【課題】下地層に対する導電層の密着性を向上させる。
【解決手段】基板Ｐ上に下地層形成材料を含む第１液状体を塗布する工程と、塗布した第１液状体を加熱処理して下地層Ｆ１を形成する工程と、下地層Ｆ１上に金属微粒子を含む第２液状体を塗布する工程と、塗布した第２液状体を加熱処理して導電層Ｆ２を形成する工程とを有する。下地層Ｆ１が未硬化状態となる条件で第１液状体を加熱処理した後に、第２液状体を塗布する。 （もっと読む）

【課題】ＭＩＳＦＥＴのゲート電極、ソース領域およびドレイン領域にニッケルシリサイド膜を形成した場合に、このニッケルシリサイド膜の高抵抗化および凝集を抑制できる一方で、層間絶縁膜中に含まれる水素や水分を充分に除去できる技術を提供する。
【解決手段】ＭＩＳＦＥＴのゲート電極６ａ、６ｂ、ソース領域およびドレイン領域にニッケルシリサイド膜１６を形成する。その後、半導体基板１上に窒化シリコン膜１７を形成する。続いて、半導体基板１に対してスパイクアニールを実施する。スパイクアニールは、例えば、レーザアニール装置を用いて行ない、温度を７００℃以上１３００℃以下にし、かつ、加熱時間を１マイクロ秒以上１ミリ秒以下にする条件で実施する。 （もっと読む）

抑制剤としてポリ（アルキレン−ビグアニド）塩を含む銅電着のための電解質。ポリ（アルキレン−ビグアニド）塩によって起こされた抑制は、銅表面の促進剤濃度によって条件付けられる。ポリ（アルキレン−ビグアニド）塩の界面活性特性は、カソードと電解質とが接触している間に、電解質／大気界面を電解質／銅界面に即座に変換することを可能にする。本発明による電解質は、平滑で光沢のある電着物を得るため、およびマイクロエレクトロニクスで有用なサブミクロンスケールの凹部を有する表面上に銅を堆積するために適している。 （もっと読む）

本発明は、導電または絶縁基板上に成長されるナノ構造体およびそれを作る方法を提供する。請求項の方法によって成長されるナノ構造体は、電子装置における相互接続および／または熱の散逸体に適切である。
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【課題】ニッケルシリサイド層の電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体素子の信頼性および製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ２７に備わるウエハステージ２７ａ上に半導体ウエハＳＷを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハＳＷの主面上をドライクリーニング処理し、続いて１８０℃に維持されたシャワーヘッド２７ｃにより半導体ウエハＳＷを１００から１５０℃の第１の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハＳＷをチャンバ２７から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバにおいて１５０から４００℃の第２の温度で半導体ウエハＳＷを熱処理することにより、半導体ウエハＳＷの主面上に残留する生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】バリアメタルの材料となる高融点金属窒化物の成長工程を有する高融点金属窒化膜の形成方法に関し、配線のバリアメタルとなる高融点金属窒化物を低温で低抵抗に形成し、しかも、膜成長の際の反応生成物のチャンバ内の付着を防止するとともに、自然酸化膜の除去からコンタクトメタル、バリアメタルの成長までを減圧下で行うことを目的とする。
【解決手段】高融点金属のアルキルアミノ化合物を含むソースガスと還元性ガスとを使用して半導体基板上に化学気相成長法により高融点金属窒化膜を形成する高融点金属窒化膜の形成方法であって、還元性ガスを活性化する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細な素子分離領域の形成に際して、半導体基板の表面のダメージを防止しつつ、ボイドの発生を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１１の表面に素子分離溝１６を形成する工程と、素子分離溝１６の表面に熱酸化膜１７を形成する工程と、半導体基板１１上に熱酸化膜１７を介して酸窒化シリコン膜１８を堆積する工程と、酸窒化シリコン膜１８を酸化雰囲気中で熱処理する工程と、熱酸化膜１７及び熱処理後の酸窒化シリコン膜１８の上部をエッチングする工程とを有する。 （もっと読む）

半導体デバイス（６１）及び方法（８０〜８９、１００）には、２つのパッシベーション層（５６、５９）が設けられている。半導体層（３４）が基板（３２）上に形成され、第一のパッシベーション層（ＰＬ−１）（５６）によって覆われている。ＰＬ−１（５６）及び半導体層（３４）の一部（３４１）がエッチングされて、デバイス・メサ（３５）が形成される。第二のパッシベーション層（ＰＬ−２）（５９）がＰＬ−１（５６）及びメサ（３５）の露出端部（４４）を覆って形成される。ビア（９０、９２、９３）が、ＰＬ−１（５６）及びＰＬ−２（５９）を貫通してソース（４０）、ドレイン（４２）、及びゲートが形成されるべき半導体層（３４）にまで、エッチングにより開けられる。導体（４１、４３、３９）が、ソース−ドレイン（４０、４２）のオーミック接続及びゲートのショットキー接続（３９）を得るために、ビア（９０、９２、９３）内に付設される。メサ（３５）の端部（４４）を覆う相互接続部（４５、４７）が、他の回路構成要素を結合する。ＰＬ−１（５６）がゲート近傍の有害な表面準位（５２）を回避し、ＰＬ−２（５９）が、メサ（３５）の端部（４４）を覆い被さっている相互接続部（４５、４７）から絶縁して、漏洩電流（４６）を回避する。透明半導体（３４）使用時に位置合わせを容易にするために、望ましくは、不透明アラインメントマーク（６８）がデバイス（６１）と同時に形成される。
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【課題】本発明は、小さなトレンチ中で拡大されたＣｕ結晶粒を得るための方法に関する。更には、半導体装置に使用される狭いトレンチおよび／またはビア中に電気化学的に堆積された銅中で、拡大された銅結晶粒を形成する方法、またはスーパー第２結晶粒成長を誘起する方法に関する。
【解決手段】再結晶した電気化学的に堆積された銅（ＥＣＤ−Ｃｕ）により充填された、少なくとも１つのトレンチおよび／または少なくとも１つのビアを含む半導体装置において、再結晶したＥＣＤ−Ｃｕの少なくとも８０％、８５％、９０％、９１％、または９２％が、[１００]方位で、少なくとも１０ミクロンの寸法を有する銅結晶粒からなる。 （もっと読む）

【課題】発光出力が大きく、かつ、廉価で生産性の良好な、半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光層となる活性層８と、活性層８の両側に形成した電極層５，７と、を有する半導体発光素子１であって、電極層５，７の少なくとも一方は透明電極層５であり、透明電極層５の少なくとも一方の面がテクスチュア形状を有する。透明電極層５のテクスチュア粒径が、λ／（４×ｎ）以上（ここで、λは半導体発光素子１の発光強度が最大となる波長であり、ｎは透明電極層５の屈折率）よりも大きければ、半導体発光素子１の発光を素子表面側に効率よく出射でき、発光出力を増大させることができる。 （もっと読む）