【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体で構成される基板を生産する際の歩留まりを改善することを課題とする。
【解決手段】基板の表面から裏面まで貫通する貫通孔２０を有するＩＩＩ族窒化物半導体（Ａｌ_ｘＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｉｎ_ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１））で構成される基板３０と、貫通孔２０の内部に充填され、貫通孔２０を塞ぐ、組成一様のＩＩＩ族窒化物半導体で構成される充填材４０と、を有するＩＩＩ族窒化物半導体基板１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】ゲッタリング能力が高く、かつシリコンエピタキシャル層の最表面部の酸素濃度が極めて低いシリコンエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】酸素濃度が７ｐｐｍａ（ＪＥＩＤＡ）以上のシリコン単結晶基板の主表面上にエピタキシャル層が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハであって、該シリコンエピタキシャルウェーハは２層以上の炭素イオン注入層を有し、かつ前記シリコンエピタキシャル層の最表面部は酸素濃度が５ｐｐｍａ（ＪＥＩＤＡ）以下であることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。 （もっと読む）

【課題】基板面内均一性を保ちながら原料利用効率を向上させ、かつ半導体製造コストを削減させた半導体薄膜製造装置及び窒化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】温度特性調整機構４０により、サファイア基板７の対向面の反応炉壁面を５００〜７００Ｋ（より望ましくは５５０〜６５０Ｋ）に制御すると基板上流からの距離に対するＧａＮ成長レートの特性が最も線形に近く基板面内均一性を保つことができる。そして、この範囲では原料利用効率も３７．５％程度と高い。原料反応領域Ａにおいて、下方からの温風を温度特性調整機構４０により調整して原料反応領域Ａにおけるガスの流れを安定かつ一様にさせる。その結果、基板面内均一性を保ちながら原料利用効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】高周波電力の入力を上げて光電変換層の成膜速度を増加させ、かつ薄膜太陽電池の光電変換効率を高い値にすることができる薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】この薄膜太陽電池の製造方法は、反応室１００内に反応ガスを導入し、かつ高周波電極１２０に高周波を印加してプラズマを生成することにより、プラズマＣＶＤ法を用いて基板２００に光電変換層２３０を形成する工程を備える。光電変換層２３０における結晶及び微結晶の割合である結晶分率が３０％以上８０％以下になる原料ガスの組成の範囲である所望範囲を予め調べておく。そして、光電変換層２３０を形成する工程において、原料ガスの組成を所望範囲内に制御しながら、反応室内１００における圧力を、高周波のピークツーピーク電圧が極小値となるように調整する。 （もっと読む）

【課題】真空ポンプの停止によるチャンバーへの逆流を防止すると共に復旧が容易であることを兼ね備えた逆流防止システム及び該逆流防止システムを備えた真空ポンプを提供する。
【解決手段】インバータ回路１３に流れる電流値が一時的な過負荷状態であることをタイミングｔ１でコンパレータ１７若しくはコンパレータ２７のいずれかが検出したときにゲートバルブ３の閉止信号が例えばｔ１からｔ２に至るまでの１秒間だけパルスとして送信され、ゲートバルブ３はｔ１から閉止動作を開始する。過負荷状態は一時的なものであり、すぐに収束したような場合には真空ポンプ５はそのまま停止せずに継続して動作する。しかしながら、ゲートバルブ３は閉止指令を受けてほぼ１秒後には完全に閉止しているため、センターにおいて監視員が真空ポンプの運転が継続されていることを確認した後、ｔ３においてゲートバルブ３の開指令を送信する。 （もっと読む）

【課題】ウエットクリーニングによらず、ＭＯＣＶＤ装置の処理容器内を短時間に、かつ低温で清浄化する方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤ法により窒化物半導体を成膜するＭＯＣＶＤ装置の処理容器内の付着物に、水素ラジカル又はハロゲンラジカルを作用させることにより、前記付着物を揮発成分に変化させて前記処理容器の外部へ排出させる。水素ラジカル又はハロゲンラジカルは、処理容器の内部でクリーニングガスのプラズマを生成させたり、クリーニングガスへレーザー照射したりする方法で発生させてもよく、処理容器の外部で発生させて処理容器内へ導入してもよい。 （もっと読む）

【課題】半導体の接合や商品設計の面で優れた自由度を得ることができるナノワイヤデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面に、結晶をエピタキシャル成長させて複数のナノワイヤ状半導体２を形成する。ナノワイヤ状半導体２の間隙に充填剤５を充填してナノワイヤ状半導体２を埋設し、ナノワイヤ状半導体−充填剤複合体６を形成する。半導体基板６から、ナノワイヤ状半導体−充填剤複合体６を剥離して、ナノワイヤ状半導体アレイ９，１０，１１，１３，１４，１５を形成する。ナノワイヤ状半導体−充填剤複合体６の剥離は、充填剤５上に支持基板８を形成した後、外力により行う。又は、充填剤５の熱収縮応力によりナノワイヤ状半導体−充填剤複合体６を剥離した後、充填剤５上に支持基板８を形成する。 （もっと読む）

【課題】表面温度の熱均一性の低下を低減できるシャフトを提供する。
【解決手段】シャフト１００は、ヒータープレートと接合する面において、導体を挿通するための複数の第１貫通孔１１０と、ヒータープレートとシャフト１００とを機械的に固定する固定部材を挿通するための複数の第２貫通孔１２０とを有する。第１貫通孔１１０は、ヒータープレートと接合する面の中央を中心とする第１円環上に間隔を存して配置され、第２貫通孔１２０は、第１円環と同心の第２円環上に間隔を存して配置される。第１貫通孔１１０のそれぞれと、第２貫通孔１２０のそれぞれとは、第１円環及び第２円環の中心から前記シャフトの外側を臨んだ場合に、第１貫通孔１１０の中心と第２貫通孔１２０の中心とが直線上に並ばないように配置される。 （もっと読む）

【課題】矩形基板に正対した状態のプラズマを生成することができるアンテナユニットおよびそれを用いて矩形基板に均一なプラズマ処理を行うことができる誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】輪郭が矩形状をなす平面型のアンテナ（１３ａ）を有するアンテナユニットにおいて、アンテナ（１３ａ）は、複数のアンテナ線（６１，６２，６３，６４）を、同一平面内において、辺の中央部の巻数よりも角部の巻数が多くなるように巻回して全体が渦巻状になるように構成され、アンテナ線の配置領域が額縁状をなし、アンテナ（１３ａ）の外郭線（６５）および内郭線（６６）で囲まれた額縁領域（６７）が、アンテナ（１３ａ）の対向する２辺を貫く中心線について線対称となるように、各アンテナ線に屈曲部（６８）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】非常に優れた形態的特徴を有し、例えばマイクロエレクトロニクスおよび／またはオプトエレクトロニクスデバイスおよびデバイス前駆体構造体を製作するための基板として使用される（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品の製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルに適合できる犠牲型板１２を設けるステップと、単結晶（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料１６を型板１２上に堆積して、犠牲型板１２と（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料１６との間の界面１４を含む複合犠牲型板／（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品１０を形成するステップと、複合犠牲型板／（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品１０を界面修正して、犠牲型板１２を（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料１６から分割し、独立（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品１０を生じるステップにより、独立（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品を製造する。 （もっと読む）