【課題】ＣＶＤ法により、Ｃ、Ｎ含有量が低く、Ｔａ／Ｎ組成比が高く、Ｃｕ膜との密着性が確保されているバリア膜として有用な低抵抗タンタル窒化物膜を形成する方法の提供。
【解決手段】成膜室内に、Ｔａ元素の周りにＮ＝(Ｒ,Ｒ')(Ｒ及びＲ'は、炭素原子数１〜６個のアルキル基を示し、それぞれが同じ基であっても異なった基であってもよい)が配位した配位化合物からなる原料ガス及びハロゲンガスを導入してＴａＮ_ｘ(Ｈａｌ)_ｙ(Ｒ,Ｒ')_ｚ化合物膜(Ｈａｌは、ハロゲン原子を表す)を形成し、次いでＨ原子含有ガスを導入してハロゲン化生成物と反応させてタンタルリッチのタンタル窒化物膜を形成する。また、得られた膜中にスパッタリングによりタンタル粒子を打ち込み、さらにタンタルリッチとする。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜に埋め込まれた導電プラグ上にキャパシタを形成する場合、その導電プラグ上にＰＺＴなどを成膜する際の成膜温度を抑える必要性がなく、且つ、ＰＺＴの製造時に生じる酸素の下部電極への内向拡散を抑制することを可能にしようとする。
【解決手段】 層間絶縁膜１に埋め込まれた導電性プラグ２の頂面を含む領域にＳｉＯ₂ 、ＳｉＮ、Ａｌ₂ Ｏ₃ から選択されたアモルファスの第１層３Ａ、第１層３Ａ上に形成されたＴｉＡｌＮ或いはＴｉ／ＴｉＡｌＮからなる第２層３Ｂ、Ｉｒ或いはＩｒＯ₂ からなる第３層３Ｃで構成された下部電極３と、下部電極３上に順に形成された誘電体層４及び上部電極５とを備える。 （もっと読む）

【課題】 動作（駆動）中の半導体デバイスの動作状況を測定して、上記半導体デバイスをより正確に価できる評価用半導体デバイス、評価用半導体デバイスの作製方法、半導体デバイスの評価方法を実現する。
【解決手段】 半導体基板２上に設けられた任意の半導体デバイスの、ドレイン、ソース、ゲートの各電極３ａ、４ａ、５と、各電極３ａ、４ａ、５間に形成されたキャリアの分布状態が制御されるアクティブ領域２ａとを設ける。各電極３ａ、４ａ、５上を覆う絶縁膜７を設ける。観察すべきアクティブ領域２ａを露出させた露出面１ａを形成する。各電極３ａ、４ａ、５を外部と接続させるために、絶縁膜７中に配線部３ｂ、４ｂ、５ａをそれぞれ設ける。 （もっと読む）

【課題】広範囲にわたって全導電性領域に、断切れ及び上層配線層との間のリーク電流の発生のない、均一な膜厚の銅配線層を形成することが可能な銅配線層の形成方法を提供すること。
【解決手段】基板上に銅シード層のパターンを形成する工程、及び前記銅シード層のパターン上に銅配線層を無電解めっき法で形成する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により、Ｃ、Ｎ含有量が低く、Ｔａ／Ｎ組成比が高く、Ｃｕ膜との密着性が確保されているバリア膜として有用な低抵抗タンタル窒化物膜を形成する方法の提供。
【解決手段】成膜室内に、Ｔａ元素の周りにＮ＝(Ｒ,Ｒ')(Ｒ及びＲ'は、炭素原子数１〜６個のアルキル基を示し、それぞれが同じ基であっても異なった基であってもよい)が配位した配位化合物からなる原料ガス及び酸素原子含有ガスを導入して基板上で反応させて、ＴａＯ_ｘＮ_ｙ(Ｒ,Ｒ')_ｚを生成し、次いでＨ原子含有ガスを導入してタンタルリッチのタンタル窒化物膜を形成する。また、得られた膜中にスパッタリングによりタンタル粒子を打ち込み、さらにタンタルリッチとする。 （もっと読む）

【課題】一度のシリサイド化工程により製造でき、かつ小さなソース及びドレイン抵抗を有するフルシリサイド型電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ソース電極及びドレイン電極１１、１２の上面が、シリサイドゲート電極２上面より高くする。シリサイドゲート電極２は、シリコンゲート電極２ａへの金属の拡散により形成され、ソース電極１１及びドレイン電極１２は、シリコンゲート電極２より厚いシリコン層１１ａ、１２ａへの金属拡散により形成する。ゲート電極２よりソース及びドレイン電極１１、１２が高いから、ソース及びドレイン電極１１、１２を上面からの金属拡散により半導体基板１の浅い領域に留まるように形成しても、ゲート電極２は完全にシリサイド化される。また、ソース及びドレイン電極が浅いので、接触抵抗が小さい。 （もっと読む）

【課題】ソース／ドレイン電極と半導体層とのショットキーバリアが低い電界効果トランジスタを具備する半導体装置を提供すること。
【解決手段】基板１０上に半導体性のカーボンナノチューブ１２が形成されている。カーボンナノチューブ１２側面に形成されたソース及びドレイン１３が形成されている。前記ソース及びドレイン１３は、カーボンナノチューブ１２の側面に接触形成されたメタルカーバイト１５と、前記メタルカーバイト上に形成されたメタル電極１４とを具備する。ソースとドレインとの間の前記カーボンナノチューブ上に形成されたゲート絶縁膜１６、ゲート電極１７が積層されている。 （もっと読む）

【課題】 微細化や細線化が図られた膜パターンを、精度よく安定して形成することができる薄膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 基板Ｐ上にバンクＢを形成する工程と、バンクＢによって区画された領域に機能液Ｌを配置する工程と、基板Ｐ上に配置された機能液Ｌを乾燥させて膜パターンＦを形成する工程とを有する。バンクＢは、基板Ｐ上にバンクの形成材料からなる薄膜Ｂ０を形成し、その表面に撥液処理を施した後、パターニングすることにより形成する。これにより、バンクＢの上面のみが撥液化され、バンクＢの側面は撥液化されない状態（機能液Ｌに対して濡れ性の良い状態）となるため、機能液Ｌを配置したときに、スムーズにバンク間に濡れ拡がらせることができる。 （もっと読む）

【課題】Ｃ、Ｎ含有量が低く、Ｔａ／Ｎ組成比が高く、Ｃｕ膜との密着性が確保されているバリア膜として有用な低抵抗タンタル窒化物膜の形成方法の提供。
【解決手段】真空チャンバ内に、Ｔａ元素の周りにＮ＝(Ｒ,Ｒ')(Ｒ及びＲ'は、炭素原子数１〜６個のアルキル基を示し、それぞれが同じ基であっても異なった基であってもよい)が配位した配位化合物からなる原料ガスを導入して基板上に吸着させた後に、ＮＨ_３ガスを導入し、次いで反応ガスの活性化したＨラジカルを導入してＮに結合したＲ(Ｒ')基を切断除去し、Ｔａリッチのタンタル窒化物膜を形成する。また、得られた膜中にスパッタリングによりタンタル粒子を打ち込み、さらにタンタルリッチとする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高周波数帯で動作する半導体装置の特性の向上、ならびに信頼性の向上に関するものである。
【解決手段】半導体基板の表面側にキャリア走行層として積層された、サブコレクタ層、コレクタ層、ベース層、エミッタ層を用いて形成した単数もしくは複数のバイポーラトランジスタと、前記キャリア走行層の直下に設けられた絶縁層と、さらに前記絶縁層の直下に設けられた導電層と、前記導電層に到達するように形成された非貫通のバイアホールと、トランジスタの何れかの端子と電気的に接続された状態に半導体基板の表面に形成された金属配線層と、バイアホールの側壁及び底面に形成された金属配線層とを備えた構造とする。 （もっと読む）