【課題】ドープ基板から余分なドーパントを除去するための方法および装置を提供する。
【解決手段】基板がエネルギーによるドーパントの打込みによってドープされる。反応性ガス混合物が、任意選択でプラズマを用いてプロセスチャンバに供給されて、表面上に吸着した余分なドーパントおよび表面付近の高濃度ドーパントと反応することによってそのドーパントを除去し、それによって揮発性化合物を形成する。反応性ガス混合物は、熱処理中に供給することができ、または前後に熱処理温度とは異なる温度で供給することができる。揮発性化合物は除去される。そのように処理された基板は、保管されているとき、またはプロセス装置の外に移送されるときに、毒性化合物を形成しない。 （もっと読む）

【課題】半導体基板へのＮ型不純物拡散成分の印刷に用いることができる拡散剤組成物の保存安定性の向上を図りつつ、拡散性能の向上を図りつつ、不純物拡散成分の半導体基板への拡散性を向上させる。
【解決手段】拡散剤組成物は、縮合生成物（Ａ）と不純物拡散成分（Ｂ）とを含有する。
縮合生成物（Ａ）は、アルコキシシランを加水分解して得られる反応生成物である。不純物拡散成分（Ｂ）は、リン酸モノエステル、リン酸ジエステルまたはこれらの混合物である。 （もっと読む）

【課題】横型拡散炉が煩雑化することなく、中心部と外周部を含むウェーハ面内の拡散層深さの面内均一性が高い拡散ウェーハを製造することができる横型拡散炉及びそれを用いた半導体ウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る横型拡散炉１は、炉本体１０と、炉口１０ｂを閉塞する閉塞体１５と、炉本体１０内を加熱する加熱体２０と、半導体ウェーハＷを複数平行保持させる横型ボート３０と、平行保持させた半導体ウェーハＷへのプロセスガスＰ_Ａの直接的な接触を遮蔽すると共に、半導体ウェーハＷの上方領域Ｏ_１の外周部近傍を通過するプロセスガスＰ_Ａのガス流速をＳＯ_１（０は含まず）、半導体ウェーハＷの側方領域Ｏ_２の外周部近傍を通過するプロセスガスＰ_Ａのガス流速をＳＯ_２（０は含まず）としたときに、ＳＯ_１＜ＳＯ_２の関係を満たすように、側方領域Ｏ_２の外周部近傍を通過する前のプロセスガスＰ_Ａを整流するプロセスガス整流板４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を、所望の形状に形成可能であるｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。
【解決手段】ｎ型拡散層形成組成物に、ドナー元素を含むガラス粉末と、分散媒と、を含有せしめ、２５℃における粘度が２０Ｐａ・ｓ以上１０００Ｐａ・ｓ以下となるように構成する。このｎ型拡散層形成組成物を塗布し熱拡散処理を施すことで、ｎ型拡散層、及びｎ型拡散層を有する太陽電池セルが製造される。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、ライフタイムを大きく低下させずに、シリコン基板中の内部応力、基板の反りを抑制しつつ、部位選択的にｐ型拡散層を形成することが可能なｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。
【解決手段】本発明のｐ型拡散層形成組成物は、アクセプタ元素を含むガラス粉末と、分散媒と、を含有し、２５℃における粘度が２０Ｐａ・ｓ以上１０００Ｐａ・ｓ以下である。このｐ型拡散層形成組成物を塗布し、熱拡散処理を施すことで、ｐ型拡散層、及びｐ型拡散層を有する太陽電池セルが製造される。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りを抑制しつつ、面内バラツキの小さいｐ型拡散層を形成することが可能なｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層形成組成物の製造方法、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。
【解決手段】アクセプタ元素を含むガラス粉末と、分散媒と、を含有し、前記ガラス粉末の体積基準における頻度分布が複数の極大ピークを有し、前記複数の極大ピークのうちいずれか２つの極大ピークにおいて、小径側の極大ピークの粒子径が、大径側の極大ピークの粒子径の０．０１倍以上０．５０倍以下であるｐ型拡散層形成組成物である。 （もっと読む）

【課題】基板において不純物が拡散する領域のばらつきを抑えることができるレーザ加工方法およびレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】レーザ加工装置は、被加工物６００に照射されるレーザ光Ｂを発振するレーザ発振器４００と、レーザ加工装置の動作を全体的に制御する制御システム１００を含む。制御システム１００は、被加工物６００表面がレーザ光Ｂのフォーカス位置に位置するように、被加工物６００の表面の位置を調整する。また、制御システム１００は、必要とされる拡散深さまたは拡散幅に応じて、レーザ発振器４００が発振するレーザ光Ｂの強度を制御する。 （もっと読む）

【課題】従来のＩＧＢＴの製造方法によって製造されるＩＧＢＴよりもオン抵抗の低いＩＧＢＴを、安価な製造コストで製造することが可能なＩＧＢＴの製造方法を提供する。
【解決手段】パンチスルー型のＩＧＢＴを製造するためのＩＧＢＴの製造方法。ｎ⁻型シリコン基板１１２を準備する第１工程と、ｎ⁻型シリコン基板１１２の第１主面側表面にＭＯＳ構造１２０を形成する第２工程と、ｎ⁻型シリコン基板１１２を研削・研磨してｎ⁻型シリコン基板１１２を薄くする第３工程と、ｎ⁻型シリコン基板１１２の第２主面側からｎ⁻型シリコン基板１１２の内部にｎ型不純物を導入する第４工程と、ｎ⁻型シリコン基板１１２の第２主面側の表面上にｐ型不純物を含有する多結晶シリコン層１１６”を形成する第５工程と、ｎ⁻型シリコン基板１１２の第２主面側からレーザー光を照射して多結晶シリコン層１１６”を溶融させる第６工程とをこの順序で含む。 （もっと読む）

【課題】ドープ領域における不連続部に対するリスクを増加させないで、ドーピング元素ペーストの量を減少させることである。
【解決手段】ドーピング元素ペーストのペースト層６を基板にスクリーン印刷し、該スクリーン印刷したドーピング元素ペーストのペースト層を焼成して行うドーピング元素との合金化により、基板４の半導体層にドープ領域を形成する方法であって、高純度ドーピング元素層５を半導体層に付与した後、ペースト層をドーピング元素層にスクリーン印刷することを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を形成可能で、分散安定性に優れるｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。
【解決手段】ｎ型拡散層形成組成物に、ドナー元素を含むガラス粉末と、重量平均分子量が５０００以上５０００００以下であるバインダーと、溶剤と、を含有せしめる。このｎ型拡散層形成組成物を塗布し熱拡散処理を施すことで、ｎ型拡散層、及びｎ型拡散層を有する太陽電池セルが製造される。 （もっと読む）