【課題】 ナノ／微小球リソグラフィによって製造されるナノ／マイクロワイヤ太陽電池を提供する。
【解決手段】 ナノワイヤ／マイクロワイヤ・ベースの太陽電池を製造する技術が提供される。一実施形態において、太陽電池を製造する方法が提供される。本方法は、以下のステップを含む。ドープ基板を準備する。基板の上に球の単層を堆積させる。球は、ナノ球、微小球、又はそれらの組み合わせを含む。球をトリミングして単層内の個々の球の間に空間を設ける。トリミングされた球をマスクとして用いて、基板内にワイヤをパターン形成する。ワイヤは、ナノワイヤ、マイクロワイヤ、又はそれらの組み合わせを含む。ドープ・エミッタ層をパターン形成されたワイヤ上に形成する。上部コンタクト電極をエミッタ層の上に堆積させる。底部コンタクト電極を基板のワイヤとは反対の側に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性の低下を安定して抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面上にぬれ性改善膜を形成する工程と、ぬれ性改善膜の表面上に第１導電型または第２導電型のドーパントを含有するドーパント拡散剤を塗布する工程と、ドーパント拡散剤から半導体基板にドーパントを拡散させることによってドーパント拡散層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

本発明は、反応ガスおよびガスの形態のホウ素前駆体の搬送ガスの注入手段が内部に設けられたウォールを一端に含む炉のエンクロージャ内の支持台上に設置されたシリコンウェハのホウ素ドーピング方法であって、ａ） 酸化ホウ素Ｂ２Ｏ３ガラス層を形成させるために、エンクロージャ内で、１ｋＰａから３０ｋＰａまでの圧力かつ８００℃から１１００℃までの温度で、反応ガスを搬送ガス内に希釈させた三塩化ホウ素ＢＣｌ３と反応させるステップと、ｂ） １ｋＰａから３０ｋＰａまでの圧力でＮ２＋Ｏ２の雰囲気下でシリコン内でホウ素の分散を行うステップとを含むことを特徴とする方法を対象とする。前記ドーピング方法を実施するための炉、ならびに特に太陽電池に適用する大型ホウ素ドープシリコンウェハの製造への本方法の適用もまた特許請求の範囲である。
（もっと読む）

【課題】ドーパント拡散層のドーパント濃度の低下を抑制して半導体装置の特性の低下を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面に拡散抑制マスクを形成する工程と、半導体基板の表面上に拡散抑制マスクと間隔を空けて第１導電型または第２導電型のドーパントを含有するドーパント拡散剤を塗布する工程と、ドーパント拡散剤から半導体基板にドーパントを拡散させることによってドーパント拡散層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高濃度ドーパント拡散層および低濃度ドーパント拡散層を所望の位置に安定して形成することが可能な太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面上に第１導電型または第２導電型のドーパントを含有するドーパント拡散剤を塗布する工程と、ドーパント拡散剤の表面上に開口部および／または薄膜部と厚膜部とを有する拡散抑制マスクを形成する工程と、拡散抑制マスクが設置されたドーパント拡散剤から半導体基板の表面にドーパントを拡散させる工程とを含む太陽電池の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ドープシリコン膜中にドープ材料を多く残留させるドープシリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ドープシリコン膜１１０の製造方法は、液体材料１０８を塗布して塗布膜１０９を形成する工程と、塗布膜１０９を熱処理する工程と、を含み、液体材料１０８がシラン化合物１１とドーパント化合物１２とを含む溶液に、第１の光源１１１から射出される第１の光と、第２の光源１１２から射出される第１の光と波長の異なる第２の光とを照射することで得られるシリコン前駆体組成物を含むものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ゲートのデプリーションの影響が最小にされた、半導体デバイスのゲート電極の製造方法が提案される。
【解決方法】この方法は、２つの堆積プロセスで構成され、第１工程では、薄い層を堆積し、イオン注入により激しくドーピングする。第２堆積は、ドーピングに関連するイオン注入により、ゲート電極を完成させる。この２つの堆積プロセスにより、ゲート電極／ゲート誘電体界面におけるドーピングを最大にする一方で、ホウ素がゲート誘電体に浸透するリスクを最小にすることができる。別の構成では、両ゲート電極層のパターン形成を含み、ドレイン延長部及びソース／ドレインの注入をゲートのドーピングの注入として使用する利点と、２つのパターンをずらし、非対称デバイスを生成するという選択肢がある。ドーパントを、誘電体層の中に含まれる注入層から半導体表面に拡散させることにより、浅い接合部を半導体基板に形成する方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】より高い吐出安定性と印刷性を有するインクジェット方式印刷用の拡散剤組成物、当該拡散剤組成物を用いた不純物拡散層の形成方法、および太陽電池を提供する。
【解決手段】シリコン基板等のＮ型の半導体基板１上に、Ｐ型の不純物拡散成分（Ａ）を含有する拡散剤組成物２と、Ｎ型の不純物拡散成分を含有する拡散剤組成物３とを選択的に塗布する。その後、周知の手段を用いて乾燥させる。そして、電気炉等の拡散炉内に載置して焼成し、拡散剤組成物２中のＰ型の不純物拡散成分（Ａ）、および拡散剤組成物３中のＮ型の不純物拡散成分を半導体基板１の表面から半導体基板１内に拡散させる。 （もっと読む）

【課題】高濃度ドーパント拡散層と低濃度ドーパント拡散層とを有する半導体装置の製造工程を簡略化することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面上に第１導電型または第２導電型のドーパントを含有する低濃度ドーパント拡散剤を塗布する工程と、低濃度ドーパント拡散剤上に低濃度ドーパント拡散剤よりもドーパントの濃度が高い高濃度ドーパント拡散剤を塗布する工程と、低濃度ドーパント拡散剤から半導体基板にドーパントを拡散させることによって低濃度ドーパント拡散層を形成する工程と、高濃度ドーパント拡散剤から半導体基板にドーパントを拡散させることによって高濃度ドーパント拡散層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

異なる伝導率決定タイプ元素のプロファイルを有するドーピング領域を同時に形成するための方法を提供する。ある実施形態では、方法は、第1のドーパントから半導体材料の第1の領域に、第1の伝導率決定タイプ元素を拡散するステップを有し、ドーピングされた第1の領域が形成される。第２の伝導率決定タイプ元素は、ドーピングした第２の領域を形成するために第２のドーパントから半導体材料の第２の領域に、同時に拡散される。第1の伝導率決定タイプ元素は、第２の伝導率決定タイプ元素と同じ伝導率決定タイプのものである。 ドーピングした第1の領域に、ドーピングした第２の領域のドーパントプロファイルと異なるドーパントプロファイルがある。
（もっと読む）