントローラ３２８は、例えば図３に示す信号線Ｈを通じてサセプタ２１７に設けられた抵抗加熱ヒータ２１７ｂを制御する。
【００５８】
圧力コントローラ３３０は、例えば図３に示す信号線Ｇを通じて上述のガス排気部を制御する。
【００５９】
ランプコントローラ３３４は、例えば図３に示す信号線Ｌを通じてランプ加熱装置２８０を制御する。
【００６０】
プラズマ生成コントローラ３３６、例えば図３に示す信号線Ｊを通じて上述のプラズマ生成部を制御する。
【００６１】
ＰＬＣ３３２は、サセプタ軸コントローラ３２４、ガス流量コントローラ３２６、ヒータ制御コントローラ３２８、圧力コントローラ３３０、ランプコントローラ３３４、プラズマ生成コントローラ３３６の各コントローラの動作状態を監視し、各コントローラへ命令を送信する。
【００６２】
第３の制御部３１２は、第１の制御部３０２及び第２の制御部３０４と同様、図１に示すように筐体１２５内のプリアライナ１０６の下部に設置されている。第３の制御部３１２は、半導体製造工場において、各工程の製造装置間でのポッド１００の受け渡しを制御するコンピュータであり、大気搬送ロボット１２４などの制御を行なう。第３の制御部３１２は、第１の制御部３０２とＬＡＮによる接続がされており、大気搬送ロボット１２４、プリアライナ１０６、ロードポート１０５、ポッドオープナ１０８、及び図示しない搬送装置（ＧＶ）などを制御する。
【００６３】
第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２は、切替器３３８を介して、図１に示すように大気搬送室１２１の筐体１２５の前側に設置された表示部３４０及び操作部３４２と入出力インタフェースにより接続されている。
【００６４】
切替器３３８は、例えば、ＫＶＭスイッチ（Ｋｅｙｂｏａｒｄ／Ｖｉｄｅｏ／Ｍｏｕｓｅスイッチ）であり、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、又は第３の制御部３１２のうち、最初に起動した制御部の出力信号を表示部３４０に伝達し、操作部３４２では最初に起動した制御部への操作が可能な構成となっている。また、切替器３３８に設けられたスイッチを選択することにより、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、又は第３の制御部３１２のいずれかの入出力を選択することが可能に構成されている。なお、切替器３３８は、例えば表示部３４０及び操作部３４２と隣接して設置されている。
【００６５】
表示部３４０は、例えばモニタであり、切替器３３８により選択された第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、又は第３の制御部３１２のいずれかの出力を表示する。例えば、表示部３４０は、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、又は第３の制御部３１２のいずれかのうちいずれかの制御部が制御する制御対象の動作毎に制御部が出力する信号を表示する。
【００６６】
操作部３４２は、例えばマウス、キーボード、タッチパネル、ＵＳＢポートなどの記憶媒体読取口等の少なくともいずれかから構成されており、切替器３３８により選択された第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、又は第３の制御部３１２のいずれかへの操作が可能に構成されている。
【００６７】
また、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２は、それぞれ、図４において点線で示した電力ケーブルにより起動時間制御部３４４と接続されており、後述の電源からの電気が起動時間制御部３４４を介して供給されることにより起動する。
【００６８】
なお、コントローラ３００を構成する各機器、切替器３３８、表示部３４０、及び操作部３４２の設置箇所は上記に限られず、適宜変更しても構わない。
【００６９】
（４）起動時間制御部の構成
起動時間制御部３４４は、操作部３４２に接続された少なくとも２つ以上の制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部について、起動時間を互いにずらす。
図５は、本実施形態に係る起動時間制御部３４４の構成を示す回路図である。
起動時間制御部３４４は、電源３５０から第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、又は第３の制御部３１２への電源の投入時機（通電開始時機）を制御し、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２の起動時間を制御する。
【００７０】
図５に示すように、起動時間制御部３４４は、オンディレー回路（遅延回路）３４６及び３４８から構成されている。オンディレー回路３４６は、電源３５０と第２の制御部３０４との間に設けられており、電源３５０からの電気の供給が開始されてから設定された遅延時間の経過後（例えば、５秒後）に、第２の制御部３０４に対して電気を供給する。第２の制御部３０４を構成するコンピュータは、電気が供給されると起動する。
【００７１】
オンディレー回路３４８は、電源３５０と第３の制御部３１２との間に設けられており、電源３５０からの電気の供給が開始されてから設定された遅延時間の経過後（例えば、５秒後）に、第３の制御部３１２に対して電気を供給する。第３の制御部３１２を構成するコンピュータは、電気が供給されると起動する。
なお、第２の制御部３０４と第３の制御部３１２とは、同時に起動してもよいが、上記の設定された時間として異なる時間を設定し、異なる時間に起動してもよい。
【００７２】
一方、第１の制御部３０２と電源３５０との間には、オンディレー回路は設けられておらず、電源３５０からの電気の供給が開始されると、オンディレー回路による遅延が発生することなく、第１の制御部３０２に電気が供給され、第１の制御部３０２を構成するコンピュータが起動する。
【００７３】
なお、遅延時間は、第１の制御部３０２が、第２の制御部３０４及び第３の制御部３１２よりも先に起動する時間として、実験的に決めてもよいし、他の方法により算出してもよい。
【００７４】
例えば、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２の各制御部の前回の起動に要した時間（電源の投入時機から切替部３３８が出力信号を受信するまでの時間）を記憶部に記録し、記録した時間から次回の起動に要する時間を予測する演算をし、予測結果をオンディレー回路に設定又は再設定するプログラムを設けてもよい。また、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、又は第３の制御部３１２の各制御部のシャットダウン時間から、起動時間を予測し、オンディレー回路の設定を更新するプログラムを設けてもよい。
【００７５】
このようなプログラムを設けることで、例えば、基板処理装置の構成の変更、各制御部の構成の変更、基板処理装置の繰り返しの使用によるコンピュータ動作速度の低下、アプリケーションのインストール等による起動時間の変更、又はエラーによる動作不良などにより、各制御部の起動時間が変更されても、自動的に遅延時間の設定がなさ、起動順番を維持することが可能となる。なお、上述のプログラムは、基板処理装置に設けられた記憶部を有するコンピュータにより実行されてもよい。
【００７６】
以上、説明したとおり、電源３５０からの電気の供給が開始されると、まず第１の制御部３０２が起動し、その後、設定された時間が経過すると、第２の制御部３０４及び第３の制御部３１２が起動する。また、切替部３３８は、最初に起動した第１の制御部の出力信号を表示部３４０に出力し、表示部３４０及び操作部３４２による第１の制御部への入出力操作が可能となる。なお、第２の制御部３０４又は第３の制御部３１２の起動後は、切替器３３８に設けられたスイッチを選択することにより、第２の制御部３０４又は第３の制御部３１２のいずれかへの入出力操作が可能となる。
【００７７】
（５）基板処理工程
以下、前記構成をもつ基板処理装置を使用して、半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として基板を処理する処理工程について説明する。なお、以下の説明おいて、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ３００により制御される。
【００７８】
基板処理装置の起動において、電源３５０からの電気の供給が開始されると、起動時間制御部３４４は、第２の制御部３０４及び第３の制御部３１２への通電開始を遅延させる。起動時間制御部３４４による制御により、まず第１の制御部３０２が起動し、第１の制御部の出力信号が表示部３４０に出力され、表示部３４０及び操作部３４２による第１の制御部への入出力操作が可能となる。その後、第２の制御部３０４及び第３の制御部３１２が起動する。
【００７９】
作業者は、表示部３４０及び操作部３４２を用いて、第１の制御部３０２への操作（例えば、プロセスレシピの調整など）を行い、基板処理を開始する指示を操作部３４２から第１の制御部３０２へと行なう。
【００８０】
以下、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２が起動した状態で行なわれる処理工程の流れを説明する。
【００８１】
２５枚の未処理基板２００がポッド１００に収納された状態で、処理工程を実施する基板処理装置へ工程内搬送装置によって搬送されて来る。
図１及び図２に示されているように、搬送されて来たポッド１００はＩＯステージ１０５の上に工程内搬送装置から受け渡されて載置される。
ポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって取り外され、ポッド１００の基板出し入れ口が開放される。
【００８２】
ポッド１００がポッドオープナ１０８により開放されると、大気搬送室１２１に設置された大気搬送ロボット１２４はポッド１００から基板２００をピックアップして予備室１２２に搬入し、基板２００を基板載置台１５０に移載する。この移載作業中には、予備室１２２の真空搬送室１０３側のゲートバルブ１６０は閉じられており、真空搬送室１０３内の負圧は維持されている。
ポッド１００に収納された所定枚数、例えば２５枚の基板２００の基板載置台１５０への移載が完了すると、ゲートバルブ１２８が閉じられ、予備室１２２内が排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。
【００８３】
予備室１２２内が予め設定された圧力値となると、ゲートバルブ１６０が開かれ、予備室１２２と真空搬送室１０３とが連通される。
続いて、真空搬送ロボット１１２は基板載置台１５０から基板２００をピックアップして真空搬送室１０３に搬入する。
ゲートバルブ１６０が閉じられた後に、ゲートバルブ１６１が開かれて、真空搬送室１０３と第一処理室１３７とが連通される。
続いて、真空搬送ロボット１１２は、基板２００を真空搬送室１０３から第一処理室１３７へ搬入して、第一処理室１３７内の基板支持部２１７に移載する。
ゲートバルブ１６１が閉じられた後、第一処理室１３７で所望の熱処理を伴う基板処理が施される。
【００８４】
ここで、基板の処理室への搬入、熱処理を伴う基板処理、基板を処理室から搬出する動作について図３を用いて説明する。
【００８５】
最初、サセプタ２１７は下降しており、基板突上げピン２６６の先端がサセプタ２１７の貫通孔２１７ａを通してサセプタ２１７の表面より所定の高さ分だけ突き出た状態にある。まず、下側容器２１１に設けられたゲートバルブ１６１を開く。次に、真空搬送ロボット１１２によって基板２００を基板突上げピン２６６の先端に載置する。その後、真空搬送ロボット１１２を処理室２０１外へ退避させる。次に、ゲートバルブ１６１を閉め、サセプタ２１７をサセプタ昇降機構２６８により上昇させる。その結果、基板２００がサセプタ２１７表面に載置される。サセプタ２１７上に載置された基板２００を処理する位置まで上昇させる。
【００８６】
サセプタ２１７に埋め込まれた抵抗加熱ヒータ２１７ｂは予め加熱されている。基板２００は、抵抗加熱ヒータ２１７ｂによって室温から７００℃の範囲内で基板処理温度に加熱される。真空ポンプ２４６及びＡＰＣバルブ２４２を用いて処理室２０１の圧力を０．１〜３００Ｐａの範囲内に維持する。
【００８７】
基板２００を基板処理温度に加熱した後、ガス導入口２３４からシャワープレート２４０のガス噴出孔２３４ａを介して、処理ガスを処理室２０１に配置されている基板２００の表面（処理面）に向けてシャワー状に供給する。同時に筒状電極２１５に高周波電源２７３から整合器２７２を介して高周波電力を供給する。供給する電力は、例えば１００〜１０００Ｗの範囲内とし、例えば８００Ｗである。なお、インピーダンス可変機構２７４は予め所望のインピーダンス値に設定されている。
【００８８】
筒状磁石２１６ａ、２１６ｂの磁界によってマグネトロン放電が発生し、基板２００の上方空間に電荷がトラップされてプラズマ生成領域２２４に高密度プラズマが生成される。この高密度プラズマによって、サセプタ２１７上の基板２００の表面に酸化膜や窒化膜を形成したり、薄膜を形成したり、エッチングしたりする等のプラズマ処理が施される。処理が終わった基板２００は、搬送手段によって、基板２００の搬入と逆の動作で処理室２０１外へ搬送される。
【００８９】
なお、コントローラ３００は、高周波電源２７３の電力ＯＮ・ＯＦＦ、整合器２７２の調整、バルブ２４３ａの開閉、マスフローコントローラ２５１ａ〜２５１ｃの流量、ＡＰＣバルブ２４２の弁開度、バルブ２４３ｂの開閉、真空ポンプ２４６の起動・停止、サセプタ昇降機構２６８の昇降動作、ゲートバルブ１６１の開閉、サセプタに埋め込まれた抵抗加熱ヒータ２１７ｂに高周波等の電力を供給する高周波電源のＯＮ・ＯＦＦを制御している。
【００９０】
ところで、上述した構成の処理炉では、サセプタ２１７に埋めこまれている抵抗加熱ヒータ２１７ｂによって基板２００を加熱できる温度は、高々７００℃程度である。このため、抵抗加熱ヒータ２１７ｂだけでは、７００℃を超える処理温度を必要とする基板処理は困難である。
【００９１】
そこで、７００℃を超える処理温度を必要とする基板処理を行うために、基板加熱体として抵抗加熱ヒータ２１７ｂの他に、さらに赤外光を発する光源（ランプヒータ）２８０を補助ヒータとして処理炉に加えるようにしている。
【００９２】
第一処理室１３７での基板２００に対する基板処理が完了すると、基板２００の冷却が終わらない内に、ゲートバルブ１６１が開かれて処理済みの基板２００は真空搬送ロボット１１２によって真空搬送室１０３に搬出される。搬出後、ゲートバルブ１６１は閉じられる。
【００９３】
真空搬送ロボット１１２は第一処理室１３７から搬出した処理済の基板２００を予備室１２３へ搬送する。基板載置台１５１に移載した後に、予備室１２３はゲートバルブ１６５によって閉じられる。
【００９４】
以上の作動が繰り返されることにより、予備室１２２内に搬入された所定枚数、例えば２５枚の基板２００が順次処理されて行く。
【００９５】
予備室１２２内に搬入された全ての基板２００に対する基板処理が終了し、全ての処理済み基板２００が予備室１２３に収納され、予備室１２３がゲートバルブ１６５によって閉じられると、予備室１２３内が不活性ガスにより略大気圧に戻される。
予備室１２３内が略大気圧に戻されると、ゲートバルブ１２９が開かれ、ＩＯステージ１０５に載置された空のポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって開かれる。
続いて、大気搬送室１２１の大気搬送ロボット１２４は基板載置台１５１から基板２００をピックアップして大気搬送室１２１に搬出し、大気搬送室１２１の基板搬入搬出口１３４を通して大気搬送室１２１に搬出し、大気搬送室１２１の基板搬入搬出口１３４を通してポッド１００に収納して行く。
２５枚の処理済み基板２００のポッド１００への収納が完了すると、ポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって閉じられる。閉じられたポッド１００はＩＯステージ１０５の上から次の工程へ工程内搬送装置によって搬送されて行く。
【００９６】
以上の動作は第一処理室１３７が使用される場合を例にして説明したが、第二処理室１３８、第三処理室１３９および第四処理室１４０が使用される場合についても同様の作動が実施される。
また、前述の基板処理装置では、予備室１２２を搬入用、予備室１２３を搬出用としたが、予備室１２３を搬入用、予備室１２２を搬出用としてもよい。
【００９７】
また、第一処理室１３７、第二処理室１３８、第三処理室１３９、第四処理室１４０では、それぞれ同じ処理を行ってもよいし、別の処理を行ってもよい。第一処理室１３７、第二処理室１３８、第三処理室１３９、第四処理室１４０で別の処理を行う場合、例えば第一処理室１３７で基板２００にある処理を行った後、続けて第二処理室１３７で別の処理を行わせてもよい。また、第一処理室１３７で基板２００に処理を行った後に、第二処理室１３８で別の処理を行い、その後、第三処理室１３９や第四処理室１４０で、更に別の処理を行わせるようにしてもよい。
【００９８】
上記の基板処理装置では、基板処理作業において作業者が使用するコンピュータである第１の制御部に対しての入出力操作が可能となり、作業者は切替器３３８で入出力を切り替える必要がなく、作業性が向上する。
【００９９】
また、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２の起動タイミングをずらすことが可能となり、基板処理装置全体の起動時の消費電力のピークを小さくすることが可能となる。さらに、従来の基板処理装置では、起動時の起動タイミングを制御しておらず、基板処理装置各部の起動が重なり、突入電流の集中によって、電源部や配線などに負荷がかかり、電源部や配線の寿命が短くなることがあったが、上記の基板処理装置では、起動タイミングがずれ、突入電流を減少させることができる。
【０１００】
上記の基板処理装置では、第１の制御部３０２が、第２の制御部３０４及び第３の制御部３１２よりも先に起動するため、第２の制御部３０４及び第３の制御部３１２においてオンディレー回路を接続する構成を示したが、第２の制御部３０４又は第３の制御部３１２が先に起動する構成としてもよい。
【０１０１】
例えば、第２の制御部３０４を第１の制御部３０２及び第３の制御部３１２よりも先に起動させるためは、第１の制御部３０２及び第３の制御部３１２においてオンディレー回路を接続すればよい。このような構成の場合、切替部３３８における切替操作を行なうことなく、ホスト３１４との通信、又は異常対応を行うことが可能となる。
【０１０２】
同様に、第３の制御部３１２を第１の制御部３０２及び第２の制御部３０４よりも先に起動させるためは、第１の制御部３０２及び第２の制御部３０４においてオンディレー回路を接続すればよい。このような構成の場合、切替部３３８における切替操作を行なうことなく、第３の制御部３１２に接続されたロードポート１０５などの設定やメンテナンスを行うことが可能となる。
【０１０３】
また、上記の基板処理装置では、切替器３３８は、最初に起動した制御部の出力信号を表示部３４０に伝達し、操作部３４２では最初に起動した制御部への操作が可能な構成としたが、切替器３３８は、最後に起動した制御部の出力信号を表示部３４０に伝達し、操作部３４２では最後に起動した制御部への操作が可能な構成としてもよい。この場合、切替部３３８における切替操作を行なうことなく入出力を行いたい制御部に対して、オンディレー回路を接続し、該制御部が最後に起動するように構成すればよい。
【０１０４】
また、起動時間制御部３４４に代え、又は起動時間制御部３４４とともに、シャットダウン時間制御部を設けてもよい。シャットダウン時間制御部は、少なくとも２つ以上設けられた制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部について、シャットダウン時間を互いにずらす。例えば、シャットダウン時間制御部は、電源から入力された電気が断たれてから設定された時間経過後に出力する電気を断つ回路であるオフディレー回路から構成されており、このオフディレー回路に接続された機器のシャットダウン時機、すなわち起動状態からの終了時機を遅らせる。
【０１０５】
上位制御部と電源との間に、オフディレー回路を設けたシャットダウン時間制御部を構成することにより、下位制御部よりもシャットダウン時機を遅らせることができる。ここで、上位制御部とは、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２をいい、下位制御部とは、上位制御部の制御対象をいい、例えば、主制御部３０６、真空搬送ロボットコントローラ３０８、プロセスモジュールコントローラ３１０、大気搬送ロボット１２４、プリアライナ１０６、ロードポート１０５、ポッドオープナ１０８が下位制御部となる。また、主制御部３０６の制御対象（例えば、ガス流量コントローラ３１６など）、プロセスモジュールコントローラ３１０の制御対象（例えば、サセプタ軸コントローラ３２４）も、さらに下位の下位制御部として位置づけられる。
【０１０６】
上位制御部のシャットダウン時機を下位制御部のシャットダウン時機よりも遅くすると、下位制御部の動作履歴（ログ）を最後まで取得することができ、シャットダウン時の異常に対する対応が容易となる。
【０１０７】
また、上位制御部のうち、第１の制御部３０２に接続されたオフディレー回路の遅延時間を他のオフディレー回路に設定された遅延時間よりも長く設定することで、第１の制御部３０２のシャットダウン時機を他の制御部よりも最も遅くすることができる。この場合、第１の制御部３０２は、下位制御部のみならず、第２の制御部３０４及び第３の制御部３１２の動作履歴を最後まで取得することができる。
【０１０８】
次に、本発明の他の実施形態について説明する。上記の実施形態では、遅延回路を設けて起動順番を制御し、所望の制御部の入出力を可能にしたが、ソフトウェアによって、いずれの制御部について表示部３４０及び操作部３４２での入出力を行なうかを制御してもよい。
【０１０９】
例えば、表示部３４０及び操作部３４２により入出力する制御部を、記憶媒体に記憶された情報に基づいて選択するプログラムを用いてもよい。
【０１１０】
この場合、例えば作業者を特定する情報及び作業内容の情報を予め記憶させておいたＵＳＢキーなどの記憶媒体を、操作部３４２に設けられた記憶媒体読取口に差込んだ後に、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２を起動させ、上記プログラムの選択により、表示部３４０及び操作部３４２の入出力対象を決定する。また、表示部３４０への表示において、上記プログラムは、記憶媒体に記憶された作業内容の情報に基づいて、作業内容に沿った画面を構成して表示するよう制御してもよい。
【０１１１】
なお、上記プログラムは、記憶媒体に格納されていてもよく、また、基板処理装置に接続された他の記憶装置に格納されていてもよい。また、上記プログラムは、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２のいずれに実行されてもよく、また、基板処理装置を構成する他のコンピュータに実行されてもよい。
【０１１２】
また、次回の起動時において最初に表示部３４０及び操作部３４２により入出力する制御部を、シャットダウン時に選択するプログラムを構成してもよい。
【０１１３】
この場合、例えば、切替器３３８として、記憶部を有するＫＶＭスイッチを用い、次のように構成する。第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、又は第３の制御部３１２のシャットダウン時に、ＯＳ又はアプリケーションによって次回起動時に最初に表示部３４０及び操作部３４２により入出力する制御部を選択可能なプログラムを構成し、このプログラムは、いずれの制御部が選択されたかを示すデータをＫＶＭスイッチに出力し、ＫＶＭスイッチは、このデータを記憶する。次回起動時、ＫＶＭスイッチは、記憶されているデータに基づいて、最初に表示部３４０及び操作部３４２により入出力する制御部として、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２のいずれかの出力データを表示部３４０へ出力する。
【０１１４】
なお、プログラムは、ＫＶＭスイッチに格納されていてもよく、また、基板処理装置に接続された他の記憶装置に格納されていてもよい。また、プログラムは、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２のいずれに実行されてもよく、また、基板処理装置を構成する他のコンピュータに実行されてもよい。
【０１１５】
以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【０１１６】
本発明は、特許請求の範囲に記載した事項を特徴とするが、さらに次に記載した事項も本発明の望ましい態様として付記する。
【０１１７】
＜付記１＞
基板を処理する処理室と、
前記基板を搬送する基板搬送部と、
前記基板搬送部が設けられ、前記基板の搬送空間となる搬送室と、
前記処理室に設けられ、前記基板を加熱する加熱部と、
前記処理室を排気する排気部と、
前記処理室内にガスを供給するガス供給部と、
少なくとも前記基板搬送部と前記加熱部と前記排気部と前記ガス供給部とを制御する、少なくとも２つ以上設けられた制御部と、
前記少なくとも２つ以上設けられた制御部が出力する信号を受信して表示する表示部と、
前記表示部に設けられ、作業者が操作する操作部と、
を有する基板処理装置であって、
起動時間制御部が、前記基板処理装置の起動時に、前記少なくとも２つ以上設けられた制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部の起動を異ならせるように当該制御部に電源を投入する工程を有する基板処理装置の起動方法。
【０１１８】
＜付記２＞
基板搬送部が搬送室で基板を搬送するステップと、
前記基板搬送部が、処理室に基板を搬入するステップと、
排気部が前記処理室内を排気するステップと、
ガス供給部が前記処理室内にガスを供給するステップと、
加熱部が前記基板を加熱するステップと、
を有する本処理工程と、
少なくとも２以上の制御部が、少なくとも前記基板搬送部と前記排気部と前記ガス供給部と前記加熱部との動作を制御しつつ動作毎に信号を出力するステップと、
少なくとも１つ以上の表示部が、前記信号を受信して表示するステップと、
を有する制御工程と、
起動時間制御部が、前記少なくとも２つ以上設けられた制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部の起動時間を異ならせるように前記制御部への電源の投入時機を制御するステップと、
を有する制御部の起動工程と、
シャットダウン時間制御部が、前記少なくとも２つ以上設けられた制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部のシャットダウン時間を異ならせるように前記制御部への電源の遮断時機を制御するステップと、
を有する制御部のシャットダウン工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【０１１９】
＜付記３＞
基板搬送部が搬送室で基板を搬送するステップと、
前記基板搬送部が、処理室に基板を搬入するステップと、
排気部が前記処理室内を排気するステップと、
ガス供給部が前記処理室内にガスを供給するステップと、
加熱部が前記基板を加熱するステップと、
を有する本処理工程と、
少なくとも２以上の制御部が、少なくとも前記基板搬送部と前記排気部と前記ガス供給部と前記加熱部との動作を制御しつつ動作毎に信号を出力するステップと、
少なくとも１つ以上の表示部が、前記信号を受信して表示するステップと、
を有する制御工程と、
起動時間制御部が、前記少なくとも２つ以上設けられた制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部の起動時間を異ならせるように前記制御部への電源の投入時機を制御するステップと、
表示切替部が、前記制御部の内、最初に起動した制御部からの出力の表示を保持するステップと、
記憶部が、前記制御部への電源の投入開始から前記表示切替部が制御部からの出力を受信するまでの時間を記録するステップと、
を有する制御部の起動工程と、
シャットダウン時間制御部が、前記少なくとも２つ以上設けられた制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部のシャットダウン時間を異ならせるように前記制御部への電源の遮断時機を制御するステップと、
を有する制御部のシャットダウン工程と、
演算部が、前記記憶部が記録した時間から前記制御部の起動時間間隔を演算し、前記起動時間制御部の時間間隔に再設定するステップを有する、起動時間間隔再設定工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【０１２０】
＜付記４＞
少なくとも基板処理装置のレシピを制御する第１の制御部と、
少なくとも前記基板処理装置の異常を検知する第２の制御部と、
少なくとも前記基板処理装置と他の装置との間で行なわれる基板が格納された容器の受け渡しを制御する第３の制御部と、
前記第１の制御部、前記第２の制御部、又は前記第３の制御部の出力信号を表示する表示部と、
前記第１の制御部、前記第２の制御部、前記第３の制御部、及び前記表示部が接続され、前記第１の制御部、前記第２の制御部、又は前記第３の制御部のうちいずれの出力信号を前記表示部に表示するかを切替える切替部と
を有する基板処理装置。
【０１２１】
＜付記５＞
前記第１の制御部、前記第２の制御部、及び前記第３の制御部と電源との間に設けられたディレー回路により、前記第１の制御部、前記第２の制御部、又は前記第３の制御部のうちいずれの出力信号を前記表示部に表示するかを制御する
前記付記４に記載の基板処理装置。
【０１２２】
＜付記６＞
前記第２の制御部及び前記第３の制御部と電源との間にディレー回路を設け、前記第１の制御部を前記第２の制御部及び前記第３の制御部よりも先に起動させ、前記表示部に前記第１の制御部の出力信号を表示させる
付記５に記載の基板処理装置。
【０１２３】
＜付記７＞
基板処理装置を構成する機器を制御する、少なくとも２つ以上設けられた制御部と、
少なくとも１つ以上設けられ前記制御部の出力を表示する表示部と、
少なくとも２つ以上設けられた前記制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部の起動時間を異ならせる起動時間制御部と
を有する基板処理装置。
【０１２４】
＜付記８＞
前記制御部は、基板処理装置を構成する機器を制御する少なくとも１つ以上の下位制御部を制御する上位制御部と、基板処理装置と接続された１つ以上の統括制御部との通信を制御する通信制御部であり、
起動時間制御部は、前記上位制御部が前記通信制御部よりも先に起動するよう起動時間を制御する
付記７記載の基板処理装置。
【符号の説明】
【０１２５】
３０２ 第１の制御部
３０４ 第２の制御部
３０６ 主制御部
３０８ 真空搬送ロボットコントローラ
３１０ プロセスモジュールコントローラ
３１２ 第３の制御部
３１４ ホスト
３３８ 切替器
３４０ 表示部
３４２ 操作部
３４４ 起動時間制御部
３５０ 電源
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１は、メインコントローラとしての機能を有する統括制御コントローラと、大気ロボットなどを制御する大気ロボットコントローラと、顧客側のホストコンピュータに接続され通信を制御するＧＥＭ（Ｇｅｎｅｒｉｃ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｍｏｄｅｌ）コントローラを含む複数の制御部を有する半導体制御装置について開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−６１１３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
複数の制御部からの出力を１つの表示部で出力する場合、表示を制御することができず、制御部ごとの起動時間の相違による影響を受けてしまい、所望の制御部の出力を表示部に表示できなかった。
本発明は、表示部に接続された複数の制御部のうち、表示部に表示される表示対象を制御することができる基板処理装置、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明にかかる基板処理装置は、基板を処理する処理室と、前記基板を搬送する基板搬送部と、前記基板搬送部が設けられ、前記基板の搬送空間となる搬送室と、前記処理室に設けられ、前記基板を加熱する加熱部と、前記処理室を排気する排気部と、前記処理室内にガスを供給するガス供給部と、を有する基板処理装置であって、基板処理装置を操作する作業者が操作する操作部と、前記操作部に接続され、前記基板処理装置を制御する少なくとも２つ以上の制御部と、前記制御部が出力する信号を表示する少なくとも１つ以上の表示部と、前記基板処理装置の起動時に、前記少なくとも２つ以上の制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部の起動時間を異ならせるように前記制御部への電源の投入時機を制御する起動時間制御部と、を有する。
【０００６】
好適には、前記制御部は、少なくとも基板処理装置のレシピを制御する第１の制御部と、少なくとも前記基板処理装置の異常を検知する第２の制御部であり、前記起動時間制御部は、前記第２の制御部よりも前記第１の制御部を先に起動させる。
【０００７】
また、本発明にかかる半導体装置の製造方法は、基板搬送部が搬送室で基板を搬送するステップと、前記基板搬送部が、処理室に基板を搬入するステップと、排気部が前記処理室内を排気するステップと、ガス供給部が前記処理室内にガスを供給するステップと、加熱部が前記基板を加熱するステップと、を有する本処理工程と、少なくとも２以上の制御部が、少なくとも前記基板搬送部と前記排気部と前記ガス供給部と前記加熱部との動作を制御しつつ動作毎に信号を出力するステップと、少なくとも１つ以上の表示部が、前記信号を受信して表示するステップと、を有する制御工程と、起動時間制御部が、前記少なくとも２つ以上設けられた制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部の起動時間を異ならせるように前記制御部への電源の投入時機を制御するステップと、を有する制御部の起動工程と、を有する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明は、表示部に接続された複数の制御部のうちいずれの制御部の出力を表示するかを制御でき、本構成を有していない場合と比べ、基板処理作業の作業効率を上げることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成例を示す平面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成例を示す側面断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る処理室の構成例を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るコントローラの構成を示すブロック図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る起動時間制御部の構成を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（１）基板処理装置の構成
本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概要構成を、図面を用いて説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成例を示す平面図であり、図２は、側面断面図である。
【００１１】
図１および図２において、本発明が適用される基板処理装置においては、基板を搬送するキャリアとしては、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）として構成されたポッド１００が使用されている。ポッド１００内には、未処理の基板や処理済の基板がそれぞれ水平姿勢で複数格納されるように構成されている。
また、以下の説明において、前後左右は、Ｘ１方向が右、Ｘ２方向が左、Ｙ１方向が前、Ｙ２方向が後とする。
【００１２】
図１および図２に示されているように、基板処理装置は真空搬送室（トランスファモジュール）１０３を備えている。真空搬送室１０３は真空状態等の大気圧未満の圧力（負圧）に耐え得る構造に構成されている。また、真空搬送室１０３はアルミニウムで形成されている。
真空搬送室１０３には負圧下で基板２００を移載する真空搬送ロボット１１２が設置されている。
【００１３】
真空搬送ロボット１１２はフランジ１１５によって、真空搬送室１０３に固定されている。フランジ１１５は、アルミニウムで形成されている。真空搬送ロボット１１２はエレベータ１１６およびフランジ１１５によって真空搬送室１０３の機密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。
また、真空搬送ロボット１１２に設けられたアーム１１２ａを未処理基板２００のみを搬送する専用アームとし、アーム１１２ｂを処理済基板２００のみを搬送する専用アームとしても良い。アーム１１２ａ，１１２ｂをそれぞれ、専用のアームとすることによって、処理済基板２００から微粒子が発生したとしても、微粒子が未処理基板２００に付着することを防止することができる。また、未処理基板２００から微粒子が発生したとしても、微粒子が処理済基板２００に付着することを防止することができる。すなわち、処理済基板２００から未処理基板２００への汚染（コンタミネーション）と未処理基板２００から処理済基板２００への汚染を抑制することが可能となる。但し、本発明は、上述の形態に限定されず、アーム１１２ａ及び１１２ｂを未処理基板及び処理済み基板のいずれであっても搬送可能な非専用アームとしてもよい。
【００１４】
筐体１０１の六枚の側壁のうち前側に位置する二枚の側壁には、搬入用の予備室（ロードロックモジュール）１２２と、搬出用の予備室（ロードロックモジュール）１２３とがそれぞれゲートバルブ１６０，１６５を介して連結されており、それぞれ負圧に耐え得る構造に構成されている。
さらに、予備室１２２には搬入室用の基板載置台１５０が設置され、予備室１２３には搬出室用の基板載置台１５１が設置されている。
【００１５】
予備室１２２および予備室１２３の前側には、大気搬送室（フロントエンドモジュール）１２１がゲートバルブ１２８，１２９を介して連結されている。大気搬送室１２１は略大気圧下で用いられる。
大気搬送室１２１には基板２００を移載する大気搬送ロボット１２４が設置されている。図２に示されているように、大気搬送ロボット１２４は大気搬送室１２１に設置されたエレベータ１２６によって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ１３２によって左右方向に往復移動されるように構成されている。
【００１６】
図２に示されているように、大気搬送室１２１の上部にはクリーンエアを供給するクリーンユニット１１８が設置されている。
図１に示されているように、大気搬送室１２１の左側には基板２００に形成されているノッチまたはオリエンテーションフラットを合わせる装置（以下、プリアライナという）１０６が設置されている。
【００１７】
図１および図２に示されているように、大気搬送室１２１の筐体１２５の前側には、基板２００を大気搬送室１２１に対して搬入搬出するための基板搬入搬出口１３４と、ポッドオープナ１０８が設置されている。基板搬入搬出口１３４を挟んでポッドオープナ１０８と反対側、すなわち筐体１２５の外側にはＩＯステージ（ロードポート）１０５が設置されている。
ポッドオープナ１０８はポッド１００のキャップ１００ａを開閉すると共に、基板搬入搬出口１３４を閉塞可能なクロージャ１４２とクロージャ１４２を駆動する駆動機構１０９とを備えている。ポッドオープナ１０８はＩＯステージ１０５に載置されたポッド１００のキャップ１００ａを開閉することにより、ポッド１００に対する基板２００の出し入れを可能とする。
ポッド１００は図示しない工程内搬送装置（ＲＧＶ）によって、ＩＯステージ１０５に対して、供給および排出される。
【００１８】
図１に示されているように、筐体１０１の六枚の側壁のうち後側（背面側）に位置する二枚の側壁には、基板に所望の処理を行う第二処理室（プロセスモジュール）１３８と第三処理室（プロセスモジュール）１３９とが、ゲートバルブ１６２、１６３を介してそれぞれ隣接して連結されている。第二処理室１３８および第三処理室１３９はいずれもコールドウォール式の処理室によって構成されている。
筐体１０１における六枚の側壁のうちの残りの互いに対向する二枚の側壁には、第一処理室（プロセスモジュール）１３７と、第四処理室（プロセスモジュール）１４０とが、ゲートバルブ１６１，１６４を介してそれぞれ連結されている。第一処理室１３７および第四処理室１４０もいずれもコールドウォール式の処理室によって構成されている。
【００１９】
（２）処理室の構成
次に、本発明の一実施形態に係る各処理室１３７〜１４０の構成及び動作について図３
を用いて説明する。
【００２０】
図３は、各処理室１３７〜１４０として用いられるＭＭＴ装置の断面構成図である。ＭＭＴ装置とは、電界と磁界とにより高密度プラズマを発生できる変形マグネトロン型プラズマ源（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ Ｔｙｐｅｄ Ｐｌａｓｍａ Ｓｏｕｒｃｅ）を用い、例えばシリコン基板等の基板２００を処理する装置である。
【００２１】
ＭＭＴ装置は、基板２００をプラズマ処理する処理炉２０２を備えている。そして、処理炉２０２は、処理室２０１を構成する処理容器２０３と、サセプタ２１７と、ゲートバルブ１６１と、シャワーヘッド２３６と、ガス排気口２３５と、筒状電極２１５、上部磁石２１６ａ、下部電極２１６ｂと、を備えている。
【００２２】
処理室２０１を構成する処理容器２０３は、第一の容器であるドーム型の上側容器２１０と、第二の容器である碗型の下部容器２１１と、を備えている。そして、上側容器２１０が下側容器２１１の上に被せられることにより処理室２０１が形成される。上側容器２１０は例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）又は石英（ＳｉＯ２）等の非金属材料で形成されており、下側容器２１１は例えばアルミニウム（Ａｌ）で形成されている。
【００２３】
処理容器２０３の上面には後述する光透過性窓部２７８が配設され、この光透過性窓部２７８に対応する反応容器２０３外側にランプ加熱装置（光源）２８０が設けられている。ランプ加熱装置２８０は、基板２００を加熱可能なように構成されている。
【００２４】
処理室２０１内の底側中央には、基板２００を支持するサセプタ２１７が配置されている。サセプタ２１７は、シリコン基板１００上に形成された膜の金属汚染を低減することが出来るように、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、セラミックス、石英等の非金属材料で形成されている。
【００２５】
サセプタ２１７内の内部には、加熱機構としてのヒータ２１７ｂが一体的に埋め込まれており基板２００を加熱できるようになっている。ヒータ２１７ｂに電力が供給されると、基板２００表面を例えば２００℃〜７５０℃程度にまで加熱できるようになっている。
【００２６】
主に、サセプタ２１７及びヒータ２１７ｂにより、本実施形態に係る基板支持部が形成されている。
【００２７】
サセプタ２１７は、下側容器２１１とは電気的に絶縁されている。サセプタ２１７の内部には、インピーダンスを変化させる電極としての第二の電極２１７ｃが装備されている。この第二の電極２１７ｃは、インピーダンス可変機構２７４を介して設置されている。インピーダンス可変機構２７４は、コイルや可変コンデンサを備えており、コイルのパターン数や可変コンデンサの容量値を制御することにより、第二の電極２１７ｃ及びサセプタ２１７を介して基板２００の電位を制御できるようになっている。
【００２８】
サセプタ２１７には、サセプタ２１７を昇降させるサセプタ昇降機構２６８が設けられている。サセプタ２１７には、貫通孔２１７ａが設けられている。上述の下側容器２１１底面には、基板２００を突き上げる基板突き上げピン２６６が少なくとも３箇所設けられている。そして、貫通孔２１７ａ及び基板突き上げピン２６６はサセプタ昇降機構２６８によりサセプタ２１７が下降させられた時に基板突き上げピン２６６がサセプタ２１７とは非接触な状態で貫通孔２１７ａを突き抜けるように、互いに配置されている。
【００２９】
下側容器２１１の側壁には、仕切弁としてのゲートバルブ１６１が設けられている。ゲートバルブ１６１が開いている時には、搬送ロボット１１２を用いて処理室２０１内へ基板２００を搬入し、または処理室２０１外側へと基板２００を搬出することができるようになっている。ゲートバルブ１６１を閉めることにより、処理室２０１内を気密に閉塞することができるようになっている。
【００３０】
処理室２０１の上部には、処理室２０１内へガスを供給するシャワーヘッド２３６が設けられている。シャワーヘッド２３６は、キャップ上の蓋体２３３と、ガス導入口２３４と、バッファ室２３７と、開口２３８と、遮蔽プレート２４０と、ガス吹出口２３９とを備えている。
【００３１】
ガス導入口２３４には、バッファ室２３７内へガスを供給するガス供給管２３２の下流端が、封止部材としてのＯリング２０３ｂを介して接続されている。バッファ室２３７は、ガス導入口２３４より導入されるガスを分散する分散空間として機能する。
【００３２】
ガス供給管２３２の上流側には、窒素原子含有ガスとしてのＮ２ガスを供給する窒素ガス供給管２３２ａの下流側と、水素原子含有ガスとしてのＨ２ガスを供給する水素ガス供給管２３２ｂの下流端と、希釈ガスとしての例えばヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）等の希ガスを供給する希ガス供給間２３２ｃの下流端と、が合流するように接続されている。
【００３３】
窒素ガス供給管２３２ａには、窒素ガスボンベ２５０ａ、流量制御装置としてのマスフローコントローラ２５１ａ、開閉弁であるバルブ２５２ａが上流から順に接続されている。水素ガス供給管２３２ｂには、水素ガスボンベ２５０ｂ、流量制御装置としてのマスフローコントローラ２５１ｂ、開閉弁であるバルブ２５２ｂが上流から順に接続されている。希ガス供給管２３２ｃには、希ガスボンベ２５０ｃ、流量制御装置としてのマスフローコントローラ２５１ｃ、開閉弁であるバルブ２５２ｃが上流から順に接続されている。
【００３４】
主に、ガス供給管２３４、窒素ガス供給管２３２ａ、水素ガス供給管２３２ｂ、希ガス供給管２３２ｃ、窒素ガスボンベ２５０ａ、水素ガスボンベ２５０ｂ、希ガスボンベ２５０ｃ、マスフローコントローラ２５１ａ〜２５２ｃ、及びバルブ２５２ａ〜２５２ｃにより、本実施形態に係るガス供給部が構成される。ガス供給管２３２、窒素ガス供給管２３２ａ、水素ガス供給管２３２ｂ、希ガス供給管２３２ｃは、例えば石英、酸化アルミニウム等の非金属材料及びＳＵＳ等の金属材料等により構成されている。これらのバルブ２５２ａ〜２５２ｃを開閉させることにより、マスフローコントローラ２５１ａ〜２５２ｃにより流量制御しながら、バッファ室２３７を介して処理室２０１内にＮ２ガス、Ｈ２ガス、希ガスを自在に供給できるように構成されている。
【００３５】
なお、ここではＮ２ガス、Ｈ２ガス、希ガス毎にガスボンベを設ける場合について説明したが、本発明は係る形態に限定されるものではなく、窒素ガスボンベ２５０ａ、水素ガスボンベ２５０ｂに代えて、酸素（Ｏ２）ガスボンベを設けてもよい。また、処理室２０１内に供給する反応ガス中の窒素の割合を多くする場合には、ＮＨ３ガスボンベを更に設け、Ｎ２ガスにＮＨ３ガスを添加してもよい。
【００３６】
下側容器２１１の側壁下方には、処理室２０１内から反応ガス等を排気するガス排気口２３５が設けられている。ガス排気口２３５には、ガスを排気するガス排気管２３１の上流端が接続されている。ガス排気管２３１には、圧力調整器であるＡＰＣ２４２、開閉弁であるバルブ２４３ｂ、排気装置である真空ポンプ２４６が、上流から順に設けられている。主に、ガス排気口２３５、ガス排気管２３１、ＡＰＣ２４２、バルブ２４３ｂ、真空ポンプ２４６により、本実施形態に係るガス排気部が構成されている。真空ポンプ２４６を作動させ、バルブ２４３ｂを開けることにより、処理室２０１内を排気することが可能なように構成されている。また、ＡＰＣ２４２の開度を調整することにより、処理室２０１内の圧力値を調整できるように構成されている。
【００３７】
処理容器２０３（上側容器２１０）の外周には、処理室２０１内のプラズマ生成領域２２４を囲うように、第１の電極２１５が設けられている。第一の電極２１５は、筒状、例えば円筒状に形成されている。第一の電極２１５は、インピーダンスの整合を行う整合器２７２を介して、高周波電力を発生する高周波電源２７３に接続されている。第一の電極２１５は、処理室２０１内に供給されるガスを励起させてプラズマを発生させる放電機構として機能する。
【００３８】
第一の電極２１５の外側表面の上下端部には、上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂがそれぞれ取り付けられている。上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂは、それぞれ筒状、例えばリング状に形成された永久磁石として構成されている。
【００３９】
上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂは、処理室２０１の半径方向に沿った両端（すなわち、各磁石の内周端と外周端）にそれぞれ磁極を有している。上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂの磁極の向きは、互いに逆向きになるよう配置されている。すなわち、上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂの内周部の磁極同士は異極となっている。これにより、筒状電極２１５の内側表面に沿って、円筒軸方向の磁力線が形成されている。
【００４０】
主に、第一の電極２１５、整合器２７２、高周波電源２７３、上部磁石２１６ａ、下部磁石２１６ｂにより、本実施形態に係るプラズマ生成部が構成されている。処理室２０１内にＮ２ガスとＨ２ガスとの混合ガスを導入した後、第一の電極２１５に高周波電力を供給して電界を形成するとともに、上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂを用いて磁界を形成することにより、処理室２０１内にマグネトロン放電プラズマが生成される。この際、放出された電子を上述の電磁界が周回運動させることにより、プラズマの電離生成率が高まり、長寿命の高密度プラズマを生成させることができる。
【００４１】
なお、第一の電極２１５、上部磁石２１６ａ、及び下部磁石２１６ｂの周囲には、これらが形成する電磁界が外部環境や他処理炉等の装置に悪影響を及ぼさないように、電磁界を有効に遮蔽する金属製の遮蔽板２２３が設けられている。
【００４２】
（３）コントローラの構成
次に、本発明の一実施形態に係るコントローラの構成について、説明する。図４は、本発明の一実施形態に係るコントローラの構成を示すブロック図である。
【００４３】
図４に示すように、基板処理装置を制御するコントローラとしてのコントローラ３００は、ＯＵ（Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ Ｕｎｉｔ）３０２、ＧＥＭ（Ｇｅｎｅｒｉｃ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｍｏｄｅｌ）３０４、主制御部（ＣＣ：Ｃｌｕｓｔｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）３０６、真空搬送ロボットコントローラ３０８、プロセスモジュールコントローラ（ＰＭＣ）３１０、及びＥＦＥＭ−ＰＣ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｆｒｏｎｔ Ｅｎｄ Ｍｏｄｕｌｅ−ＰＣ）３１２から構成されている。
以下、ＯＵ３０２を第１の制御部３０２と、ＧＥＭ３０４を第２の制御部３０４と、ＥＦＥＭ−ＰＣ３１２を第３の制御部３１２という。
【００４４】
第１の制御部３０２は、図１に示すように筐体１２５内のプリアライナ１０６の下部に設置されている。第１の制御部３０２は、基板処理装置におけるプロセスレシピの制御を行うコンピュータであり、例えば、プロセスレシピを管理する作業者により操作される。
【００４５】
第１の制御部３０２は、半導体製造工場内に設けられているホスト（統括制御部）３１４とＬＡＮによる接続がされている。また、第１の制御部３０２は、下位制御部である、主制御部３０６、真空搬送ロボットコントローラ３０８、及びプロセスモジュールコントローラ３１０とＬＡＮによる接続がされており、上位制御部として機能する。なお、ホスト３１４は、例えば基板処理装置の管理を行ない、複数設けられていてもよい。
【００４６】
第２の制御部３０４は、第１の制御部３０２と同様、図１に示すように筐体１２５内のプリアライナ１０６の下部に設置されている。第２の制御部３０４は、基板処理装置とホスト３１４との通信を制御するコンピュータであり、ロット処理の開始タイミング及び終了タイミングなどの通信を制御する。なお、通式方式としては、例えばＳＥＭＩ規格を用いている。
また、第２の制御部３０４は、基板処理装置の異常対応用のコンピュータとしても機能し、基板処理装置の異常を検知する機能も有する。なお、第２の制御部３０４は、基板処理装置の異常対応では、例えば、基板処理装置の操作者又はサポートエンジニアなどにより操作される。
【００４７】
第１の制御部３０２と同様、第２の制御部３０４は、ホスト３１４とＬＡＮによる接続がされている。また、第２の制御部３０２は、下位制御部である、主制御部３０６、真空搬送ロボットコントローラ３０８、及びプロセスモジュールコントローラ３１０とＬＡＮによる接続がされており、上位制御部として機能する。
【００４８】
主制御部３０６は、図２に示すように真空搬送室１０３の下部に設置されている。主制御部３０６は、後述する第３の制御部３１２、ガス流量コントローラ３１６、圧力コントローラ３１８、ＰＬＣ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）３２０、ゲートバルブコントローラ３２２を制御する。
【００４９】
ガス流量コントローラ３１６は、例えば図２に示す信号線Ｆを通じてクリーンユニット１１８を制御する。
【００５０】
圧力コントローラ３１８は、真空搬送室１０３，予備室１２２，１２３に設けられた図示しない排気部を制御する。
【００５１】
ゲートバルブコントローラ３２２は、例えば図１に示す信号線Ｃ及び図３に示す信号線Ｉを通じて、ゲートバルブ１２８，１２９，１６０，１６１，１６２，１６３，１６４，１６５を制御する。
【００５２】
ＰＬＣ３２０は、ガス流量コントローラ３１６、圧力コントローラ３１８、ゲートバルブコントローラ３２２の各コントローラの動作状態を監視し、各コントローラへ命令を送信する。
【００５３】
真空搬送ロボットコントローラ３０８は、主制御部３０６と同様、図２に示すように真空搬送室１０３の下部に設置されている。真空搬送ロボットコントローラ３０８は、例えば図２に示す信号線Ａを通じて真空搬送ロボット１１２を制御する。
【００５４】
プロセスモジュールコントローラ３１０は、プロセスモジュール毎に設けられ、例えば図２に示すように処理室（プロセスモジュール）の下部に設置されている。プロセスモジュールコントローラ３１０は、サセプタ軸コントローラ３２４、ガス流量コントローラ３２６、ヒータ制御コントローラ３２８、圧力コントローラ３３０、ＰＬＣ３３２、ランプコントローラ３３４、プラズマ生成コントローラ３３６を制御する。
【００５５】
サセプタ軸コントローラ３２４は、例えば図３に示す信号線Ｈを通じてサセプタ２１７の上下動作を制御する。
【００５６】
ガス流量コントローラ３２６は、例えば図３に示す信号線Ｋを通じて上述のガス供給部を制御する。
【００５７】
ヒータ制御コントローラ３２８は、例えば図３に示す信号線Ｈを通じてサセプタ２１７に設けられた抵抗加熱ヒータ２１７ｂを制御する。
【００５８】
圧力コントローラ３３０は、例えば図３に示す信号線Ｇを通じて上述のガス排気部を制御する。
【００５９】
ランプコントローラ３３４は、例えば図３に示す信号線Ｌを通じてランプ加熱装置２８０を制御する。
【００６０】
プラズマ生成コントローラ３３６、例えば図３に示す信号線Ｊを通じて上述のプラズマ生成部を制御する。
【００６１】
ＰＬＣ３３２は、サセプタ軸コントローラ３２４、ガス流量コントローラ３２６、ヒータ制御コントローラ３２８、圧力コントローラ３３０、ランプコントローラ３３４、プラズマ生成コントローラ３３６の各コントローラの動作状態を監視し、各コントローラへ命令を送信する。
【００６２】
第３の制御部３１２は、第１の制御部３０２及び第２の制御部３０４と同様、図１に示すように筐体１２５内のプリアライナ１０６の下部に設置されている。第３の制御部３１２は、半導体製造工場において、各工程の製造装置間でのポッド１００の受け渡しを制御するコンピュータであり、大気搬送ロボット１２４などの制御を行なう。第３の制御部３１２は、第１の制御部３０２とＬＡＮによる接続がされており、大気搬送ロボット１２４、プリアライナ１０６、ロードポート１０５、ポッドオープナ１０８、及び図示しない搬送装置（ＧＶ）などを制御する。
【００６３】
第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２は、切替器３３８を介して、図１に示すように大気搬送室１２１の筐体１２５の前側に設置された表示部３４０及び操作部３４２と入出力インタフェースにより接続されている。
【００６４】
切替器３３８は、例えば、ＫＶＭスイッチ（Ｋｅｙｂｏａｒｄ／Ｖｉｄｅｏ／Ｍｏｕｓｅスイッチ）であり、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、又は第３の制御部３１２のうち、最初に起動した制御部の出力信号を表示部３４０に伝達し、操作部３４２では最初に起動した制御部への操作が可能な構成となっている。また、切替器３３８に設けられたスイッチを選択することにより、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、又は第３の制御部３１２のいずれかの入出力を選択することが可能に構成されている。なお、切替器３３８は、例えば表示部３４０及び操作部３４２と隣接して設置されている。
【００６５】
表示部３４０は、例えばモニタであり、切替器３３８により選択された第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、又は第３の制御部３１２のいずれかの出力を表示する。例えば、表示部３４０は、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、又は第３の制御部３１２のいずれかのうちいずれかの制御部が制御する制御対象の動作毎に制御部が出力する信号を表示する。
【００６６】
操作部３４２は、例えばマウス、キーボード、タッチパネル、ＵＳＢポートなどの記憶媒体読取口等の少なくともいずれかから構成されており、切替器３３８により選択された第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、又は第３の制御部３１２のいずれかへの操作が可能に構成されている。
【００６７】
また、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２は、それぞれ、図４において点線で示した電力ケーブルにより起動時間制御部３４４と接続されており、後述の電源からの電気が起動時間制御部３４４を介して供給されることにより起動する。
【００６８】
なお、コントローラ３００を構成する各機器、切替器３３８、表示部３４０、及び操作部３４２の設置箇所は上記に限られず、適宜変更しても構わない。
【００６９】
（４）起動時間制御部の構成
起動時間制御部３４４は、操作部３４２に接続された少なくとも２つ以上の制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部について、起動時間を互いにずらす。
図５は、本実施形態に係る起動時間制御部３４４の構成を示す回路図である。
起動時間制御部３４４は、電源３５０から第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、又は第３の制御部３１２への電源の投入時機（通電開始時機）を制御し、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２の起動時間を制御する。
【００７０】
図５に示すように、起動時間制御部３４４は、オンディレー回路（遅延回路）３４６及び３４８から構成されている。オンディレー回路３４６は、電源３５０と第２の制御部３０４との間に設けられており、電源３５０からの電気の供給が開始されてから設定された遅延時間の経過後（例えば、５秒後）に、第２の制御部３０４に対して電気を供給する。第２の制御部３０４を構成するコンピュータは、電気が供給されると起動する。
【００７１】
オンディレー回路３４８は、電源３５０と第３の制御部３１２との間に設けられており、電源３５０からの電気の供給が開始されてから設定された遅延時間の経過後（例えば、５秒後）に、第３の制御部３１２に対して電気を供給する。第３の制御部３１２を構成するコンピュータは、電気が供給されると起動する。
なお、第２の制御部３０４と第３の制御部３１２とは、同時に起動してもよいが、上記の設定された時間として異なる時間を設定し、異なる時間に起動してもよい。
【００７２】
一方、第１の制御部３０２と電源３５０との間には、オンディレー回路は設けられておらず、電源３５０からの電気の供給が開始されると、オンディレー回路による遅延が発生することなく、第１の制御部３０２に電気が供給され、第１の制御部３０２を構成するコンピュータが起動する。
【００７３】
なお、遅延時間は、第１の制御部３０２が、第２の制御部３０４及び第３の制御部３１２よりも先に起動する時間として、実験的に決めてもよいし、他の方法により算出してもよい。
【００７４】
例えば、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２の各制御部の前回の起動に要した時間（電源の投入時機から切替部３３８が出力信号を受信するまでの時間）を記憶部に記録し、記録した時間から次回の起動に要する時間を予測する演算をし、予測結果をオンディレー回路に設定又は再設定するプログラムを設けてもよい。また、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、又は第３の制御部３１２の各制御部のシャットダウン時間から、起動時間を予測し、オンディレー回路の設定を更新するプログラムを設けてもよい。
【００７５】
このようなプログラムを設けることで、例えば、基板処理装置の構成の変更、各制御部の構成の変更、基板処理装置の繰り返しの使用によるコンピュータ動作速度の低下、アプリケーションのインストール等による起動時間の変更、又はエラーによる動作不良などにより、各制御部の起動時間が変更されても、自動的に遅延時間の設定がなさ、起動順番を維持することが可能となる。なお、上述のプログラムは、基板処理装置に設けられた記憶部を有するコンピュータにより実行されてもよい。
【００７６】
以上、説明したとおり、電源３５０からの電気の供給が開始されると、まず第１の制御部３０２が起動し、その後、設定された時間が経過すると、第２の制御部３０４及び第３の制御部３１２が起動する。また、切替部３３８は、最初に起動した第１の制御部の出力信号を表示部３４０に出力し、表示部３４０及び操作部３４２による第１の制御部への入出力操作が可能となる。なお、第２の制御部３０４又は第３の制御部３１２の起動後は、切替器３３８に設けられたスイッチを選択することにより、第２の制御部３０４又は第３の制御部３１２のいずれかへの入出力操作が可能となる。
【００７７】
（５）基板処理工程
以下、前記構成をもつ基板処理装置を使用して、半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として基板を処理する処理工程について説明する。なお、以下の説明おいて、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ３００により制御される。
【００７８】
基板処理装置の起動において、電源３５０からの電気の供給が開始されると、起動時間制御部３４４は、第２の制御部３０４及び第３の制御部３１２への通電開始を遅延させる。起動時間制御部３４４による制御により、まず第１の制御部３０２が起動し、第１の制御部の出力信号が表示部３４０に出力され、表示部３４０及び操作部３４２による第１の制御部への入出力操作が可能となる。その後、第２の制御部３０４及び第３の制御部３１２が起動する。
【００７９】
作業者は、表示部３４０及び操作部３４２を用いて、第１の制御部３０２への操作（例えば、プロセスレシピの調整など）を行い、基板処理を開始する指示を操作部３４２から第１の制御部３０２へと行なう。
【００８０】
以下、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２が起動した状態で行なわれる処理工程の流れを説明する。
【００８１】
２５枚の未処理基板２００がポッド１００に収納された状態で、処理工程を実施する基板処理装置へ工程内搬送装置によって搬送されて来る。
図１及び図２に示されているように、搬送されて来たポッド１００はＩＯステージ１０５の上に工程内搬送装置から受け渡されて載置される。
ポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって取り外され、ポッド１００の基板出し入れ口が開放される。
【００８２】
ポッド１００がポッドオープナ１０８により開放されると、大気搬送室１２１に設置された大気搬送ロボット１２４はポッド１００から基板２００をピックアップして予備室１２２に搬入し、基板２００を基板載置台１５０に移載する。この移載作業中には、予備室１２２の真空搬送室１０３側のゲートバルブ１６０は閉じられており、真空搬送室１０３内の負圧は維持されている。
ポッド１００に収納された所定枚数、例えば２５枚の基板２００の基板載置台１５０への移載が完了すると、ゲートバルブ１２８が閉じられ、予備室１２２内が排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。
【００８３】
予備室１２２内が予め設定された圧力値となると、ゲートバルブ１６０が開かれ、予備室１２２と真空搬送室１０３とが連通される。
続いて、真空搬送ロボット１１２は基板載置台１５０から基板２００をピックアップして真空搬送室１０３に搬入する。
ゲートバルブ１６０が閉じられた後に、ゲートバルブ１６１が開かれて、真空搬送室１０３と第一処理室１３７とが連通される。
続いて、真空搬送ロボット１１２は、基板２００を真空搬送室１０３から第一処理室１３７へ搬入して、第一処理室１３７内の基板支持部２１７に移載する。
ゲートバルブ１６１が閉じられた後、第一処理室１３７で所望の熱処理を伴う基板処理が施される。
【００８４】
ここで、基板の処理室への搬入、熱処理を伴う基板処理、基板を処理室から搬出する動作について図３を用いて説明する。
【００８５】
最初、サセプタ２１７は下降しており、基板突上げピン２６６の先端がサセプタ２１７の貫通孔２１７ａを通してサセプタ２１７の表面より所定の高さ分だけ突き出た状態にある。まず、下側容器２１１に設けられたゲートバルブ１６１を開く。次に、真空搬送ロボット１１２によって基板２００を基板突上げピン２６６の先端に載置する。その後、真空搬送ロボット１１２を処理室２０１外へ退避させる。次に、ゲートバルブ１６１を閉め、サセプタ２１７をサセプタ昇降機構２６８により上昇させる。その結果、基板２００がサセプタ２１７表面に載置される。サセプタ２１７上に載置された基板２００を処理する位置まで上昇させる。
【００８６】
サセプタ２１７に埋め込まれた抵抗加熱ヒータ２１７ｂは予め加熱されている。基板２００は、抵抗加熱ヒータ２１７ｂによって室温から７００℃の範囲内で基板処理温度に加熱される。真空ポンプ２４６及びＡＰＣバルブ２４２を用いて処理室２０１の圧力を０．１〜３００Ｐａの範囲内に維持する。
【００８７】
基板２００を基板処理温度に加熱した後、ガス導入口２３４からシャワープレート２４０のガス噴出孔２３４ａを介して、処理ガスを処理室２０１に配置されている基板２００の表面（処理面）に向けてシャワー状に供給する。同時に筒状電極２１５に高周波電源２７３から整合器２７２を介して高周波電力を供給する。供給する電力は、例えば１００〜１０００Ｗの範囲内とし、例えば８００Ｗである。なお、インピーダンス可変機構２７４は予め所望のインピーダンス値に設定されている。
【００８８】
筒状磁石２１６ａ、２１６ｂの磁界によってマグネトロン放電が発生し、基板２００の上方空間に電荷がトラップされてプラズマ生成領域２２４に高密度プラズマが生成される。この高密度プラズマによって、サセプタ２１７上の基板２００の表面に酸化膜や窒化膜を形成したり、薄膜を形成したり、エッチングしたりする等のプラズマ処理が施される。処理が終わった基板２００は、搬送手段によって、基板２００の搬入と逆の動作で処理室２０１外へ搬送される。
【００８９】
なお、コントローラ３００は、高周波電源２７３の電力ＯＮ・ＯＦＦ、整合器２７２の調整、バルブ２４３ａの開閉、マスフローコントローラ２５１ａ〜２５１ｃの流量、ＡＰＣバルブ２４２の弁開度、バルブ２４３ｂの開閉、真空ポンプ２４６の起動・停止、サセプタ昇降機構２６８の昇降動作、ゲートバルブ１６１の開閉、サセプタに埋め込まれた抵抗加熱ヒータ２１７ｂに高周波等の電力を供給する高周波電源のＯＮ・ＯＦＦを制御している。
【００９０】
ところで、上述した構成の処理炉では、サセプタ２１７に埋めこまれている抵抗加熱ヒータ２１７ｂによって基板２００を加熱できる温度は、高々７００℃程度である。このため、抵抗加熱ヒータ２１７ｂだけでは、７００℃を超える処理温度を必要とする基板処理は困難である。
【００９１】
そこで、７００℃を超える処理温度を必要とする基板処理を行うために、基板加熱体として抵抗加熱ヒータ２１７ｂの他に、さらに赤外光を発する光源（ランプヒータ）２８０を補助ヒータとして処理炉に加えるようにしている。
【００９２】
第一処理室１３７での基板２００に対する基板処理が完了すると、基板２００の冷却が終わらない内に、ゲートバルブ１６１が開かれて処理済みの基板２００は真空搬送ロボット１１２によって真空搬送室１０３に搬出される。搬出後、ゲートバルブ１６１は閉じられる。
【００９３】
真空搬送ロボット１１２は第一処理室１３７から搬出した処理済の基板２００を予備室１２３へ搬送する。基板載置台１５１に移載した後に、予備室１２３はゲートバルブ１６５によって閉じられる。
【００９４】
以上の作動が繰り返されることにより、予備室１２２内に搬入された所定枚数、例えば２５枚の基板２００が順次処理されて行く。
【００９５】
予備室１２２内に搬入された全ての基板２００に対する基板処理が終了し、全ての処理済み基板２００が予備室１２３に収納され、予備室１２３がゲートバルブ１６５によって閉じられると、予備室１２３内が不活性ガスにより略大気圧に戻される。
予備室１２３内が略大気圧に戻されると、ゲートバルブ１２９が開かれ、ＩＯステージ１０５に載置された空のポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって開かれる。
続いて、大気搬送室１２１の大気搬送ロボット１２４は基板載置台１５１から基板２００をピックアップして大気搬送室１２１に搬出し、大気搬送室１２１の基板搬入搬出口１３４を通して大気搬送室１２１に搬出し、大気搬送室１２１の基板搬入搬出口１３４を通してポッド１００に収納して行く。
２５枚の処理済み基板２００のポッド１００への収納が完了すると、ポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって閉じられる。閉じられたポッド１００はＩＯステージ１０５の上から次の工程へ工程内搬送装置によって搬送されて行く。
【００９６】
以上の動作は第一処理室１３７が使用される場合を例にして説明したが、第二処理室１３８、第三処理室１３９および第四処理室１４０が使用される場合についても同様の作動が実施される。
また、前述の基板処理装置では、予備室１２２を搬入用、予備室１２３を搬出用としたが、予備室１２３を搬入用、予備室１２２を搬出用としてもよい。
【００９７】
また、第一処理室１３７、第二処理室１３８、第三処理室１３９、第四処理室１４０では、それぞれ同じ処理を行ってもよいし、別の処理を行ってもよい。第一処理室１３７、第二処理室１３８、第三処理室１３９、第四処理室１４０で別の処理を行う場合、例えば第一処理室１３７で基板２００にある処理を行った後、続けて第二処理室１３７で別の処理を行わせてもよい。また、第一処理室１３７で基板２００に処理を行った後に、第二処理室１３８で別の処理を行い、その後、第三処理室１３９や第四処理室１４０で、更に別の処理を行わせるようにしてもよい。
【００９８】
上記の基板処理装置では、基板処理作業において作業者が使用するコンピュータである第１の制御部に対しての入出力操作が可能となり、作業者は切替器３３８で入出力を切り替える必要がなく、作業性が向上する。
【００９９】
また、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２の起動タイミングをずらすことが可能となり、基板処理装置全体の起動時の消費電力のピークを小さくすることが可能となる。さらに、従来の基板処理装置では、起動時の起動タイミングを制御しておらず、基板処理装置各部の起動が重なり、突入電流の集中によって、電源部や配線などに負荷がかかり、電源部や配線の寿命が短くなることがあったが、上記の基板処理装置では、起動タイミングがずれ、突入電流を減少させることができる。
【０１００】
上記の基板処理装置では、第１の制御部３０２が、第２の制御部３０４及び第３の制御部３１２よりも先に起動するため、第２の制御部３０４及び第３の制御部３１２においてオンディレー回路を接続する構成を示したが、第２の制御部３０４又は第３の制御部３１２が先に起動する構成としてもよい。
【０１０１】
例えば、第２の制御部３０４を第１の制御部３０２及び第３の制御部３１２よりも先に起動させるためは、第１の制御部３０２及び第３の制御部３１２においてオンディレー回路を接続すればよい。このような構成の場合、切替部３３８における切替操作を行なうことなく、ホスト３１４との通信、又は異常対応を行うことが可能となる。
【０１０２】
同様に、第３の制御部３１２を第１の制御部３０２及び第２の制御部３０４よりも先に起動させるためは、第１の制御部３０２及び第２の制御部３０４においてオンディレー回路を接続すればよい。このような構成の場合、切替部３３８における切替操作を行なうことなく、第３の制御部３１２に接続されたロードポート１０５などの設定やメンテナンスを行うことが可能となる。
【０１０３】
また、上記の基板処理装置では、切替器３３８は、最初に起動した制御部の出力信号を表示部３４０に伝達し、操作部３４２では最初に起動した制御部への操作が可能な構成としたが、切替器３３８は、最後に起動した制御部の出力信号を表示部３４０に伝達し、操作部３４２では最後に起動した制御部への操作が可能な構成としてもよい。この場合、切替部３３８における切替操作を行なうことなく入出力を行いたい制御部に対して、オンディレー回路を接続し、該制御部が最後に起動するように構成すればよい。
【０１０４】
また、起動時間制御部３４４に代え、又は起動時間制御部３４４とともに、シャットダウン時間制御部を設けてもよい。シャットダウン時間制御部は、少なくとも２つ以上設けられた制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部について、シャットダウン時間を互いにずらす。例えば、シャットダウン時間制御部は、電源から入力された電気が断たれてから設定された時間経過後に出力する電気を断つ回路であるオフディレー回路から構成されており、このオフディレー回路に接続された機器のシャットダウン時機、すなわち起動状態からの終了時機を遅らせる。
【０１０５】
上位制御部と電源との間に、オフディレー回路を設けたシャットダウン時間制御部を構成することにより、下位制御部よりもシャットダウン時機を遅らせることができる。ここで、上位制御部とは、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２をいい、下位制御部とは、上位制御部の制御対象をいい、例えば、主制御部３０６、真空搬送ロボットコントローラ３０８、プロセスモジュールコントローラ３１０、大気搬送ロボット１２４、プリアライナ１０６、ロードポート１０５、ポッドオープナ１０８が下位制御部となる。また、主制御部３０６の制御対象（例えば、ガス流量コントローラ３１６など）、プロセスモジュールコントローラ３１０の制御対象（例えば、サセプタ軸コントローラ３２４）も、さらに下位の下位制御部として位置づけられる。
【０１０６】
上位制御部のシャットダウン時機を下位制御部のシャットダウン時機よりも遅くすると、下位制御部の動作履歴（ログ）を最後まで取得することができ、シャットダウン時の異常に対する対応が容易となる。
【０１０７】
また、上位制御部のうち、第１の制御部３０２に接続されたオフディレー回路の遅延時間を他のオフディレー回路に設定された遅延時間よりも長く設定することで、第１の制御部３０２のシャットダウン時機を他の制御部よりも最も遅くすることができる。この場合、第１の制御部３０２は、下位制御部のみならず、第２の制御部３０４及び第３の制御部３１２の動作履歴を最後まで取得することができる。
【０１０８】
次に、本発明の他の実施形態について説明する。上記の実施形態では、遅延回路を設けて起動順番を制御し、所望の制御部の入出力を可能にしたが、ソフトウェアによって、いずれの制御部について表示部３４０及び操作部３４２での入出力を行なうかを制御してもよい。
【０１０９】
例えば、表示部３４０及び操作部３４２により入出力する制御部を、記憶媒体に記憶された情報に基づいて選択するプログラムを用いてもよい。
【０１１０】
この場合、例えば作業者を特定する情報及び作業内容の情報を予め記憶させておいたＵＳＢキーなどの記憶媒体を、操作部３４２に設けられた記憶媒体読取口に差込んだ後に、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２を起動させ、上記プログラムの選択により、表示部３４０及び操作部３４２の入出力対象を決定する。また、表示部３４０への表示において、上記プログラムは、記憶媒体に記憶された作業内容の情報に基づいて、作業内容に沿った画面を構成して表示するよう制御してもよい。
【０１１１】
なお、上記プログラムは、記憶媒体に格納されていてもよく、また、基板処理装置に接続された他の記憶装置に格納されていてもよい。また、上記プログラムは、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２のいずれに実行されてもよく、また、基板処理装置を構成する他のコンピュータに実行されてもよい。
【０１１２】
また、次回の起動時において最初に表示部３４０及び操作部３４２により入出力する制御部を、シャットダウン時に選択するプログラムを構成してもよい。
【０１１３】
この場合、例えば、切替器３３８として、記憶部を有するＫＶＭスイッチを用い、次のように構成する。第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、又は第３の制御部３１２のシャットダウン時に、ＯＳ又はアプリケーションによって次回起動時に最初に表示部３４０及び操作部３４２により入出力する制御部を選択可能なプログラムを構成し、このプログラムは、いずれの制御部が選択されたかを示すデータをＫＶＭスイッチに出力し、ＫＶＭスイッチは、このデータを記憶する。次回起動時、ＫＶＭスイッチは、記憶されているデータに基づいて、最初に表示部３４０及び操作部３４２により入出力する制御部として、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２のいずれかの出力データを表示部３４０へ出力する。
【０１１４】
なお、プログラムは、ＫＶＭスイッチに格納されていてもよく、また、基板処理装置に接続された他の記憶装置に格納されていてもよい。また、プログラムは、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２のいずれに実行されてもよく、また、基板処理装置を構成する他のコンピュータに実行されてもよい。
【０１１５】
以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【０１１６】
本発明は、特許請求の範囲に記載した事項を特徴とするが、さらに次に記載した事項も本発明の望ましい態様として付記する。
【０１１７】
＜付記１＞
基板を処理する処理室と、
前記基板を搬送する基板搬送部と、
前記基板搬送部が設けられ、前記基板の搬送空間となる搬送室と、
前記処理室に設けられ、前記基板を加熱する加熱部と、
前記処理室を排気する排気部と、
前記処理室内にガスを供給するガス供給部と、
少なくとも前記基板搬送部と前記加熱部と前記排気部と前記ガス供給部とを制御する、少なくとも２つ以上設けられた制御部と、
前記少なくとも２つ以上設けられた制御部が出力する信号を受信して表示する表示部と、
前記表示部に設けられ、作業者が操作する操作部と、
を有する基板処理装置であって、
起動時間制御部が、前記基板処理装置の起動時に、前記少なくとも２つ以上設けられた制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部の起動を異ならせるように当該制御部に電源を投入する工程を有する基板処理装置の起動方法。
【０１１８】
＜付記２＞
基板搬送部が搬送室で基板を搬送するステップと、
前記基板搬送部が、処理室に基板を搬入するステップと、
排気部が前記処理室内を排気するステップと、
ガス供給部が前記処理室内にガスを供給するステップと、
加熱部が前記基板を加熱するステップと、
を有する本処理工程と、
少なくとも２以上の制御部が、少なくとも前記基板搬送部と前記排気部と前記ガス供給部と前記加熱部との動作を制御しつつ動作毎に信号を出力するステップと、
少なくとも１つ以上の表示部が、前記信号を受信して表示するステップと、
を有する制御工程と、
起動時間制御部が、前記少なくとも２つ以上設けられた制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部の起動時間を異ならせるように前記制御部への電源の投入時機を制御するステップと、
を有する制御部の起動工程と、
シャットダウン時間制御部が、前記少なくとも２つ以上設けられた制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部のシャットダウン時間を異ならせるように前記制御部への電源の遮断時機を制御するステップと、
を有する制御部のシャットダウン工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【０１１９】
＜付記３＞
基板搬送部が搬送室で基板を搬送するステップと、
前記基板搬送部が、処理室に基板を搬入するステップと、
排気部が前記処理室内を排気するステップと、
ガス供給部が前記処理室内にガスを供給するステップと、
加熱部が前記基板を加熱するステップと、
を有する本処理工程と、
少なくとも２以上の制御部が、少なくとも前記基板搬送部と前記排気部と前記ガス供給部と前記加熱部との動作を制御しつつ動作毎に信号を出力するステップと、
少なくとも１つ以上の表示部が、前記信号を受信して表示するステップと、
を有する制御工程と、
起動時間制御部が、前記少なくとも２つ以上設けられた制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部の起動時間を異ならせるように前記制御部への電源の投入時機を制御するステップと、
表示切替部が、前記制御部の内、最初に起動した制御部からの出力の表示を保持するステップと、
記憶部が、前記制御部への電源の投入開始から前記表示切替部が制御部からの出力を受信するまでの時間を記録するステップと、
を有する制御部の起動工程と、
シャットダウン時間制御部が、前記少なくとも２つ以上設けられた制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部のシャットダウン時間を異ならせるように前記制御部への電源の遮断時機を制御するステップと、
を有する制御部のシャットダウン工程と、
演算部が、前記記憶部が記録した時間から前記制御部の起動時間間隔を演算し、前記起動時間制御部の時間間隔に再設定するステップを有する、起動時間間隔再設定工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【０１２０】
＜付記４＞
少なくとも基板処理装置のレシピを制御する第１の制御部と、
少なくとも前記基板処理装置の異常を検知する第２の制御部と、
少なくとも前記基板処理装置と他の装置との間で行なわれる基板が格納された容器の受け渡しを制御する第３の制御部と、
前記第１の制御部、前記第２の制御部、又は前記第３の制御部の出力信号を表示する表示部と、
前記第１の制御部、前記第２の制御部、前記第３の制御部、及び前記表示部が接続され、前記第１の制御部、前記第２の制御部、又は前記第３の制御部のうちいずれの出力信号を前記表示部に表示するかを切替える切替部と
を有する基板処理装置。
【０１２１】
＜付記５＞
前記第１の制御部、前記第２の制御部、及び前記第３の制御部と電源との間に設けられたディレー回路により、前記第１の制御部、前記第２の制御部、又は前記第３の制御部のうちいずれの出力信号を前記表示部に表示するかを制御する
前記付記４に記載の基板処理装置。
【０１２２】
＜付記６＞
前記第２の制御部及び前記第３の制御部と電源との間にディレー回路を設け、前記第１の制御部を前記第２の制御部及び前記第３の制御部よりも先に起動させ、前記表示部に前記第１の制御部の出力信号を表示させる
付記５に記載の基板処理装置。
【０１２３】
＜付記７＞
基板処理装置を構成する機器を制御する、少なくとも２つ以上設けられた制御部と、
少なくとも１つ以上設けられ前記制御部の出力を表示する表示部と、
少なくとも２つ以上設けられた前記制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部の起動時間を異ならせる起動時間制御部と
を有する基板処理装置。
【０１２４】
＜付記８＞
前記制御部は、基板処理装置を構成する機器を制御する少なくとも１つ以上の下位制御部を制御する上位制御部と、基板処理装置と接続された１つ以上の統括制御部との通信を制御する通信制御部であり、
起動時間制御部は、前記上位制御部が前記通信制御部よりも先に起動するよう起動時間を制御する
付記７記載の基板処理装置。
【符号の説明】
【０１２５】
３０２ 第１の制御部
３０４ 第２の制御部
３０６ 主制御部
３０８ 真空搬送ロボットコントローラ
３１０ プロセスモジュールコントローラ
３１２ 第３の制御部
３１４ ホスト
３３８ 切替器
３４０ 表示部
３４２ 操作部
３４４ 起動時間制御部
３５０ 電源
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
前記基板を搬送する基板搬送部と、
前記基板搬送部が設けられ、前記基板の搬送空間となる搬送室と、
前記処理室に設けられ、前記基板を加熱する加熱部と、
前記処理室を排気する排気部と、
前記処理室内にガスを供給するガス供給部と、
を有する基板処理装置であって、
基板処理装置を操作する作業者が操作する操作部と、
前記操作部に接続され、前記基板処理装置を制御する少なくとも２つ以上の制御部と、
前記制御部が出力する信号を表示する少なくとも１つ以上の表示部と、
前記基板処理装置の起動時に、前記少なくとも２つ以上の制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部の起動時間を異ならせるように前記制御部への電源の投入時機を制御する起動時間制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、少なくとも基板処理装置のレシピを制御する第１の制御部と、少なくとも前記基板処理装置の異常を検知する第２の制御部であり、
前記起動時間制御部は、前記第２の制御部よりも前記第１の制御部を先に起動させることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
基板搬送部が搬送室で基板を搬送するステップと、
前記基板搬送部が、処理室に基板を搬入するステップと、
排気部が前記処理室内を排気するステップと、
ガス供給部が前記処理室内にガスを供給するステップと、
加熱部が前記基板を加熱するステップと、
を有する本処理工程と、
少なくとも２以上の制御部が、少なくとも前記基板搬送部と前記排気部と前記ガス供給部と前記加熱部との動作を制御しつつ動作毎に信号を出力するステップと、
少なくとも１つ以上の表示部が、前記信号を受信して表示するステップと、
を有する制御工程と、
起動時間制御部が、前記少なくとも２つ以上設けられた制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部の起動時間を異ならせるように前記制御部への電源の投入時機を制御するステップと、
を有する制御部の起動工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
前記基板を搬送する基板搬送部と、
前記基板搬送部が設けられ、前記基板の搬送空間となる搬送室と、
前記処理室に設けられ、前記基板を加熱する加熱部と、
前記処理室を排気する排気部と、
前記処理室内にガスを供給するガス供給部と、
を有する基板処理装置であって、
基板処理装置を操作する作業者が操作する操作部と、
前記操作部に接続され、前記基板処理装置を制御する少なくとも２つ以上の制御部と、
前記制御部が出力する信号を表示する少なくとも１つ以上の表示部と、
前記基板処理装置の起動時に、前記少なくとも２つ以上の制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部の起動時間を異ならせるように前記制御部への電源の投入時機を制御する起動時間制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、少なくとも基板処理装置のレシピを制御する第１の制御部と、少なくとも前記基板処理装置の異常を検知する第２の制御部であり、
前記起動時間制御部は、前記第２の制御部よりも前記第１の制御部を先に起動させることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
基板搬送部が搬送室で基板を搬送するステップと、
前記基板搬送部が、処理室に基板を搬入するステップと、
排気部が前記処理室内を排気するステップと、
ガス供給部が前記処理室内にガスを供給するステップと、
加熱部が前記基板を加熱するステップと、
を有する本処理工程と、
少なくとも２以上の制御部が、少なくとも前記基板搬送部と前記排気部と前記ガス供給部と前記加熱部との動作を制御しつつ動作毎に信号を出力するステップと、
少なくとも１つ以上の表示部が、前記信号を受信して表示するステップと、
を有する制御工程と、
起動時間制御部が、前記少なくとも２つ以上設けられた制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部の起動時間を異ならせるように前記制御部への電源の投入時機を制御するステップと、
を有する制御部の起動工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１３−４２０６２（Ｐ２０１３−４２０６２Ａ）
【公開日】平成２５年２月２８日（２０１３．２．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１７９４２５（Ｐ２０１１−１７９４２５）
【出願日】平成２３年８月１９日（２０１１．８．１９）
【出願人】（０００００１１２２）株式会社日立国際電気 (5,007)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月２８日（２０１３．２．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年８月１９日（２０１１．８．１９）
【出願人】（０００００１１２２）株式会社日立国際電気 (5,007)
【Ｆターム（参考）】
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