【課題】詳細には超臨界工程を遂行する基板処理装置及びこれを利用する基板処理方法が提供される。
【解決手段】本発明による基板処理装置の一実施形態は、一側面に開口が形成され、工程が遂行される空間を提供するハウジングと、前記開口を開閉するドアと、前記ドアに設置され、基板が安着される支持部材と、を含む。 （もっと読む）

【課題】クラスター構造の基板処理装置、基板処理設備、及びこれを利用した基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置の一実施形態は、基板が収納される容器が搭載されるロードポートと、前記基板を処理する複数の工程モジュールと、前記ロードポートと前記工程モジュールとの間に配置され、前記容器と前記工程モジュールとの間に前記基板を搬送する移送モジュールと、互いに隣接する前記工程モジュールの間に配置され、前記互いに隣接する工程モジュールの間に前記基板が搬送される空間を提供するバッファチャンバーと、を含む。 （もっと読む）

【課題】多層構成を有する半導体装置の更なる薄型化を可能にするとともに、半導体装置製造の工程数を減らす。
【解決手段】露光及び現像によってパターニングされた後に被着体に対する接着性を有し、アルカリ現像が可能な感光性接着剤であって、半導体チップ２０の回路面上に設けられた感光性接着剤１を露光及び現像によってパターニングする工程と、パターニングされた感光性接着剤１に他の半導体チップ２１を直接接着する工程と、を備える半導体装置１００の製造方法に用いるための、感光性接着剤。 （もっと読む）

【課題】面位置センサの設置位置を計測し、該計測された設置位置に基づいて面位置センサを用いて移動体の２次元移動面の垂直方向と傾斜方向の位置座標を計測することにより、移動体を安定かつ高精度に駆動する。
【解決手段】 干渉計システムを用いてウエハステージＷＳＴのＸＹ位置を監視しながらウエハステージを移動させて、面位置センサ７２_ｋ，７４_ｉ，７６_ｊを用いてＹスケール３９Ｙ₃，３９Ｙ₄を、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に走査することにより、面位置センサのＸＹ設置位置を計測する。得られた設置位置情報に基づいて、面位置センサを用いて、ウエハステージのＸＹ平面（移動面）に対する垂直方向と傾斜方向の位置座標を計測することにより、ウエハステージを安定かつ高精度に駆動する。 （もっと読む）

【課題】回折次数の重なりを防止しつつ基板の特性を精度良く求める技術を提供する。
【解決手段】角度分解分光法に対しては、４つのクアドラントを有する照明プロファイルを有する放射ビームが使用される。第１および第３クアドラントが照明される一方、第２および第４クアドラントは照明されない。したがって、結果として生じる瞳面は４つのクアドラントに分けられ、ゼロ次回折パターンのみが第１および第３クアドラントに現れて一次回折パターンのみが第２および第３クアドラントに現れる。 （もっと読む）

【課題】移動体を所定平面に平行な所定方向に関して高精度に位置制御する。
【解決手段】 制御装置は、ウエハステージＷＳＴのＸＹ平面に対する傾斜角を計測する干渉計の計測値に基づいて、Ｙスケール３９Ｙ₁，３９Ｙ₂の周期方向に関しＸＹ平面に対してウエハステージＷＳＴを角度α傾斜させ、その傾斜前後のヘッドユニット６２Ａ，６２Ｃの計測値と角度αの情報とに基づいて、ＸＹ平面内におけるウエハステージＷＳＴの位置制御の基準となる基準面（例えば投影光学系の像面）に対するＹスケール３９Ｙ₁，３９Ｙ₂表面のアッベ外し量を算出し、ヘッドユニット６２Ａ，６２Ｃによって計測されたＸＹ平面内におけるウエハステージＷＳＴの位置情報と、Ｙスケール３９Ｙ₁，３９Ｙ₂表面のアッベ外し量に起因するウエハステージＷＳＴの傾斜角に応じたヘッドユニット６２Ａ，６２Ｃの計測誤差とに基づいて、ＸＹ平面に沿ってウエハステージＷＳＴを駆動する。 （もっと読む）

【課題】基板に処理を行う各モジュール間で基板の搬送を行う搬送機構の搬送速度を抑えて、基板の搬送精度の低下を抑えること。
【解決手段】複数設けられた各レジスト膜形成ブロックのレジスト膜形成用搬送手段が、互いに独立して当該ブロック内で各種の処理を行うモジュール間を基板を搬送し、また処理ブロック搬入用搬送手段が、各レジスト膜形成ブロックの搬入用受け渡しステージへ１枚ずつ基板を順にサイクリックに搬送すると共に露光装置搬入用搬送手段が、レジスト膜形成ブロックの搬入用受け渡しステージに搬送された順に各レジスト膜形成ブロックのバッファモジュールに搬入された基板を露光装置に搬入する。同等のスループットを達成するために１つのレジスト膜形成ブロックに同種のモジュールを複数ないしは多数設置する場合に比べて、レジスト膜形成用搬送手段の負荷が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】フォーカスマージン（ＤＯＦ）に優れ、欠陥の少ないレジストパターンを製造することのできる化合物を提供すること。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。


［式（Ｉ）中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基を表す。Ａ^１は、式（ａ−ｇ１）


式（ａ−ｇ１）中、Ｙ^１は、アントラセン環、フルオレン環又はフェナントレン環を含む２価の有機基を表す。Ｒ²は、炭素数１〜１２のフッ化アルキル基を表す。］ （もっと読む）

【課題】塗布膜に乾燥ムラが形成されることを抑えることができる減圧乾燥装置を提供する。
【解決手段】基板を格納するチャンバ２を備え、チャンバ２内部を大気圧より低い圧力に減圧することによって、チャンバ２内部に格納された基板上の塗布膜を乾燥させる減圧乾燥装置であって、チャンバ２は、チャンバ本体３とチャンバ蓋部４を有し、チャンバ本体３とチャンバ蓋部４とが当接することによってチャンバ２内部を密閉し、チャンバ蓋部４は天板４１を有し、天板４１のチャンバ２内部と反対側から天板４１を覆う蓋形状保持部６が設けられ、蓋形状保持部６は、天板４１との間に閉じた空間Ｒを形成し、この空間Ｒの圧力が大気圧以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高感度、高解像性（例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス（ＬＥＲ））、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できる化学増幅型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、及び、レジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 フェノール性水酸基と、フェノール性水酸基における水酸基の水素原子が置換基で置換されてなる基とを有し、かつ、下記（ａ）〜（ｃ）を同時に満たす高分子化合物（Ａ）を含有する、化学増幅型レジスト組成物。
（ａ）分散度が１．２以下
（ｂ）重量平均分子量が２０００以上６５００以下
（ｃ）ガラス転移温度（Ｔｇ）が１４０℃以上 （もっと読む）