【解決手段】 一実施形態は、太陽電池を製造するためのドーパント材料に関する。当該ドーパント材料（１００）は、主要担体（１０２）と、ドーパント系とを備える。主要担体は、低温において固体で、高温において液体で、高温よりも高い第３の温度において分解する。ドーパント材料は、低温のシリコン基板の所定の領域に、高温で制御に従って塗布可能である。ドーパント系は、ドーパント担体（１０４）およびドーパント源（１０６）を有する。ドーパント源（１０６）は、第３の温度において安定している。その他の実施形態、側面、および特徴も開示する。 （もっと読む）

【課題】不純物を拡散させる熱処理を低温化・短時間化し、かつ、良品率を向上させること。
【解決手段】親水性膜１９を成膜するステップと、親水性膜１９の開口部２２により露出する基板表面２５を親水性膜１９とともに薬液で処理するステップと、基板表面２５に隣接するように成膜されたポリシリコン膜３２に注入された不純物をポリシリコン膜３２から基板８に拡散させるステップとを備えている。このとき、半導体装置は、基板表面２５が薬液で処理されることにより、基板８とポリシリコン膜３２との界面に膜が形成されることが防止され、ポリシリコン膜３２から基板８に不純物を拡散させる熱処理を低温化し、または、短時間化することができる。さらに、半導体装置は、薬液で処理されるときに用いられた液体が親水性膜１９の表面に残ることが防止され、ウォーターマークが生成されることが防止され、パターン異常の発生が防止される。 （もっと読む）

【課題】 単結晶層のうちの埋め込み絶縁層に面する側の深さ範囲に不純物が含まれている積層基板を製造する際に、単結晶層に結晶欠陥が発生するのを抑制できる製造方法を提供する。
【解決手段】 ベース層２の表面に酸化シリコン層４を形成する。次に、酸化シリコン層４の表面から不純物を注入し、酸化シリコン層４内に不純物高濃度含有領域を形成する。次に、酸化シリコン層４の表面に追加酸化シリコン層１４を形成する。次に、追加酸化シリコン層１４の表面にシリコン単結晶層１２を重ね合わせる。貼り合わせ時の加熱する。その結果、酸化シリコン層４に注入された不純物は、追加酸化シリコン層１４を貫通してシリコン単結晶層１２に固層拡散する。シリコン単結晶層１２のうちの埋め込み絶縁層１５に面する側の深さ範囲に固層拡散領域２２が形成される。シリコン単結晶層１２の結晶性が破壊されることがない。 （もっと読む）

【課題】高効率にしかも低温で不純物スピンオングラス膜等の堆積被膜による半導体素材への不純物ドーピングを行うことを課題とする。
【解決手段】ドーパント不純物を含む溶液に光酸発生剤を添加し、半導体素材を有する基体表面に、この溶液を付着させ光活性不純物スピンオングラス膜を形成し、その後紫外光などを光照射することで光酸発生剤から酸を発生させる。この酸の効果により、ドーパント不純物はイオン化され、熱処理により容易に半導体素材への不純物ドーピングを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】接触印刷方法に関連した問題を回避しドープ領域を低コストに形成可能な方法等を提供することである。
【解決手段】半導体基板１０１上にデバイスを作製する方法は、半導体基板１０１の表面１０２上に第一のドーパント型の第一のドーパントを含んだ第一のドーパント含有材料を押し出して、第一のドーパント含有材料で半導体基板１０１の第一の表面領域１０２−１〜１０２−４上に第一の押出構造１２０−１〜１２０−４を形成するステップと、半導体基板１０１を加熱して第一のドーパントを第一の表面領域１０２−１〜１０２−４から半導体基板１０１内に拡散し、これにより半導体基板１０１の第一のドープ領域１０１−１〜１０１−４を形成するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ結晶の結晶性の低下を抑制して高濃度のドーピングをすることができるＳｉＣへのドーピング方法およびその方法を用いたＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ドーパントを含むＳｉ膜をＳｉＣの表面の少なくとも一部に形成する工程と、Ｓｉ膜をＳｉＣに形成した状態でＳｉＣおよびＳｉ膜を熱処理する工程と、を含む、ＳｉＣへのドーピング方法とその方法を用いたＳｉＣ半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳトランジスタなどの電子デバイスを形成する方法であって、比較的安価で時間のかからない処理技術の提供。
【解決手段】基板１０上に複数の半導体アイランド３１，３５を形成するステップと、半導体アイランドの第１のサブセット３１上に或いはそれよりも上側に第１の誘電体層６０を印刷するとともに、随意的に半導体アイランドの第２のサブセット３５上に或いはそれよりも上側に第２の誘電体層６５を印刷する。第１の誘電体層６０は第１のドーパントを含み、（随意の）第２の誘電体層６５は第１のドーパントとは異なる第２のドーパントを含む。誘電体層６０，６５、半導体アイランド３１，３５及び基板１０は、第１のドーパントを半導体アイランドの第１のサブセット３１中へ拡散させ、且つ存在する場合には第２のドーパントを半導体アイランドの第２のサブセット３５中へ拡散させるように十分にアニールされる。 （もっと読む）

【課題】所定の領域にボロンの拡散領域を形成することを可能とする半導体素子とその製造方法を実現すること。
【解決手段】不純物の拡散領域が形成される半導体素子において、シリコン基板と、このシリコン基板の不純物の拡散領域の上の部分以外に形成されたシリコン酸化膜と、このシリコン酸化膜が形成されていないシリコン基板上及び前記シリコン酸化膜上に形成されたポリシリコン層と、このポリシリコン層上に形成され熱処理により前記拡散領域に拡散させる前記不純物を含有する前記不純物膜とを備える。 （もっと読む）

【課題】 大量の結晶シリコン粒子に対して均一に第２の導電型の半導体層を形成することのできる拡散方法を提供し、さらに低コストかつ高性能で信頼性の高い光電変換装置を提供すること。
【解決手段】 結晶シリコン粒子への不純物の拡散方法は、拡散管内に多数の第１導電型の結晶シリコン粒子を入れて攪拌させながら酸素を含んだ不純物ガスを導入することによって、結晶シリコン粒子の表面に第２の導電型用の不純物を含有した珪酸ガラスを形成する工程と、結晶シリコン粒子の表面に不純物を拡散させて第２の導電型のシリコン層を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 横型拡散炉を用いて半導体基板に拡散物質を拡散する熱処理を行う場合に、半導体基板に拡散したドーパントの分布の面内におけるばらつきが抑えられた半導体基板を安定して製造するための半導体基板の熱処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 横型拡散炉を用いて、半導体基板中に該半導体基板内でドーパントとなる拡散物質を拡散させる半導体基板の処理方法において、少なくとも、半導体基板の表面に、少なくとも前記拡散物質とシリカとを含む拡散剤を塗布する工程と、前記拡散剤が塗布された複数の半導体基板を拡散用ボートに載置する工程と、該複数の半導体基板が載置された拡散用ボートを、毎分５００ｍｍ以上の速度で前記横型拡散炉内に投入する工程と、該横型拡散炉内で前記複数の半導体基板を一度に熱処理して前記拡散物質を前記半導体基板中に拡散させる工程とを有する半導体基板の処理方法。 （もっと読む）