【課題】結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、ライフタイムを大きく低下させずに、シリコン基板中の内部応力、基板の反りを抑制しつつｐ型拡散層を形成することが可能なｐ型拡散層形成組成物であって、且つ分散安定性に優れるｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。
【解決手段】本発明のｐ型拡散層形成組成物は、アクセプタ元素を含むガラス粉末と、重量平均分子量が５０００以上５０００００以下であるバインダーと、溶剤と、を含有する。このｐ型拡散層形成組成物を塗布し、熱拡散処理を施すことで、ｐ型拡散層、及びｐ型拡散層を有する太陽電池セルが製造される。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を形成可能で、分散安定性に優れるｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。
【解決手段】ｎ型拡散層形成組成物に、ドナー元素を含むガラス粉末と、重量平均分子量が５０００以上５０００００以下であるバインダーと、溶剤と、を含有せしめる。このｎ型拡散層形成組成物を塗布し熱拡散処理を施すことで、ｎ型拡散層、及びｎ型拡散層を有する太陽電池セルが製造される。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りの発生を抑制しつつ、短時間でｐ型拡散層を形成するｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。
【解決手段】本発明のｐ型拡散層形成組成物は、アクセプタ元素を含むガラス粉末と、分散媒と、を含有する。ｐ型拡散層形成組成物のガラス粉末の含有比率は、１質量％以上９０質量％以下の範囲である。このｐ型拡散層形成組成物を塗布し熱拡散処理を施すことで、ｐ型拡散層、及びｐ型拡散層を有する太陽電池セルが製造される。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく、短時間で特定の部分にｎ型拡散層を形成するｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。
【解決手段】本発明のｎ型拡散層形成組成物は、ドナー元素を含むガラス粉末と、分散媒と、を含有する。ｎ型拡散層形成組成物のガラス粉末の含有比率は、１質量％以上９０質量％以下の範囲である。このｎ型拡散層形成組成物を塗布し熱拡散処理を施すことで、ｎ型拡散層、及びｎ型拡散層を有する太陽電池セルが製造される。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りの発生を抑制しつつｐ型拡散層および裏面電極を形成することが可能なｐ型拡散層形成組成物、および、これを用いて形成された太陽電池セルの提供を提供する。
【解決手段】ｐ型拡散層形成組成物を、金属粒子と、アクセプタ元素を含むガラス粒子と、樹脂と、溶剤と、を含んで構成する。また、半導体基板上に該ｐ型拡散層形成組成物を塗布した後、熱処理することで形成されたｐ型拡散層および電極を備える太陽電池セルである。 （もっと読む）

【課題】優れた塗膜形成性および吐出安定性を有し、スプレー塗布法に好適に採用可能な拡散剤組成物、当該拡散剤組成物を用いた不純物拡散層の形成方法、および太陽電池を提供する。
【解決手段】拡散剤組成物は、半導体基板への不純物拡散剤層の形成に用いられる拡散剤組成物であって、不純物拡散成分（Ａ）と、ケイ素化合物（Ｂ）と、沸点が１００℃以下である溶剤（Ｃ１）、沸点が１２０〜１８０℃である溶剤（Ｃ２）、および沸点が２４０〜３００℃である溶剤（Ｃ３）を含む溶剤（Ｃ）と、を含有する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池製造プロセスにおけるインクジェット塗布法に適した溶液特性を有するリンドーパント拡散用塗布液、それにより形成され、優れた拡散性能を有する塗布膜および太陽電池の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】結晶系太陽電池の製造工程において、リン拡散層形成用のリンドーパント拡散用塗布膜をインクジェット塗布法によりシリコン結晶基板に形成するための塗布液であり、溶質としてリン化合物およびケイ素化合物を含有し、かつ溶媒として炭素数６以上のアルコールを前記塗布液中の全溶媒量に対して５０重量％以上含有することを特徴とするリンドーパント拡散用塗布液により、上記の課題を解決する。 （もっと読む）

基板上に多重ドープ接合を形成する方法が開示される。この方法は、ホウ素原子をドープされた基板を提供することを含み、基板は前面の基板表面を含む。この方法は、前面の基板表面にインクパターンでインクを堆積することをさらに含み、インクは、１組のシリコン含有粒子および１組の溶媒を含む。この方法は、高密度の薄膜インクパターンを形成するために、ベーキングアンビエント中で基板を第１の温度へ、および第１の期間、加熱することも含む。この方法は、基板を堆積アンビエントを有する拡散炉内でドーパント源にさらし、この堆積アンビエントが第２の温度で、および第２の期間、ＰＯＣＩ₃、キャリアＮ２ガス、メインＮ２ガスおよび反応性Ｏ２ガスを含む工程であり、ＰＳＧ層が、前面の基板表面および高密度の薄膜インクパターンの上に形成される工程と、第３の温度および第３の期間へ、ドライブインアンビエント（ｄｒｉｖｅ−ｉｎ ａｍｂｉｅｎｔ）中で基板を加熱する工程とをさらに含み、第１のシート抵抗を有する第１の拡散領域が、高密度の薄膜インクパターンによって覆われた前面の基板表面の下で形成され、また、第２のシート抵抗を有する第２の拡散領域が、高密度の薄膜インクパターンで覆われていない前面の基板表面の下で形成され、ここで第１のシート抵抗が第２のシート抵抗より実質的に小さい。
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III-V族半導体装置における導電性の改善について示した。第1の改良は、チャネル層とは幅の異なるバリア層を有することである。第2の改良は、金属／Si、Ge、またはシリコン-ゲルマニウム／III-Vスタックの熱処理により、Siおよび／またはゲルマニウムドープIII-V層に、金属-シリコン、金属-ゲルマニウム、または金属-シリコンゲルマニウム層を形成することである。次に、金属層が除去され、金属-シリコン、金属-ゲルマニウム、または金属シリコンゲルマニウム層上に、ソース／ドレイン電極が形成される。第3の改良は、III-Vチャネル層上に、IV族元素および／またはVI族元素の層を形成し、熱処理し、III-Vチャネル層に、IV族および／またはVI族化学種をドープすることである。第4の改良は、III-V装置のアクセス領域に形成された、パッシベーション層および／またはダイポール層である。
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【課題】ドーパント拡散領域の少なくとも一部の端部において、基板の表面と平行な方向に急峻に変化するドーピング濃度プロファイルを形成するレーザドーピング方法を提供する。
【解決手段】レーザ光８１の照射により基板１０の表面１２上に形成される照射像９１は、表面１２と平行な第１の方向において第１照射像領域Ｒ１と第２照射像領域Ｒ２とを含む。レーザ光８１の光強度密度は、第１照射像領域Ｒ１において第１光強度密度Ｐ１で略均一であり、第２照射像領域Ｒ２において第１光強度密度Ｐ１より高く且つピーク値である第２光強度密度Ｐ２を含む。第２照射像領域Ｒ２におけるレーザ光８１の光強度密度プロファイルは、第１照射像領域Ｒ１から第２照射像領域Ｒ２に向かう方向において、第１光強度密度Ｐ１を起点として第２光強度密度Ｐ２に向かい、第２光強度密度Ｐ２おいてピーク値となり、当該ピーク値を起点として以降減少する。 （もっと読む）