【課題】絶縁性基板上に下地絶縁層を介して半導体層が形成された半導体装置において、絶縁性基板に含まれている不純物が半導体層に作用するのを防止して、半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】開示されるＴＦＴ１０は、下地絶縁層２に、絶縁性基板１表面から略１００ｎｍ以内の領域に、絶縁性基板１表面から半導体層３に向かってボロン濃度が平均的に１ｎｍあたり略１／１０００倍以下の割合で減少するようにボロンが含まれている。 （もっと読む）

【課題】可視及び赤外域での透過性に優れた酸化物透明導電膜を提供することを目的とする。また、本発明の酸化物透明導電膜を光電変換素子の透明電極として用いることにより、従来では不可能であった赤外域の分光感度の高い高効率太陽電池、あるいは微弱な赤外線を検出できる高性能光検出素子を実現することを目的とする。
【解決手段】酸化物透明導電膜は、酸化インジウムを主成分とし、ジルコニウムを含有する透明導電膜において、ジルコニウム／インジウムの原子数比が０より大きく０．１以下の割合で含まれていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】抵抗体とＭＯＳトランジスタを同一基板に備える、半導体装置を製造するにあたり、コンタクトの導通不良を防ぐとともに、シリコン基板への配線金属の溶出を防ぐ。
【解決手段】先ず、下地２０を用意する。次に、下地上にシリコン酸化膜３０を形成する。次に、シリコン酸化膜３０上にシリコン窒化膜５０を形成する。次に、シリコン窒化膜上に層間絶縁膜６０を形成する。次に、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及び層間絶縁膜の積層体６５を貫通するコンタクトホール７０を設ける。ここで、シリコン酸化膜の厚みを、３２〜４８ｎｍの範囲内の値とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、解像度の高い反転印刷法用いて基材上へインキからなる画像パターンを形成するにあたり、基材の特定の箇所へ精度良くインキパターンを形成することを目的とする。
【解決手段】
基材上にインキパターンを形成する印刷方法であって、ブランケット上にインキ層を設ける工程と、凸部パターンを有する凸版をブランケットに接触させることにより、該ブランケット上のインキ層のうち凸部パターンと接触した部分のインキを除去し、該ブランケット上にインキパターンを形成する工程と、ブランケット上のインキパターンを、非インキパターン部に撥インキパターンを備えた基材と接触させ転写し、基材上に前記インキパターンから前記撥インキパターンを差し引いたパターンを形成する工程を備えることを特徴とする印刷方法とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板のＧａＮ系半導体層との界面付近に形成されたＰ型拡散領域を介し流れる電流を抑制することが可能な半導体装置および半導体装置製造用基板並びにその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、元素がイオン注入されたＳｉ基板（１０）と、Ｓｉ基板（１０）上に設けられたＧａＮ、ＡｌＮおよびＩｎＮの少なくとも１つを含む半導体層（２０）と、半導体層（２０）上に設けられた電極（２２、２４、２６）と、を具備することを特徴とする半導体装置および半導体装置製造用基板並びにその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高温環境下におけるオーミック電極の十分な信頼性を確保しながら、高湿度環境下におけるオーミック電極の信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置を、基板１１と、ｎ型半導体層３又はアンドープ半導体層と、オーミック電極１２，１３とを備え、オーミック電極１２，１３が、ｎ型半導体層３又はアンドープ半導体層上に形成されたタンタル層９と、タンタル層９上に形成されたアルミニウム層１０と、アルミニウム層１０上に形成され、タンタル，ニッケル，パラジウム，モリブデンのうちのいずれか１つの材料からなる金属層９とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】埋め込み特性や膜特性に優れたシリコン酸化膜を高アスペクト比を有する凹部に形成することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板の主表面側に形成された凹部を有する下地領域と、前記下地領域の凹部内全体に埋め込まれた塩素を含有するシリコン酸化膜とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ニッケルフルシリサイドゲート（Ｎｉ Ｆｕｌｌｙ Ｓｉｌｉｃｉｄｅｄ Ｇａｔｅ、以下Ｎｉ−ＦＵＳＩゲート）を有するｎ型ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧の制御を考えた場合に、Ｓｉの組成比が大きいＮｉ−ＦＵＳＩゲートが望ましい。また、一般に、Ｓｉの組成比が大きなニッケルシリサイド化には高温の熱処理が必要である。しかし、高温の熱処理を行うと、Ｓｉの組成比が大きなシリサイド層を均一に形成することができない。したがって、Ｓｉの組成比が大きいＮｉ−ＦＵＳＩゲートの形成が困難である。
【解決手段】第１のゲート電極上部をコバルトシリサイド化する第１の工程と、前記第１のゲート電極、および第２のゲート電極をニッケルフルシリサイド化する第２の工程とを用いる。 （もっと読む）

【課題】金属残渣とレジスト残渣を生じることを防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】レジストパターン１９の開口部１８に金属を堆積させて電極２１を形成する金属堆積工程Ｓ２８を有する半導体装置の製造方法において、金属堆積工程Ｓ２８と、リフトオフで電極を構成する金属以外の金属を除去するリフトオフ工程Ｓ３０の間に、レジストパターン１９の開口部１８の側壁部１９ｓを除去する側壁部除去工程Ｓ２９を設ける。 （もっと読む）

【課題】動作抵抗及びスイッチング損失が低く且つスイッチング特性に優れた半導体装置を形成する。
【解決手段】半導体基板(1)の所定の深さ領域(15)に半導体基板(1)の他の深さ領域(16,17)より酸素濃度の高い酸素富裕層(4)を形成し、半導体基板(1)に放射線を照射して、酸素富裕層(4)に再結合領域(5)を形成する。酸素富裕層(4)を形成した後に、半導体基板(1)に放射線を照射して、半導体基板(1)の結晶格子間に原子空孔を形成すると、酸素と原子空孔とが結合して成る複合欠陥により酸素富裕層(4)に再結合領域(5)が形成される。再結合領域(5)は、半導体基板(1)の所定の深さ領域(15)でキャリアのライフタイムを制御するキャリア捕獲領域となる。 （もっと読む）