非接触印刷法を用いて半導体基板にホウ素でドープされた領域を形成するためのホウ素含有インク、及びそのようなホウ素含有インクの製造方法を提供する。ホウ素含有インクはホウ素含有材料からのホウ素、及びホウ素含有インクの拡がりファクターを約１．５〜約６にする拡がり最小限化添加剤を含む。ホウ素含有インクは約１．５〜約５０センチポアズの粘度を有し、また、半導体基板に付着したとき、約１０〜約１００オーム／ｓｑ．のポストアニールシート抵抗、約０．１〜約１μｍのポストアニールドーピング深度、及び約１×１０^１９〜約１×１０^２０原子／ｃｍ^３のホウ素濃度をもたらす。 （もっと読む）

本発明は、ドーパント原子を半導体部材に導入することによって、ウェハ状の半導体部材の表面から始まるドーパントプロファイルを形成するための方法に関する。所望のドーパント深さプロファイルを有する半導体部材を安価に製造するために、提案されることは、まず、表面領域に一時的な第１のドーパントプロファイルを形成するために、ドーパントを含む層を形成すること、次に、第１のドーパントプロファイルに比較して大きな深さを有する第２のドーパントプロファイルを形成するために、対応の層を有する複数の半導体部材を、スタック状態で積み重なるようにして、熱処理に供することである。
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多重ドープ接合を基板上に形成する方法が開示される。方法には、ホウ素でドープされた基板を提供することであって、基板が、第１の表面領域および第２の表面領域を備えた第１の基板表面を含むことが含まれる。方法にはまた、第１のナノ粒子セットを第１の表面領域上に堆積することであって、第１のナノ粒子セットが第１のドーパントを含むことが含まれる。方法には、不活性環境において、基板を、第１の温度まで第１の期間にわたって加熱して第１の高密度膜を生成すること、およびさらに、第１の表面領域下の基板に、第１の拡散深さを備えた第１の拡散領域を生成することがさらに含まれる。方法にはまた、基板を、第２の温度で第２の期間にわたって、リンを含む拡散ガスにさらして、第１の基板表面上にＰＳＧ層を生成すること、およびさらに、第２の表面領域下の基板に第２の拡散深さを備えた第２の拡散領域を生成することが含まれるが、この場合に、第１の拡散領域は、第２の拡散領域に隣接している。方法には、さらに、基板を、第３の温度で第３の期間にわたって酸化ガスにさらすことが含まれ、この場合に、ＳｉＯ_２層が、ＰＳＧ層と基板表面との間に形成され、ここで、第１の拡散深さは、第２の拡散深さよりかなり大きい。
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【課題】ホウ素を拡散させた半導体デバイスの抵抗値にバラツキを発生させず、高濃度にホウ素を拡散させることができ、さらにはナトリウムによる半導体デバイスの汚染を回避することができる、比較的安価なホウ素拡散用塗布液を提供する。
【解決手段】（ａ）ホウ素化合物、（ｂ）ナトリウム含有量が１０ｐｐｍ以下のポリビニルアルコール系樹脂、および（ｃ）水を含有することを特徴とするホウ素拡散用塗布液。 （もっと読む）

【課題】リンを拡散させた半導体デバイスの抵抗値にバラツキを発生させず、高濃度にリンを拡散させることができ、さらにはナトリウムによる半導体デバイスの汚染を回避することが出来る、比較的安価なリン拡散用塗布液を提供する。
【解決手段】（ａ）リン化合物、（ｂ）ナトリウム含有量が１０ｐｐｍ以下のポリビニルアルコール系樹脂及び（ｃ）水を含有することを特徴とするリン拡散用塗布液。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に拡散層を形成するために、スクリーン印刷により基板に連続印刷するときに使用する拡散用ボロンペーストにおいて、周囲の湿度による粘度への影響が少なく、連続印刷回数を重ねても増粘の恐れがない拡散用ボロンペーストを提供する。
【解決手段】基板に拡散層を形成するためにスクリーン印刷により前記基板上に塗布される拡散用ボロンペーストであって、該拡散用ボロンペーストは少なくとも、前記拡散層のドーパントとなるホウ素を含有するドープ剤と、有機バインダー及び固形分を含有するチクソ剤と、有機溶剤を含むものであり、前記ドープ剤は、ホウ素化合物であることを特徴とする拡散用ボロンペースト。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの機能層を、液体を少なくとも１つの領域に塗布させることによって、半導体デバイスの表面の少なくとも１つの領域に製造する方法に関する。機能層は層厚ｄ_１を有し、厚さｄ_１の機能層を形成するために必要な前記液体は、層厚ｄ_２を有する。所望の薄いかつ均等な厚さの機能層を再現可能に形成するために、液体を、表面の少なくとも１つの領域に、層厚ｄ_３で、但し、ｄ_３＞ｄ_２であって、余分に塗布すること、および、続いて、半導体デバイスが並進運動されるか、または動かないように設けられているときに、余分な液体を、液層が厚さｄ_２またはほぼ厚さｄ_２を有する程度に、非接触で除去することが提案される。 （もっと読む）

リン含有ドーパント、半導体材料中にリンがドープされた領域を形成する方法、及びリン含有ドーパントを製造する方法を提供する。一態様においては、リン含有ドーパントは、リン含有塩、リン含有酸、リン含有アニオン、又はこれらの組み合わせを含むリン源；アルカリ性材料、アルカリ性材料からのカチオン、又はこれらの組み合わせ；及び液体媒体；を含む。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の製造において、製造のための消費エネルギーの低減を図る。
【解決手段】シリコン基板上に不純物層を形成し、かつガラス基板にカーボンまたはカーボンを含む光吸収層を形成し、上記不純物層と上記光吸収層を密着させ、当該ガラス基板の方向から赤外レーザ光を照射することにより、光吸収層を加熱することにより、レーザ照射された箇所のシリコン基板に上記不純物を導入することを特徴とすることにより不純物の導入を行なう。 （もっと読む）

【課題】非晶質半導体薄膜の結晶化と選択的な高濃度不純物拡散をひとつの工程で行うことにより薄膜トランジスタの製造工程を簡単にし，製造コストを低減する。
【解決手段】絶縁基板上の非晶質半導体薄膜上に堆積した不純物を含む皮膜を所定の形状にパターン形成し、外方拡散防止膜で被覆したのち，連続発振レーザを照射することにより該非晶質の結晶化と同時に，該皮膜から不純物を該薄膜に選択的に高濃度に拡散させることにより半導体薄膜トランジスタを製造する。 （もっと読む）