【課題】半導体基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、必要とされる領域以外にもｐ型拡散層が形成されることを抑制しながら、ｐ型拡散層を形成することが可能なｐ型拡散層形成組成物、並びにこれを用いたｐ型拡散層の製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型拡散層形成組成物を、シリコンアルコキシド及びホウ素化合物の反応生成物であるホウ素含有ケイ素酸化物の少なくとも１種を含んで構成する。また半導体基板上に前記ｐ型拡散層形成組成物を塗布し、熱拡散処理してｐ型拡散層を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を形成することが可能であり、形成されたｎ型拡散層上にエッチング残渣のない半導体基板を得る、ｎ型拡散層の製造方法を提供する。
【解決手段】ドナー元素を含むガラス粉末と、分散媒と、を含有するｎ型拡散層形成組成物を備えた半導体基板に、熱拡散処理を施すこと、前記熱拡散処理のために加熱された半導体基板を、前記熱拡散処理の加熱温度から前記ガラス粉末のガラス転移温度までの間、５℃／分以上３００℃／分以下の冷却速度で冷却すること、及び、冷却後に前記半導体基板上に形成されたガラス層をエッチングにより除去すること、を含むｎ型拡散層の製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、基板の反りが抑えられ且つ分散媒由来の残渣が少ないｐ型拡散層を形成する方法、及び太陽電池素子の製造方法の提供。
【解決手段】アクセプタ元素を含むガラス粉末及び分散媒を含有するｐ型拡散層形成組成物を用いてシリコン基板にｐ型拡散層を形成し、超音波洗浄を実施する。 （もっと読む）

【課題】比較的簡便な工程でアクセプタ濃度の異なる領域を一度に形成することが可能な、ｐ型拡散層の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上に、パターニングされた平均厚み０．０１μｍ以上２μｍ以下のシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜を形成したシリコン基板上に、アクセプタ元素を含む組成物層を形成する工程と、組成物層を形成した後に、熱拡散処理を施す工程と、前記熱拡散処理の後に、前記シリコン酸化膜および前記組成物層を除去する工程と、を有するｐ型拡散層の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、基板表面の粗面化を抑制しつつ、シリコン基板中の内部応力、基板の反りを発生させることなくｐ型拡散層を形成可能なｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法の提供。
【解決手段】本発明のｐ型拡散層形成組成物は、アクセプタ元素を含むガラス粉末と、ケイ素粒子と、分散媒とを含有する。このｐ型拡散層形成組成物を塗布し熱拡散処理を施すことで、ｐ型拡散層、及びｐ型拡散層を有する太陽電池素子が製造される。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、不要な領域にｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を形成し、簡略化した工程により充分なオーミックコンタクトが得られるｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法の提供。
【解決手段】本発明のｎ型拡散層形成組成物は、ドナー元素を含むガラス粉末と、分散媒と、を含有する。このｎ型拡散層形成組成物を塗布し熱拡散処理を施すことで、ｎ型拡散層、及びｎ型拡散層を有する太陽電池素子が製造される。 （もっと読む）

【課題】特定の部分にｐ型拡散層を形成することが可能であり、有機物の残存による特性劣化の少ないｐ型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法を提供する。
【解決手段】アクセプタ元素を含むガラス粉末及び有機物を含む分散媒を含有するｐ型拡散層形成組成物を用いてｐ型拡散層の形成を行うに際し、熱拡散処理の前に前記分散媒中に含まれる有機物成分を十分に除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りを発生させることなくｐ型拡散層を形成することが可能であり、形成されたｐ型拡散層上にエッチング残渣のない半導体基板を得る、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法を提供する。
【解決手段】アクセプタ元素を含むガラス粉末と、分散媒と、を含有するｐ型拡散層形成組成物を備えた半導体基板に、熱拡散処理を施すこと、前記熱拡散処理のために加熱された半導体基板を、前記熱拡散処理の加熱温度から前記ガラス粉末のガラス転移温度までの間、５℃／分以上３００℃／分以下の冷却速度で冷却すること、及び、冷却後に前記半導体基板上に形成されたガラス層をエッチングにより除去すること、を含むｐ型拡散層の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上の所望の領域以外に不純物拡散層が形成されることを抑制可能なインクジェット方式によるパターン形成用の不純物拡散層形成組成物、当該不純物拡散層形成組成物を用いた不純物拡散層の製造方法を提供する。
【解決手段】インクジェット用の不純物拡散層形成組成物を、ドナー元素を含むガラス粒子及びシリコンアルコキシドとリン化合物との反応生成物を含む粒子からなる群より選ばれる少なくとも１種のドナー元素を含む無機粒子、又はアクセプタ元素を含むガラス粒子、窒化ホウ素粒子及びシリコンアルコキシドとホウ素化合物との反応生成物を含む粒子からなる群より選ばれる少なくとも１種のアクセプタ元素を含む無機粒子と、分散媒とを含んで構成する。また該不純物拡散層形成組成物をインクジェット方式で半導体基板上に付与し、熱拡散処理することで不純物拡散層を製造する。 （もっと読む）

【課題】比較的簡便な工程でドナー濃度の異なる領域を一度に形成することが可能な、ｎ型拡散層の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上に、パターニングされた平均厚み０．０１μｍ以上２μｍ以下のシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜を形成したシリコン基板上に、ドナー元素を含むガラス層を形成する工程と、ガラス層を形成した後に、熱拡散処理を施す工程と、前記熱拡散処理の後に、前記シリコン酸化膜および前記ガラス層を除去する工程と、を有するｎ型拡散層の製造方法。 （もっと読む）