本発明は、高誘電体材料からなるゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造において、前記ゲート絶縁膜のエッチングの制御性を良好とすることを目的とする。 そのため、本発明ではＳｉ基板上に素子が形成されてなる半導体装置の製造方法であって、前記Ｓｉ基板上にＺｒまたはＨｆの酸化物を含む絶縁膜を形成する第１の工程と、前記絶縁膜上にゲート電極膜を形成する第２の工程と、前記ゲート電極膜をエッチングする第３の工程とを有し、前記第３の工程の後にハロゲンを含む処理ガス雰囲気中で前記絶縁膜を加熱処理する第４の工程と、前記加熱処理された前記絶縁膜を除去する第５の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法を用いた。
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【課題】 拡散層上にシリサイド膜を形成する時に、素子形成領域の面積増加なしに、素子分離膜と拡散層の境界部における接合リーク電流を低減する。
【解決手段】 シリコン基板１０１上に、多数の素子形成領域に区画する素子分離領域として、溝型の素子分離１０５が形成されている。この素子分離１０５の表面は素子形成領域のシリコン基板１０１の表面よりも低く、両者間には所定の高低差を有する段差部が形成されている。上記素子分離１０５により画成された素子形成領域には、拡散層領域１１１、その上部にシリサイドで構成された拡散層電極１１３ｂが形成されている。拡散層電極は、拡散層領域における境界端部上面を含み、溝型素子分離領域における境界端部上面を含まないように形成されることにより、素子分離と分離されている。素子分離１０５と素子形成領域との段差部側面には、段差部サイドウォール１０６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】画素電極と直接接続でき、しかも、約２５０℃といった比較的低い熱処理温度を適用した場合でも充分に低い電気抵抗率と優れた耐熱性とを兼ね備えた配線材料を有する薄膜トランジスタ基板を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタと透明画素電極を有し、Ａｌ合金膜と酸化物導電膜が、高融点金属を介さずに直接接続しており、その接触界面にＡｌ合金成分の一部または全部が析出もしくは濃化して存在する薄膜トランジスタ基板であって、Ａｌ合金膜は、合金成分として、グループαに属する元素を０．１〜６原子％、およびグループＸに属する元素を０．１〜２．０原子％の範囲で含有するＡｌ−α−Ｘ合金からなり、グループαは、Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｇｅの少なくとも一種、グループＸは、Ｍｇ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｄｙの少なくとも一種である。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の半導体素子を得るために、Ｔｉ窒化物から成る膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。
【解決手段】ソース−ドレイン領域の接合深さが０．１〜０．３μｍである半導体素子のＴｉ窒化物から成るコンタクトバリアー層のＡｌ含有量を原子数で１×１０^１８個／ｃｍ^３以下に形成するためにＴｉ原料からエレクトロンビ−ム溶解法でＡｌを３ｐｐｍ以下に除去することを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置用高純度Ｔｉ材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜と金属配線層との間に厚さが５〜５００〔Å〕のＴｉから成る密着層を形成する事によって、金属配線層としてのアノード配線層及びカソード配線層と層間絶縁膜とのコンタクト特性が良好となり、アノード配線層及びカソード配線層とを同一の工程で同時に形成する事ができる半導体装置、ＬＥＤヘッド及びそれを用いた画像形成装置を提供する。
【解決手段】半導体基板２１と、該半導体基板上に形成され、該半導体基板へのコンタクトホールが開口された層間絶縁膜２３と、一端が前記コンタクトホールに接続され、他端がボンディングパッドを構成する金属配線層１３と、前記層間絶縁膜と金属配線層との間に設けられ、厚さが５〜５００〔Å〕のＴｉから成る密着層３１とを有する。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜トランジスタ及びそれを備えた平板ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】基板と、基板の上部に配置されたゲート電極と、ゲート電極と絶縁されたｐ型有機半導体層と、ゲート電極と絶縁されて相互離隔されて配置されたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極とｐ型有機半導体層との間に介在された正孔注入層と、を備えることを特徴とする有機薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】 ＮｉＳｉが用いられたシリサイド上ライナー窒化膜のエッチング特性を改善し、コンタクトホール底での過度のエッチングを防止する。
【解決手段】 半導体基板３０１の素子活性領域にシリサイド層３０８を形成する工程と、半導体基板上にライナーになるシリコン窒化膜３０９を形成する工程と、シリコン窒化膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程とを含み、シリコン窒化膜は、原子層蒸着法によりジクロロシランとアンモニアを用いて曝露するサイクルを繰り返すことにより成膜され、成膜段階におけるアンモニアガスの曝露時間は、表面反応が平衡状態になる緩和時間の２〜１０倍である。これにより、窒化膜中の塩素濃度を低減でき、Ｓｉ−Ｎ結合が増やすことができるため、ウェットエッチング耐性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】既存の方法で先ず線幅やサイズの大きい（例えば、５０ｎｍ以上）パターン２０２などを製作した後、物理的、化学的、機械的蝕刻を利用してパターンのサイズを更に縮める。
【解決手段】従来の方法で線幅が２０ｎｍ以上の所定サイズの線幅を有するパターン２０２を作るステップＳ３０２、及び前記パターン２０２を物理的、機械的加工で削ってサイズを縮めるステップ、前記パターン２０２を化学的方法で蝕刻することによって前記パターン２０２のサイズを縮めるステップ、並びに前記パターン２０２を材料の最外から分解して前記パターン２０２のサイズを縮めるステップなどの中から選択された一つのステップＳ３０６を含むことにより金属、半導体、絶縁体パターンの線幅及びサイズを縮める。 （もっと読む）

【課題】下地との密着性が高くて膜剥がれの発生を抑制でき、しかも、微細化が進んでもステップカバレジを十分に高くすることができ、更には合金種の元素を十分に拡散させることができる薄膜の積層構造の形成方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器４内で被処理体の表面に複数の薄膜を堆積して薄膜の積層構造を形成する方法において、合金種としての第１の金属を含む原料ガスと還元ガスとを用いて第１の金属よりなる合金種膜１０４を形成する合金種膜形成工程と、前記第１の金属とは異なる母材としての第２の金属を含む原料ガスと還元ガスとを用いて第２の金属よりなる母材膜１０６を前記合金種膜よりも厚く形成する母材膜形成工程とを、それぞれ１回以上交互に行うようにする。 （もっと読む）

【課題】 選択性の破れを防いで、有用なＷキャップ膜を形成する選択Ｗ−ＣＶＤ法及びＣｕ多層配線の製作法の提供。
【解決手段】 絶縁膜のホール等の構造内にＣｕ系配線膜を埋め込んだ基板に対して原料ガスを供給し、この配線膜上に選択的にＷキャップ膜を形成する前に、Ｎ原子、Ｈ原子及びＳｉ原子から選ばれた原子を化学式中に含んだ化合物のガスを所定の状態で用いて３００℃以下で絶縁膜表面とＣｕ系配線膜表面の前処理を行う。前処理後、Ｃｕ系配線膜表面上に選択的にＷキャップ膜を形成し、その後さらに上層Ｃｕ配線を製作する。 （もっと読む）