【課題】しきい値のシフトの抑制可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】高誘電率絶縁膜１３上に、高誘電率絶縁膜１３中の金属元素１の上層への拡散を防止する拡散防止膜１０が形成されるため、高誘電率絶縁膜１３中の金属元素１の上層への拡散が防止される。その結果として、高誘電率絶縁膜１３中の金属元素１と、絶縁膜１４とゲート電極１５の境界近傍において、ゲート電極１５のＳｉ元素との反応および結合が抑制される。 （もっと読む）

【課題】長期間にわたり安定に作動させ、かつ、クロストークを防止することができるとともに、製造工程の工程数を削減することによって、製造コストを大幅に低減できることが可能なＴＦＴ基板及び反射型ＴＦＴ基板並びにそれらの製造方法の提案を目的とする。
【解決手段】反射型ＴＦＴ基板１ａは、ガラス基板１０と、上面がゲート絶縁膜３０に覆われ、かつ、側面が層間絶縁膜５０に覆われることにより絶縁されたゲート電極２３及びゲート配線２４と、ゲート電極２３上のゲート絶縁膜３０上に形成されたｎ型酸化物半導体層４０と、ｎ型酸化物半導体層４０上に、チャンネル部４４によって隔てられて形成された反射金属層６０ａと、チャンネル部４４を保護するチャンネルガード５００とを備えた構成としてある。 （もっと読む）

サリサイドの接触形成を向上させ、かつ、トランジスタの外部抵抗を減らす方法および装置が開示される。基板の表面上にゲート電極が形成される。基板内にソース領域およびドレイン領域が等方性エッチングされる。ソース領域およびドレイン領域において、シリコンゲルマニウム合金がその場でホウ素によりドーピングされる。シリコンゲルマニウム合金上にシリコンが堆積される。シリコン上にニッケルが堆積される。シリコンゲルマニウム合金上にニッケルシリコンゲルマニウムシリサイド層が形成される。ニッケルシリコンゲルマニウムシリサイド層上にニッケルシリコンシリサイド層が形成される。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＧａＡｌＰ系半導体を発光部に用いた半導体発光素子において、発光部で発光した光の取り出し効率を向上させ、加えて発光効率の向上を実現しうる発光素子を提供する。
【解決手段】導電性基板と、前記導電性基板の上に設けられた第一導電型のＩｎＧａＡｌＰ系半導体からなる第一のクラッド層と、前記第一のクラッド層の上に設けられたＩｎＧａＡｌＰ系半導体からなる発光層と、前記発光層の上に設けられた第二導電型のＩｎＧａＡｌＰ系半導体からなる第二のクラッド層と、前記第二のクラッド層の上に設けられた第二導電型の半導体からなる電流拡散層とを備える構成とし、前記電流拡散層上のオーミック電極形状と、前記第一導電型のＩｎＧａＡｌＰ系半導体からなる第一のクラッド層下のオーミック配線電極部を同形状にし、また光取り出し面側の周辺部に設ける構成とした。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛系材料を用いたｐ型半導体層に対し、良好なオーミック接触を得ることができる半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子は、酸化亜鉛系材料を用いたｐ型半導体層１０３と、ｐ型半導体層１０３上に形成されたｐ側電極１０５とを備える。ｐ型半導体層１０３とｐ側電極１０５との界面（中間層１０４）には、主要な構成元素として５Ｂ族元素が含まれる。 （もっと読む）

【課題】 自己整合的に基板のコンタクト部をユニバーサルコンタクトホール内に形成することができる半導体装置の製造方法及びこの製造方法により形成された半導体装置を提供する。
【解決手段】 層間絶縁膜９にソース領域３が露出されたユニバーサルコンタクトホール７を開口し、ユニバーサルコンタクトホール７から半導体基板１００に第１導電型（Ｐ型）不純物を注入してユニバーサルコンタクトホール７の底面中央に露出するソース領域３を基板領域と同じ導電型の第１導電型領域５にする。ユニバーサルコンタクト１３はユニバーサルコンタクトホール７底面周縁部に露出するソース領域３に電気的に接続されている。基板領域とソース領域のコンタクトの位置関係が一定となりソース領域における電流の不均衡が解消される。 （もっと読む）

【課題】 デバイス特性の良好な積層ゲート構造を含む半導体装置を高い歩留まりで製造する方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板上にゲート絶縁膜、第一のシリコン膜及びマスク膜を形成する工程、前記半導体基板に達して、前記第一のシリコン膜及び前記マスク膜に複数の溝を形成する工程、前記複数の溝内にシリコン酸化膜を埋め込む工程、前記マスク膜を除去して、埋め込まれた前記シリコン酸化膜の間に前記第一のシリコン膜を露出する工程、前記第一のシリコン膜上に第二のシリコン膜を選択的に成長させる工程、研磨粒子とカチオン性界面活性剤とを含有し、ｐＨ１３以下のアルカリ性のスラリーを用いて前記第二のシリコン膜を平坦化し、第一のシリコン膜及び第二のシリコン膜からなるフローティングゲート電極膜を得る工程、前記フローティングゲート電極膜及び前記シリコン酸化膜上に電極間絶縁膜及びコントロールゲート電極膜を順次形成する工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の疎密にかかわらず、安定したコンタクトホールを形成する方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極形成領域が疎な場合と密である場合があるとき、トランジスタが形成された半導体基板上にＢＰＳＧ膜を堆積する工程と、ＢＰＳＧ膜を平坦化する工程と、ＢＰＳＧ膜上に絶縁膜を堆積する工程と、ＢＰＳＧ膜および絶縁膜に半導体基板に達するコンタクトホールを形成する工程と、を備えることを特徴とするコンタクトホールの形成方法を提供する。その結果、ゲート電極形成領域の疎密にかかわらず、基板からのＢＰＳＧ膜厚が均一となるため、コンタクトホール間のエッチングレートが均一となり、コンタクト抵抗、リーク電流値のばらつきの少ないコンタクトホールを形成することが出来る。 （もっと読む）

【課題】Ａｌを主成分とするスパッタリングターゲットにおいて、各種デバイスの高性能化等に伴って益々厳しくなってきているスパッタ膜への要求特性を満足させる。
【解決手段】Ａｌを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の酸素量をターゲット全体の酸素量の平均値に対して±２０％以内とする。Ａｌを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の窒素量をターゲット全体の窒素量の平均値に対して±４０％以内とする。Ａｌを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の炭素量をターゲット全体の炭素量の平均値に対して±７０％以内とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の高耐圧化および高速動作を実現すること。
【解決手段】炭化珪素からなる｛１１−２０｝面を主面とするｎ⁺型炭化珪素基板１と、ｎ⁺型炭化珪素基板１の上に形成されたｎ⁺ソース領域６と、ｎ⁺ソース領域６の表面から形成されたトレンチ８と、酸化速度が異なるトレンチ８の複数の側壁に形成されたゲート酸化膜９と、を備え、複数の側壁によって形成される複数のコーナー部のうち、複数の側壁よりも酸化速度の遅い面を有するコーナー部からトレンチ８の中心までの距離が、他のコーナー部からトレンチ８の中心までの距離よりも長くなっている。 （もっと読む）