【課題】本発明は、小さなトレンチ中で拡大されたＣｕ結晶粒を得るための方法に関する。更には、半導体装置に使用される狭いトレンチおよび／またはビア中に電気化学的に堆積された銅中で、拡大された銅結晶粒を形成する方法、またはスーパー第２結晶粒成長を誘起する方法に関する。
【解決手段】再結晶した電気化学的に堆積された銅（ＥＣＤ−Ｃｕ）により充填された、少なくとも１つのトレンチおよび／または少なくとも１つのビアを含む半導体装置において、再結晶したＥＣＤ−Ｃｕの少なくとも８０％、８５％、９０％、９１％、または９２％が、[１００]方位で、少なくとも１０ミクロンの寸法を有する銅結晶粒からなる。 （もっと読む）

【課題】発光出力が大きく、かつ、廉価で生産性の良好な、半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光層となる活性層８と、活性層８の両側に形成した電極層５，７と、を有する半導体発光素子１であって、電極層５，７の少なくとも一方は透明電極層５であり、透明電極層５の少なくとも一方の面がテクスチュア形状を有する。透明電極層５のテクスチュア粒径が、λ／（４×ｎ）以上（ここで、λは半導体発光素子１の発光強度が最大となる波長であり、ｎは透明電極層５の屈折率）よりも大きければ、半導体発光素子１の発光を素子表面側に効率よく出射でき、発光出力を増大させることができる。 （もっと読む）

【課題】従来のリソグラフィ技法を用いて可能であるものより高い密度で、アレイを形成すること。
【解決手段】たとえばコンタクトホールを形成する方法では、まず第１ハードマスク層１２の上に最終間隔の２倍の間隔でスタッド１３のアレイを形成する。次に第２犠牲ハードマスク１４をコンフォーマルに堆積し、最終アレイ配置にするために上記のスタッド１３の各グループ間の中央部に方向性エッチングによる穴を交互配置する。さらに上記のスタッド１３を除去する。その結果最初のスタッド１３の２倍の密度の穴のアレイが得られる。最後に第１ハードマスク層１２はエッチングされたコンフォーマルコーティング１４’を介してエッチングされ所望の密度でアパーチャのアレイを有することができる。また、この方法を繰り返して、さらに高い密度でアレイを作成することができる。 （もっと読む）

半導体基板を金属基板に結合する方法を開示する。或る実施の形態では、この方法は第１の表面を含む半導体素子を半導体基板内に形成することを含む。この方法は更に、金属基板を得ることを含む。金属基板を半導体素子の第１の表面に結合し、金属基板の少なくとも一部は半導体素子の電気端子を形成する。
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【課題】ＨＢＴの動作の信頼性向上と動作の高速性向上とを同時に実現する。
【解決手段】 半絶縁性基板１１上にコレクタコンタクト層１２、コレクタ層１３、ベース層１４、エミッタ層１５，１６、エミッタコンタクト層１７、エミッタ電極１８，１９が形成され、ベース層上、コレクタコンタクト層上にベース電極２１、コレクタ電極２５を取付けたＨＢＴにおいて、エミッタ層を、ベース層側の第１のエミッタ層１５とエミッタコンタクト層側の第２のエミッタ層１６とで形成し、第１のエミッタ層の延設部２３に空乏化されたリッジを形成する。さらに、第２のエミッタ層、エミッタコンタクト層及びエミッタ電極は、エミッタ電極に対するアンダーカット３１を有したエミッタメサ２２を形成し、ベース電極をエミッタメサに対してセルフアライン形成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁性基板上に下地絶縁層を介して半導体層が形成された半導体装置において、絶縁性基板に含まれている不純物が半導体層に作用するのを防止して、半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】開示されるＴＦＴ１０は、下地絶縁層２に、絶縁性基板１表面から略１００ｎｍ以内の領域に、絶縁性基板１表面から半導体層３に向かってボロン濃度が平均的に１ｎｍあたり略１／１０００倍以下の割合で減少するようにボロンが含まれている。 （もっと読む）

【課題】可視及び赤外域での透過性に優れた酸化物透明導電膜を提供することを目的とする。また、本発明の酸化物透明導電膜を光電変換素子の透明電極として用いることにより、従来では不可能であった赤外域の分光感度の高い高効率太陽電池、あるいは微弱な赤外線を検出できる高性能光検出素子を実現することを目的とする。
【解決手段】酸化物透明導電膜は、酸化インジウムを主成分とし、ジルコニウムを含有する透明導電膜において、ジルコニウム／インジウムの原子数比が０より大きく０．１以下の割合で含まれていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】抵抗体とＭＯＳトランジスタを同一基板に備える、半導体装置を製造するにあたり、コンタクトの導通不良を防ぐとともに、シリコン基板への配線金属の溶出を防ぐ。
【解決手段】先ず、下地２０を用意する。次に、下地上にシリコン酸化膜３０を形成する。次に、シリコン酸化膜３０上にシリコン窒化膜５０を形成する。次に、シリコン窒化膜上に層間絶縁膜６０を形成する。次に、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及び層間絶縁膜の積層体６５を貫通するコンタクトホール７０を設ける。ここで、シリコン酸化膜の厚みを、３２〜４８ｎｍの範囲内の値とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、解像度の高い反転印刷法用いて基材上へインキからなる画像パターンを形成するにあたり、基材の特定の箇所へ精度良くインキパターンを形成することを目的とする。
【解決手段】
基材上にインキパターンを形成する印刷方法であって、ブランケット上にインキ層を設ける工程と、凸部パターンを有する凸版をブランケットに接触させることにより、該ブランケット上のインキ層のうち凸部パターンと接触した部分のインキを除去し、該ブランケット上にインキパターンを形成する工程と、ブランケット上のインキパターンを、非インキパターン部に撥インキパターンを備えた基材と接触させ転写し、基材上に前記インキパターンから前記撥インキパターンを差し引いたパターンを形成する工程を備えることを特徴とする印刷方法とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板のＧａＮ系半導体層との界面付近に形成されたＰ型拡散領域を介し流れる電流を抑制することが可能な半導体装置および半導体装置製造用基板並びにその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、元素がイオン注入されたＳｉ基板（１０）と、Ｓｉ基板（１０）上に設けられたＧａＮ、ＡｌＮおよびＩｎＮの少なくとも１つを含む半導体層（２０）と、半導体層（２０）上に設けられた電極（２２、２４、２６）と、を具備することを特徴とする半導体装置および半導体装置製造用基板並びにその製造方法である。 （もっと読む）