【課題】 高速性に優れまた高集積化の可能な半導体装置を作製する。
【解決手段】 半導体装置の作製方法であって、半導体上に選択的に一導電型を付与する不純物を含む膜４１、４２を形成し、一導電型を付与する不純物を含む膜４１、４２を通して半導体にレーザー光を照射して不純物領域を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】 高いアスペクト比の微細コンタクトホールへの段差被膜性および埋め込み性が良好な配線膜が形成できる半導体製造装置を得る。
【構成】 フェイスが上向きのウエハ１６０を搬送する機構と、ウエハ１６０を搬入および搬出するウエハローディング室８０，８１と、チタンを蒸発させる点蒸発源が備えられ、窒素ガスが導入されコンタクトホール底部にチタン密着層および窒化チタンバリア層を形成するＴｉおよびＴｉＮ蒸着室４３と、それぞれアルミニウムとシリコンと銅等を蒸発させる点蒸発源が備えられ、バリア層上部にアルミ合金配線層を形成するアルミ合金蒸着室４２と、フェイスが上向きのウエハ１６０をフェイスが下向きに反転させるウエハ反転機構７０とを備えている。 （もっと読む）

【目的】 不純物ドープ工程の回数を減らすことが出来る半導体装置の製造方法を提供する。
【構成】 この発明の半導体装置の製造方法では、半導体基板１の表面に不純物濃度の異なる拡散層を形成するにあたり、前記半導体基板表面に絶縁層を形成したのち、比較的不純物濃度の高い拡散層を形成するための部分上の前記絶縁層を部分的に除去し、この除去部分と残る絶縁層部分上にさらに絶縁層形成を行ってから、この絶縁層５上に拡散層を形成する部分を残してレジスト膜を形成して前記絶縁層に対しエッチング処理を施したのち、拡散層を形成するための不純物１９のドープを行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】 シリコン半導体基体内にアルミニウムドーパント分布を形成する。
【構成】 半導体基体の表面に近い領域にアルミニウムを付着させ、引続き酸化雰囲気下にアルミニウムをドライブインさせる。その際酸素とアルミニウムとの相互作用を低下させるために、アルミニウムを付着させた後及びアルミニウムをドライブインする前に半導体基体１の表面にシリコン層４、５又は酸化珪素層を析出させる。 （もっと読む）