国際特許分類[H01L21/225]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 半導体本体へのまたは半導体本体からのまたは半導体領域間の不純物材料,例.ドーピング材料,電極材料,の拡散;不純物材料の再分布,例.さらなるドーパントの導入または除去をしないもの (951) | 固相,例.ドープされた酸化物層,から固体へのまたは固体から固相への拡散を用いるもの (146)
国際特許分類[H01L21/225]に分類される特許
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成膜方法及び成膜装置
【課題】有害有毒なガスを使用せず、大気圧下で効率よく高濃度の不純物を含む膜を成膜する成膜方法等を提供する。
【解決手段】ボロン又は五酸化リンなどの固体ソースSを噴射孔113を有する容器内110に配置し加熱し蒸発させてガスを発生させキャリアガスを導入し、得られたガスをキャリアガスとともに噴射孔113から噴射し、予熱された基板Wの表面に噴射して不純物を含有する膜を形成する。
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へテロ接合電界効果型トランジスタ及びその製造方法
【課題】耐圧特性の低下やゲートリーク電流の増加を生じることなく、低抵抗で高速動作可能なヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ヘテロ接合FETの製造方法に関し、(a)チャネル層3及びチャネル層3上に形成されたバリア層4を窒化物半導体層として準備する工程と、(b)窒化物半導体層上に不純物拡散源としてZnO膜9を形成する工程と、(c)ZnO膜9上のドレイン電極6及びソース電極5を形成すべき領域以外に酸化膜10を形成する工程と、(d)窒化物半導体層に対して熱処理を行い、酸化膜10が形成されていない領域の下部のチャネル層3及びバリア層4に選択的に、ZnO膜9からZn及びOを拡散させる工程とを備える。
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p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法
【課題】シリコン基板の反りの発生を抑制しながら、p型拡散層を形成することが可能なp型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法を提供する。
【解決手段】p型拡散層形成組成物を、窒化ホウ素及び窒化ホウ素に由来する酸化物を含み、酸素含有率が15質量%以下である窒化ホウ素粒子と、分散媒とを含有して構成する。このp型拡散層形成組成物をシリコン基板上に塗布し熱拡散処理を施すことで、p型拡散層、及びp型拡散層を有する太陽電池素子が製造される。
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シリコン基板の製造方法、シリコン基板、太陽電池用シリコン基板、太陽電池素子の製造方法、太陽電池素子及び太陽電池
【課題】ドーパント濃度が異なる領域を有するシリコン基板を簡便で効率的に製造可能とする。
【解決手段】単位面積あたりのホウ素原子拡散量が選択領域で多くなるよう、窒化ホウ素及び分散媒を含有する拡散剤を下記(1)〜(3)の少なくとも一つの方法によりシリコン基板上に塗布する塗布工程と、前記塗布工程の後、前記シリコン基板を加熱する熱拡散処理工程と、を有するp型拡散層を有するシリコン基板の製造方法。(1)前記拡散剤として、窒化ホウ素の濃度が異なる少なくとも二種の拡散剤を用い、窒化ホウ素の濃度の高い前記拡散剤を前記選択領域に塗布する。(2)前記選択領域では、前記拡散剤の塗布を繰り返して重ね塗りを行う。(3)拡散能の高い窒化ホウ素を含有する前記拡散剤を前記選択領域に塗布する。
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p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法、並びに太陽電池
【課題】熱拡散時におけるシリコン基板の反りの発生を抑制しながら、p型拡散層形成組成物と基板との反応を抑制し、低抵抗なp型拡散層を形成することが可能なp型拡散層形成組成物、これを用いたp型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法、並びに太陽電池の提供する。
【解決手段】p型拡散層形成組成物を窒化ホウ素及び炭化ホウ素から選ばれる少なくとも1種のホウ素化合物と、分散媒と、を含有して構成する。このp型拡散層形成組成物をシリコン基板上に塗布し熱拡散処理を施すことで、p型拡散層、及びp型拡散層を有する太陽電池素子が製造される。
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p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池
【課題】シリコン基板の反りの発生を抑制しながら、p型拡散層を形成することが可能なp型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法を提供する。
【解決手段】p型拡散層形成組成物を、結晶形が六方晶である窒化ホウ素と、分散媒と、を含有して構成する。このp型拡散層形成組成物をシリコン基板上に塗布し熱拡散処理を施すことで、p型拡散層、及びp型拡散層を有する太陽電池素子が製造される。
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レーザドーピング方法および該方法に基づいて製造された半導体基板
【課題】 レーザを照射することによって形成されるリッジに伴う太陽電池の性能の低下を軽減させるレーザドーピング方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板の表面にドーパントを接触させる接触工程と、半導体基板の表面の第1照射領域にレーザ光を照射する第1照射工程と、第1照射領域に形成されたリッジを含んだ第2照射領域を定め、当該第2照射領域にレーザ光を照射する第2照射工程とを有する、レーザ光を照射してドーパントをドープするレーザドーピング方法により解決する。
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不純物拡散用塗布液
【課題】 安定性に優れ、例えば、長時間の連続印刷時でも良好な印刷性が得られるスクリーン印刷用不純物拡散用塗布液を提供すること。
【解決手段】 下記一般式(1)で表される1,2−ジオール構造単位を有するポリビニルアルコール系樹脂(A)、15族元素化合物(B)、および水(C)を含有する。
〔式中、R1 、R2及びR3 はそれぞれ独立して水素原子または有機基を示し、Xは単結合または結合鎖を示し、R4 、R5及びR6 はそれぞれ独立して水素原子または有機基を示す。〕
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不純物拡散用塗布液
【課題】 安定性に優れ、例えば、長時間の連続印刷時でも良好な印刷性が得られるスクリーン印刷用不純物拡散用塗布液を提供すること。
【解決手段】 下記一般式(1)で表される1,2−ジオール構造単位を有するポリビニルアルコール系樹脂(A)、13族元素化合物(B)、および水(C)を含有する。
〔式中、R1 、R2及びR3 はそれぞれ独立して水素原子または有機基を示し、Xは単結合または結合鎖を示し、R4 、R5及びR6 はそれぞれ独立して水素原子または有機基を示す。〕
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塗布型拡散剤組成物
【課題】不純物拡散成分を含む塗布型拡散剤組成物について、半導体基板に塗布したときに十分な膜厚を得ることができ、かつ段差を有する基板に塗布した後、焼成、拡散を行った場合にクラックが生じにくくさせる。
【解決手段】本発明のある態様の拡散剤組成物は、下記一般式(1)で表されるアルコキシシランを出発原料とする縮合生成物(A)と、不純物拡散成分(C)と、有機溶剤(D)とを含有する。
【化1】
(1)式中、R1、R2は有機基であり、複数個のR1、R2は、同一でも異なっていてもよい。mは0、1、もしくは2である。ただし、m=0の場合、縮合化合物(A)は複数の(1)から形成されていて、m=1もしくは2のアルコキシシランを必ず含む。
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