多重ドープ接合を形成する方法が開示される。この方法は、第１の基板および第２の基板を提供することを含む。この方法は、第１の基板および第２の基板のそれぞれの第１の表面に第１のインクを堆積することも含み、第１のインクは、ナノ粒子の第１の組および溶媒の第１の組を含み、ナノ粒子の第１の組は、第１のドーパントの第１の濃度を含む。この方法は、第１の基板および第２の基板のそれぞれの第２の表面に第２のインクを堆積することをさらに含み、第２のインクは、ナノ粒子の第２の組および溶媒の第２の組を含み、ナノ粒子の第２の組は、第２のドーパントの第２の濃度を含む。
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本発明は、基板上のドープされたシリコン層の製造方法であって、次の工程（ａ）液体シラン配合物および基板の準備、（ｂ）該基板に該液体シラン配合物を塗布、（ｃ）電磁エネルギーおよび／または熱エネルギーの導入、（ｄ）少なくとも１種の、アルミニウムを含有する金属錯体化合物を有する液体調製物の準備、（ｅ）前記工程（ｃ）によって得られたシリコン層に該調製物を塗布、そして引き続き（ｆ）電磁エネルギーおよび／または熱エネルギーの導入によって、前記工程（ｅ）によって得られた被覆の加熱、そして引き続き（ｇ）前記工程（ｆ）によって得られた被覆の冷却、を含むドープされたシリコン層の製造方法、該法によって得られるドープされたシリコン層ならびに感光性素子および電子素子を製造するための該シリコン層の使用に関する。
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【課題】拡散性能の向上、ひいては電気特性の向上および耐酸性の向上が可能な拡散剤組成物及びその組成物による太陽電池を提供する。
【解決手段】半導体基板１への不純物拡散成分の印刷に用いられる拡散剤組成物２、３であって、アルコキシシランの加水分解生成物（Ａ）と、アルコキシチタンの加水分解生成物、アルコキシジルコニウムの加水分解生成物、チタニア微粒子およびジルコニア微粒子のうち、少なくとも１種を含む成分（Ｂ）と、不純物拡散成分（Ｃ）と、有機溶剤（Ｄ）と、を含有する。 （もっと読む）

【課題】優れた塗膜形成性や拡散性を有するとともに、スクリーン印刷法やロールコート印刷法に好適に採用可能な拡散剤組成物、当該拡散剤組成物を用いた不純物拡散層の形成方法、および太陽電池を提供する。
【解決手段】拡散剤組成物は、不純物拡散成分（Ａ）と、不純物拡散成分（Ａ）が熱拡散を開始する温度未満の温度で熱分解して消失するバインダー樹脂（Ｂ）と、ＳｉＯ_２微粒子（Ｃ）と、沸点が１００℃以上の有機溶剤（Ｄ１）を含む有機溶剤（Ｄ）と、を含有する。また、不純物拡散層の形成方法は、半導体基板に、上述の拡散剤組成物を印刷してパターンを形成するパターン形成工程と、拡散剤組成物の不純物拡散成分（Ａ）を半導体基板に拡散させる拡散工程と、を含む。また、太陽電池は、上述の不純物拡散層の形成方法により不純物拡散層が形成された半導体基板を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、耐圧特性を維持したままアクセス抵抗を低減して高速動作が可能な窒化物半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明による窒化物半導体装置は、窒化物半導体を用いたヘテロ接合電界効果型の半導体装置であって、基板１上に順次積層して形成されたチャネル層３およびバリア層４と、バリア層４上に離間して形成されたソース電極５およびドレイン電極６とを備え、ソース電極５およびドレイン電極６のそれぞれの下方であり、かつ、バリア層４の表面からチャネル層３の少なくとも一部までの領域に対して、不純物拡散を行うことによって不純物拡散領域２２を設け、バンドギャップを変化させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスへの適合が可能でありながらも、半導体特性を損なわすに高精度に不純物の濃度コントロールが可能なドーピング方法を提供する。
【解決手段】アンチモンと共に、水素、窒素、酸素、炭素のみで構成されたアンチモン化合物を含有する材料溶液（アンチモン溶液Ｌ）を基板７の表面を覆う半導体層５に付着させて溶液層Ｌ１を形成する。アンチモン溶液Ｌを乾燥させることにより基板７上にアンチモン化合物層９を形成する。熱処理を行うことによりアンチモン化合物層９中のアンチモンを半導体層５に拡散させて不純物領域５ａを形成する。熱処理は、アンチモン化合物層９へのエネルギービームｈの照射によって行う。 （もっと読む）

半導体基材にドーピング領域を形成するための組成物、そのような組成物を作製するための方法、およびそのような組成物を用いてドーピング領域を形成するための方法を提供する。１つの実施形態では、ドーパント含有組成物は、導電性決定型不純物ドーパント、シリケートキャリア、溶媒、および水分吸着最小化成分を含む。別の実施形態では、ドーパント含有組成物は、導電性決定型不純物ドーパント、シリケートキャリア、溶媒、ならびにグリコールエーテル、アルコール、およびこれらの組み合わせから成る群より選択される高沸点物質を含む。この高沸点物質は、少なくとも約１５０℃の沸点を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体に対して導電型を発現させるための不純物としてのホウ素を、低損傷でより浅くドーピングできるようにする。
【解決手段】半導体基板（半導体層）１０１の上にホウ素との水素との化合物（ホウ化水素）のガス１０２を導入すると共に半導体基板１０１の表面に軟Ｘ線１０３を照射する。半導体基板１０１は、例えばシリコン基板もしくはゲルマニウム基板である。また、ガス１０２は、例えば、Ｂ₂Ｈ₆やＢ₁₀Ｈ₁₄などのガスである。これにより、半導体基板１０１の表面に、例えば、水素と１個のホウ素との化合物からなるラジカルが付着する。 （もっと読む）

基体上に多重ドープ接合を形成する方法が開示される。この方法では、基体の前面にホウ素原子をドープするステップと、あるパターンでインクを堆積するステップであって、インクが１組のナノ粒子および１組の溶媒を含むステップと、緻密化膜インクパターンを形成するために、基体を焼き付け雰囲気中で約２００℃〜約８００℃の間の第１の温度まで約３分〜約２０分の間の第１の時間の間加熱するステップと、堆積雰囲気を有する拡散炉中、第２の温度において、第２の時間の間基体をドーパント源に曝露するステップであって、堆積雰囲気がＰＯＣｈ、アーナー（ｅａｒｎｅｒ）Ｎ２ガス、主Ｎ２ガス、および反応性Ｏ２ガスを含み、Ｎ２ガス対Ｏ２ガスの比が約１：１〜約１．５：１の間であるステップとが提供される。
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【課題】微細化が進んだ場合であってもトランジスタのカットオフ特性を改善する。
【解決手段】半導体基板１００上に形成されるｐ型ウェル２には、ビット線ＢＬの長手方向に沿って形成されたトレンチ３に素子分離絶縁膜４が埋め込まれている。素子分離絶縁膜４によりｐ型ウェル２が分離され、メモリトランジスタが形成される素子形成領域２Ａが形成される。素子分離絶縁膜４にはボロン等のｐ型不純物が注入されており、その不純物濃度は、ｐ型ウェル２の不純物濃度よりも大きい。 （もっと読む）