トランジスタゲートは、表面上に配置された一対のスペーサを有する基板と、スペーサ間で基板上にコンフォーマルに堆積された高ｋ誘電体と、高ｋ誘電体上とスペーサの側壁の一部に沿ってコンフォーマルに堆積されたリセスされた仕事関数金属と、リセスされた仕事関数金属上にコンフォーマルに堆積された第２の仕事関数金属と、第２の仕事関数金属上に堆積された電極金属とを含む。トランジスタゲートは、高ｋ誘電体を基板上のスペーサ間にあるトレンチ内にコンフォーマルに堆積し、高ｋ誘電体上に仕事関数金属をコンフォーマルに堆積し、仕事関数金属上に犠牲マスクを堆積し、仕事関数金属の一部を露出すべく犠牲マスクの一部をエッチングし、リセスされた仕事関数金属を形成すべく仕事関数金属の露出された一部をエッチングすることにより形成されうる。第２の仕事関数金属及び電極金属が、リセスされた仕事関数金属上に堆積されうる。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタを構成するｐ型半導体層内のドーパント不純物量やｐ型層とゲート絶縁膜間の界面準位密度を制御することにより、チャネルとなるｐ型半導体層の低抵抗を確保しつつ、コラプス現象を抑制し、更に高温での動作を安定化し、良好な信頼性を確保する。
【解決手段】基板２と、前記基板２の上に形成され、ｐ型のドーパントとともにｎ型のドーパントがドーピングされた前記基板と格子定数が異なるｐ型の窒化物系化合物半導体層３と、前記ｐ型の窒化物系化合物半導体層３上に形成された絶縁膜４と、前記ｐ型の窒化物系化合物半導体層３をチャネル層とするために前記ｐ型の窒化物系化合物半導体層３と電気的に接続されたソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄと、前記絶縁膜４上に形成されたゲート電極Ｇと、を有する電界効果トランジスタ１。 （もっと読む）

【課題】塗布による安価な有機トランジスタを作成しようとするとき、安価な電極材料では半導体との接触抵抗が大きく、接触抵抗の小さい電極材料は高価であるという問題がある。これを解決するために、材料費も製造コストも安価に済み、且つ半導体との接触抵抗が小さい高性能な有機トランジスタ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】電極本体は主に安価な第１の金属で作成し、その表面を高価だが高性能な第２の金属の薄膜で覆う構造を作成する。この構造を安価に安定に得るために、第１の金属と第２の金属の合金において第２の金属が表面偏析しやすいという性質を利用する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置においてシリサイドの低抵抗化を阻害することなくゲート電極を狭幅化できるようにする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン半導体基板１の表面領域の全面にポリシリコン膜４を形成し、このポリシリコン膜４をパターニングして、フィールド酸化膜２におけるポリシリコン膜４'の線幅が素子形成領域におけるポリシリコン膜４の線幅よりも大きくなるようにする。次いで、ＭＯＳＦＥＴのゲート幅を規定する１層目のポリシリコン膜４，４'の上、及び、側壁ＳｉＮ膜６の上にＳｉＯ2膜８を介して、ポリシリコン膜４，４'よりも幅広の２層目のポリシリコン膜を形成し、その２層目のポリシリコン膜をシリサイド化して、チタンシリサイド層１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 一般に溶媒への溶解度が低いため溶液の形成が困難な導電性電荷移動錯体材料であっても、有機金属薄膜の溶液プロセスによる有機半導体装置用の電極作製を可能にすることを課題とする。
【解決手段】 有機半導体層を形成する工程と、該有機半導体層上の一部に、電子供与性分子と電子受容性分子をそれぞれ別々に有機溶媒に溶解させて得られた二種類のインクを、各インクヘッドから同時又は交互に吐出させることにより反応させて、導電性の電荷移動錯体電極を形成する工程とを含む有機半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体素子の微細パターン形成方法に関する。
【解決手段】被食刻層上部にハードマスクパターンを形成する段階と、ハードマスクパターン上に第１有機膜を形成する段階と、その結果物上部に第２有機膜を形成する段階と、第１有機膜が露出するまで第２有機膜に対する平坦化工程を行なう段階と、被食刻層が露出するまで第１有機膜及び第２有機膜を食刻してハードマスクパターンの間に第１有機膜及び第２有機膜が積層された有機マスクパターンを形成する段階と、ハードマスクパターン及び有機マスクパターンを食刻マスクに被食刻層を食刻して被食刻層パターンを形成する段階とを含むことにより、露光装備の解像度以上の微細パターンを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 自己整合型金属シリサイド・コンタクトを形成するための方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、露出した誘電体領域により互いに離間された少なくとも２つのシリコン含有半導体領域の上に自己整合型金属シリサイド・コンタクトを形成するための方法に関する。そのように形成された自己整合型金属シリサイド・コンタクトの各々は、少なくとも、実質的に滑らかな表面をもつニッケル・シリサイド及び白金シリサイドを含み、露出した誘電体領域は、本質的に、金属及び金属シリサイドがないことが好ましい。この方法は、ニッケル又はニッケル合金を堆積するステップと、低温アニーリング・ステップと、ニッケル・エッチング・ステップと、高温アニーリング・ステップと、王水エッチング・ステップとを含むことがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造歩留りを向上する。
【解決手段】半導体ウエハ１にウエハ・プロセスを施した後に再配線を施してから、半田印刷用のマスク３２を用いて半導体ウエハ１の端子２３上に半田ペースト３１を印刷法で供給する。その後、半田リフロー処理により半田バンプを形成してから、半導体ウエハ１をダイシングして、半導体チップを製造する。半田印刷に用いるマスクは、半導体ウエハ１に接する側の主面３２ａの表面粗さを０．３μｍ以下とし、マスク３２のテンションを７００μｍ〜９００μｍとしている。 （もっと読む）

【課題】 制御電極と電荷蓄積層との間の絶縁膜を改善することにより、優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板１１と、半導体基板上に形成された第１の絶縁膜１２と、第１の絶縁膜上に形成された電荷蓄積層１３と、電荷蓄積層上に形成された第２の絶縁膜２０と、第２の絶縁膜上に形成された制御電極２１とを備えた半導体装置であって、第２の絶縁膜は、下層シリコン窒化膜２０４と、下層シリコン窒化膜上に形成された下層シリコン酸化膜２０１と、下層シリコン酸化膜上に形成され且つ金属元素を含有した７よりも高い比誘電率を有する中間絶縁膜２０２と、中間絶縁膜上に形成された上層シリコン酸化膜２０３と、上層シリコン酸化膜上に形成された上層シリコン窒化膜２０５とを含む。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を用いた酸化物トランジスタを低コストで効率的に製造することを目的とする。
【解決手段】ソース電極４、ドレン電極４及びゲート電極２の３つの電極、チャネル層６及びゲート絶縁膜３の各要素を基板上に形成してなる酸化物トランジスタにおいて、上記各要素の少なくとも２以上をそれぞれ電気抵抗率の異なるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜で形成した。 （もっと読む）